Вышедшие номера
Межзонное поглощение длинноволнового излучения в delta-легированных сверхрешетках на основе монокристаллических широкозонных полупроводников
Осипов В.В.1, Селяков А.Ю.1, Foygel M.2
1Государственный научный центр Российской Федерации "Орион", Москва, Россия
2South Dakota School of Mines and Technology, Rapid City, SD--, USA
Поступила в редакцию: 22 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

Предложена сверхрешетка нового типа, которая формируется в монокристаллическом широкозонном невырожденном полупроводнике последовательностью пар близко расположенных донорных и акцепторных delta-легированных слоев. Показано, что благодаря сверхсильным электрическим полям, образующимся между этими delta-легированными слоями, коэффициент электропоглощения длинноволнового излучения определяется туннельными оптическими переходами электронов из зоны тяжелых дырок (в отличие от случая не слишком сильных полей, когда электропоглощение определяется легкими дырками); при этом его величина близка к коэффициенту межзонного поглощения света и слабо зависит от энергии кванта вплоть до дальнего инфракрасного диапазона. Найдено, что в предложенной сверхрешетке на основе InSb коэффициент поглощения в областях сверхсильного поля может превышать 103 см-1 вплоть до длин волн излучения, примерно равных 50/ 100 мкм. Отмечается, что, благодаря пространственному разделению фотогенерируемых электронов и дырок, время их жизни и фоточувствительность такой сверхрешетки в длинноволновой области могут иметь гигантские значения.