"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронные свойства дефектов с переменной валентностью в кристаллических полупроводниках
Крайчинский А.Н.1, Шпинар Л.И.1, Ясковец И.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 17 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Исследованы электронные свойства дефектов, находящихся в различных пространственных конфигурациях со своим набором валентных связей. Исследование выполнено на основе анализа функционала энергии, в котором учтены упругая энергия в ангармоническом приближении, изменение электронного терма дефектной квазимолекулы, обусловленное локализацией электронов и энергия взаимодействия Хаббарда. Выделены два класса таких дефектов: дефекты с сильным и слабым электрон-атомным взаимодействием. В случае дефектов первого типа, характеризующихся положительной эффективной энергией корреляции, топология адиабатического потенциала не изменяется после электронной локализации. К этому классу дефектов относится пара атомов углерода (CiCs) и донорно-акцепторные пары в кристаллическом кремнии. Для этого дефекта вычислен эффективный уровень заполнения как функция параметров адиабатического потенциала. Существенным в свойствах дефектов второго типа является модификация первоначального двухъямного потенциала в одноямный после локализации носителей. В этом случае эффективная корреляционная энергия может быть как положительной, так и отрицательной. Анализ известных экспериментальных результатов дает основания полагать, что к этому классу дефектов принадлежит межузельный атом бора в кремнии. Используя экспериментальные данные Воткинса, вычислен адиабатический потенциал, в котором движется межузельный атом бора, а также энергии активации переходов между различными зарядовыми состояниями этого дефекта и эффективный уровень заполнения.
  1. J.A. Van Vechten, C.D. Thurmond. Phys. Rev. B, 14(8), 3551 (1976)
  2. G.D. Watkins. Physica B, 117--118, 9 (1983)
  3. G.d. Watkins, J.R. Troxell. Phys. Rev. Lett., 44(9), 593 (1980)
  4. R.D. Harris, J.L. Newton, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 26(2), 1094 (1987)
  5. K. Chantre, L.C. Kimerling. Proc. XIV Int. Conf of Defects in Semiconductors (Budapesht, 1988). [Mater. Sci. Forum, 38--41, 391 (1989)]
  6. V.M. Siratskii, V.I. Shakhovtsov, V.L. Shindich, L.I. Shpinar, I.I. Yaskovets, 24(10), 1117 (1990)
  7. C.A. Baraff, E.O. Kane, M. Shluter. Phys. Rev. B, 21(8), 3563 (1980)
  8. М.И. Клингер. УФН, 145(1), 105 (1985)
  9. M.I. Klinger. Phys. Report, 165(5--6), 275 (1988)
  10. М.И. Клингер, В.Г. Карпов. ЖЭТФ, 82(5), 1687 (1982)
  11. М.И. Клингер, Л.И. Шпинар, И.И. Ясковец. ФТТ, 28(2), 470 (1986)
  12. В.В. Емцев, Т.В. Машовец, М.А. Маргарян. ФТП, 18(8), 1516 (1984)
  13. Л.И. Шпинар, И.И. Ясковец, М.И. Клингер. ФТП, 24(7), 1153 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.