Вышедшие номера
Образование центров генерации носителей заряда в чистом Si при взаимодействии с быстрыми ионами
Иванов А.М.1, Строкан Н.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 сентября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

Методом DLTS изучались радиационные дефекты в p+-n-n+-структурах на основе чистого n-Si, облученного alpha-частицами и осколками деления от источников естественного распада. Исследовалась природа компоненты обратного тока структуры, обусловленной генерацией носителей через глубокие уровни. Установлена идентичность систем глубоких центров для легких и тяжелых ионов. При низкотемпературном отжиге наблюдалась корреляция генерационной составляющей тока с концентрацией центров Ev+0.33 эВ, связанных с межузельным углеродом. В случае тяжелых ионов DLTS-спектры не имели ожидаемых особенностей, связанных с проявлением скоплений локальных дефектов, в положении и форме пиков. Оценка темпа генерации в модели локальных p-n-переходов показала, что скопления дефектов вызывают существенно меньший ток, чем эквивалентное число дефектов с глубокими уровнями, размещенных в n-матрице структуры.
  1. Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 27, 205 (1993)
  2. Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 27, 1113 (1993)
  3. Ion Implantation Science and Technology, ed. by J.F. Ziegler (Acad. Press., 1984)
  4. А.М. Иванов, И.Н. Ильяшенко, Н.Б. Строкан, Б. Шмидт. ФТП, 29, 543 (1995)
  5. P.V. Kuchinskii, V.M. Lomako. Sol. St. Electron., 29, 1041 (1986)
  6. И.В. Антонова, А.В. Васильев, В.И. Панов, С.С. Шаймеев. ФТП, 23, 1076 (1989)
  7. Л.С. Берман, В.Б. Воронков, В.А. Козлов, А.Д. Ременюк. ФТП, 26, 1507 (1992)
  8. L.S. Kimerling, H.M. De Angelis, J.W. Diebold. Sol. St. Commun., 16, 171 (1975)
  9. S.D. Brotherton, P. Bredley. J. Appl. Phys., 53, 5720 (1982)
  10. О.В. Александров, Б.Н. Шевченко, И.П. Матханова, А.В. Каменец. ФТП, 26, 868 (1992)
  11. E. Borchi, M. Bruzzi, M.S. Mazzoni. Nucl. Instrum. Meth. A, 310, 273 (1991)
  12. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов [Пер. с англ. под ред. Р.А. Суриса] (М., Мир, 1984) т. 1
  13. Л.С. Берман, В.А. Жепко, В.Н. Ломасов, В.Н. Ткаченко. ФТП, 23, 2129 (1989)
  14. А.И. Баранов, А.В. Васильев, А.С. Гусев, С.А. Смагулова, Н.А. Ухин. ФТП. 15, 2296 (1981)
  15. И.В. Антонова, С.С. Шаймеев. ФТП, 25, 847 (1991)
  16. И.А. Баранов, П.В. Кучинский, В.М. Ломако, А.П. Петрунин, С.О. Цепелевич, Л.Н. Шахлевич. ФТП, 24, 731 (1990)
  17. B.R. Gossick. J. Appl. Phys., 30, 1214 (1959)
  18. Р.Ф. Коноплева, В.Н. Остроумов. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием (М., Атомиздат, 1975)
  19. E. Fretwurst, N. Claussen, N. Croitoru, G. Lindstrom, B. Papendick, U. Pein, H. Schatz, T. Schulz, R. Wunstorf. Nucl. Instrum. Meth. A, 326, 357 (1993)
  20. M. Bruzzi, A. Baldini, E. Borchi, I. Lukianov. Nucl. Instrum. Meth. A, 326, 344 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.