Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сверхмелкие p+-n-переходы в кремнии (100): электронно-лучевая диагностика приповерхностной области
Андронов А.Н.1, Баграев Н.Т.2, Клячкин Л.Е.2, Робозеров С.В.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.
Электронно-лучевая диагностика зондирования приповерхностной области электронами малых и средних энергий используется для анализа сверхмелких p+-n-переходов в кремнии (100), которые создаются в условиях неравнавесной примесной диффузии. Исследуется энергетическая зависимость коэффициента радиационной проводимости, а также его распределение по площади p+-n-перехода. Данная методика позволяет определить распределение по глубине кристалла вероятности разделения электронно-дырочных пар полем p-n-перехода, которое, как показывают результаты эксперимента, является различным для p+-n-переходов, полученных при доминировании kick-out и диссоциативного вакансионного механизмов примесной диффузии, лежащих в основе получения сверхмелких p-n-переходов. Кроме того, впервые представляются разультаты исследований распределения вторичных точечных центров, которые образуются вблизи границы сверхмелкого диффузионного профиля и в значительной степени влияют на транспорт неравновесных носителей. Полученные данные демонстрируют возможности повышения эффективности повышения фотоприемников, детекторов alpha-частиц и солнечных батарей, создаваемых на основе сверхмелких p-n-переходов.
- Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, В.Л. Суханов. Письма ЖТФ, 17, 42 (1991)
- N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, V.L. Sukhanov. Semicond. Sci. Technol., 6, 577 (1991)
- N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, V.L. Sukhanov. Def.Dif. Forum, 103--105, 192 (1993)
- N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, V.L. Sukhanov. Sol. St. Electron., 34, 1149 (1991)
- W. Frank, U. Gosele, H. Mehrer, A. Seeger. Diffusion in Crystalline Solids (Academic Press, 1984) p. 63
- R.B. Fair. Diff. and Defect Data, 37, 1 (1984)
- А.Н. Андронов, Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, С.В. Робозеров, Н.С. Фараджев. ФТП, 28, 2049 (1994)
- Н.Т. Баграев. Л.Е. Клячкин, Е.И. Чайкина. Письма ЖЭТФ, 58, 620 (1993)
- Е.Н. Пятышев, Д.В. Кузичев. Измер. техника, 9, 3 (1991)
- E. Antoncik. J. Electrochem. Soc., 141, 3593 (1994)
- N.T. Bagraev, I.S. Polovtsev, K. Schmalz. Phys. St. Sol. (a), 113, 233 (1989)
- K. Schmalz, F.-G. Kirscht, H. Klose, H. Richter, K. Tittelbach-Helmrich. Phys. St. Sol. (a), 100, 567 (1987)
- N.T. Bagraev, S.N. Gorin, V.V. Vysotskaya, Yu.A. Sidorov. J. Physique (France) III, 1, 733 (1990)
- Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, И.С. Половцев, В.Л. Суханов. ФТП, 24, 1557 (1990)
- Р.М. Амальская, Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, В.Л. Суханов. ФТП, 26, 1004 (1992)
- S. Mizho, H. Higuchi. Japan. J. Appl. Phys., 20, 739 (1981)
- W.K. Tice, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 28, 564 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
