"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Свойства p+-n-структур с заглубленным слоем радиационных дефектов
Иванов А.М.1, Строкан Н.Б.1, Шуман В.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

p+-n-структуры на Si n-типа проводимости с концентрацией легирующей примеси 1.7·1013-1.2·1014 см-3 облучались alpha-частицами 238Pu. На глубине 20 мкм создавался слой, содержащий радиационные дефекты с концентрацией порядка 3·1013 см-3. Такая плотность дефектов обусловила интенсивный сток неравновесных носителей в режиме инжекции-экстракции при стационарной инжекции, а также при импульсной генерации одиночными частицами. Это позволяет рассматривать поврежденный слой как внесенную в объем плоскость с бесконечной скоростью поверхностной рекомбинации. Радиационные дефекты участвовали также в уменьшении проводимости. При обратном смещении в структуре наблюдаются характерное распределение объемного заряда и, соответственно, зависимость емкости от смещения. Несмотря на наличие формально 3 областей заряда, на кривой емкости проявляются 4 участка. Последнее связано с "дополнительной" ступенью заряда, возникающей в поле контактной разности потенциалов и присущей компенсированным глубокими уровнями полупроводникам.
  1. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ. под ред. Р.А. Суриса (М., Мир, 1984) т. 1
  2. J. von Borany, B. Schmidt, R. Grotzschel. Nucl. Instrum. Meth., A 377, 514 (1996)
  3. J. Martin, E. Haas, K. Raithel. Sol. St. Electron. 9, 83 (1966)
  4. Л.С. Берман, А.Д. Ременюк, В.Б. Шуман. ФТП, 15, 1155 (1981)
  5. А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, В.Б. Шуман. Письма ЖТФ, 23, 79 (1997)
  6. А.М. Иванов, И.Н. Ильяшенко, Н.Б. Строкан, Б. Шмидт. ФТП, 29, 543 (1995)
  7. В.В. Емцев, Т.Б. Машовец, В.В. Михнович. ФТП, 26, 22 (1992)
  8. Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 27, 205 (1993)
  9. Н.В. Кузнецов, В.Н. Филатов, В.Г. Виноградова. ФТП, 21, 609 (1987)
  10. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
  11. A. Hallen, N. Keskitalo, F. Masszi, V. Nagl. J. Appl. Phys., 79, 3906 (1996)
  12. P.V. Kuchinskii, V.M. Lomako. Sol. St. Electron., 29, 1041 (1986)
  13. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  14. С.М. Рывкин, Л.Л. Маковский, Н.Б. Строкан, А.Х. Хусаинов. ФТП, 3, 1434 (1969)
  15. Л.Л. Маковский, С.М. Рывкин, Н.Б. Строкан, В.П. Субашева, А.Х. Хусаинов. В сб.: Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов (Л., Наука, 1969)
  16. Ю.Н. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., Наука, 1968)
  17. M. Byczkowski, J.R. Madigan. J. Appl. Phys., 28, 878 (1957)
  18. L.L. Makovsky, N.B. Strokan, N.I. Tisnek. IEEE Trans. Nucl., Ser. 15, 304 (1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.