Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Образование донорных центров при отжиге кремния, имплантированного диспрозием и гольмием

Александров О.В.¹, Захарьин А.О.¹, Соболев Н.А.², Шек Е.И.², Маковийчук М.И.³, Паршин Е.О.³

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Институт микроэлектроники Российской академии наук, Ярославль, Россия

Поступила в редакцию: 9 февраля 1998 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

PDF версия

Установлено, что имплантация ионов диспрозия и гольмия с энергией 1 МэВ и дозой 10¹³ см^-2 в кремний и последующий отжиг при температурах 600/ 900^oC сопровождаются образованием донорных центров. Концентрация донорных центров возрастает при увеличении концентрации кислорода в исходном материале или при дополнительной имплантации кислорода. Одинаковое поведение коэффициента активации и концентрационных профилей донорных центров в зависимости от температуры отжига и концентрации кислорода наблюдалось в Si : Dy и Si : Ho. Результаты указывают, что имеет место образование по крайней мере двух типов донорных центров, содержащих атомы редкоземельных элементов и(или) примеси кислорода.

Rare Earth Doped Semiconductors II. MRS Symp. Proc., 422 (1996)
D. Moutonnet, H.L. Haridon, P.N. Favennec, M. Salvi, M. Gauneau, F. Arnaud, D. Avitaya, J. Chroboczek. Mater. Sci. Eng. B, 4, 75 (1989)
F.Y.G. Ren, J. Michel, Q. Sun-Paduano, B. Zheng, H. Kitagawa, D.S. Jacobson, J.M. Poate, L.C. Kimerling. MRS Symp. Proc., 301, 87 (1993)
О.В. Александров, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, А.В. Меркулов. ФТП, 30, 876 (1996)
N.A. Sobolev, O.V. Alexandrov, E.I. Shek. MRS Symp. Proc., 442, 237 (1997)
V.V. Emtsev, G.A. Oganesyan, K. Schmalz. Sol. St. Phenomena, 47--48, 259 (1996)
J.L. Benton, J. Michel, L.C. Kimerling, D.S. Jacobson, Y.-H. Xie, D.S. Eaglesham, E.A. Fizgerald, J.M. Poate. J. Appl. Phys., 70, 2667 (1991)
F. Priolo, S. Coffa, G. Franzo, C. Spinella, A. Carnera, V. Bellani. J. Appl. Phys., 74, 4936 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель