Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 2 » Статья стр. 194
<<<>>>
Влияние условий выращивания на формирование и люминесцентные свойства квантовых точек InGaAs в матрице Si
Жуков А.Е.1, Егоров А.Ю.1, Ковш А.Р.1, Устинов В.М.1, Леденцов Н.Н.1, Максимов М.В.1, Цацульников А.Ф.1, Воловик Б.В.1, Копьев П.С.1, Алферов Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.
PDF версия
Исследовано влияние условий осaждения при молекулярно-пучковой эпитаксии и величины рассогласования постоянных решеток эпитаксиального слоя и подложки на процесс формирования островков InGaAs на поверхности Si(100). Увеличение рассогласования (мольной доли InAs) приводит к возрастанию критической толщины, отвечающий началу островкового роста, в отличие от случая формирования островков InGaAs на GaAs(100). Увеличение температуры осаждения также увеличивает критическую толщину, тогда как повышение давления мышьяка имеет противоположное влияние. Образцы, содержащие массив островков InGaAs в матрице Si, проявляют в спектрах люминесценции линию с длиной волны в диапазоне 1.2/1.3 мкм, в зависимости от мольной доли InAs.
  1. T. Yamada, M. Tachikawa, T. Sasaki, H. Mori, Y. Kadota. Appl. Phys. Lett., 70, 1614 (1997)
  2. T. Egawa, Y. Hasegawa, T. Jimbo, M. Umeno. Appl. Phys. Lett., 67, 2995 (1995)
  3. N.N. Ledentsov. Proc. 23rd Int. Conf. on Phys. Semicond. (Berlin, Germany, July 21--26, 1996), ed. by M. Scheffler and R. Zimmermann (World Scientific, Singapore, 1996) v. 1, p. 19
  4. P. Blood. In: Physics and technology of heterostructure devices, ed. by D.V. Morgan and R.H. Williams (Peter Perigrinus, 1991) Chapter 7, p. 231
  5. L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. LeRoux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
  6. P.M. Petroff, S.P. DenBaars. Superlat. Microstruct., 15, 15 (1994)
  7. А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов. ФТП, 28, 1439 (1994)
  8. G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, N.P. Korneeva, V.N. Demidov, A.O. Golubok, S.A. Masalov, D.V. Kurochkin, O.M. Gorbenko, N.I. Komyak, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 13, 1262 (1998)
  9. A. Ishisaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133, 666 (1986)
  10. D. Leonard, K. Pond, P.M. Petroff. Phys. Rev. B, 50, 11 687 (1995)
  11. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 75, 2968 (1995)
  12. M. McElhinney, C.R. Stanley. Electron. Lett., 29, 1302 (1993)
  13. А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, В.М. Устинов, П.С. Копьев. ФТП, 31, 1153 (1997)
  14. А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Ж.И. Алферов, Д.Л. Федоров, Д. Бимберг. ФТП, 30, 1345 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme