Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1997, выпуск 5 » Статья стр. 577
<<<>>>
Электронный транспорт в условиях ванье--штарковской локализации в политипах карбида кремния
Санкин В.И.1, Столичнов И.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.
PDF версия
Проведено подробное исследование электронного транспорта в сильных электрических полях в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния 6H и 4H. Поведение электронов свидетельствовало о возникновении и развитии процесса ванье-штарковского квантования в широком диапазоне электрических полей 100-2000 кВ/см. Прямые измерения зависимости электронного тока от величины среднего электрического поля позволили обнаружить ряд областей с отрицательной дифференциальной проводимостью. Анализ полученных данных позволяет заключить, что наблюдаемые эффекты обусловлены различными механизмами, которые вступают в действие по мере увеличения электрического поля: 1) брэгговское отражение электронов от границы первой минизоны, 2) прыжковая проводимость между уровнями ванье-штарковской лестницы, индуцированная резонансным электрофононным взаимодействием, 3) резонансное межмининзонное туннелирование из первой минизоны во вторую.
  1. Л.Э. Гуревич. Матер. VI Зимней школы ФТИ им. А.Ф.Иоффе (Л., 1971) с. 175
  2. G.D. Wannier. Phys. Rev., 11, 432 (1960)
  3. A. Rabinovitch, J. Zak. Phys. Rev. B, 4, 2358 (1971)
  4. D. Emin, C.F. Hart. Phys. Rev. B, 36, 7353 (1987)
  5. L. Kleiman. Phys. Rev. B, 41, 3857 (1990)
  6. L. Esaky, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., 14, 61 (1970)
  7. D. Emin, C.F. Hart. Phys. Rev. B, 36, 2530 (1987)
  8. R. Tsu, G. Dohler. Phys. Rev. B, 12, 680 (1975)
  9. Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 6, 148 (1972)
  10. P. Voisin, J. Bleuse, C. Blouch, S. Gailard, C. Alibert, A. Regreny. Phys. Rev. Lett., 61, 1639 (1988)
  11. A. Sibille, J.F. Palmier, H. Wong, J.C. Esanault, F. Mollot. Phys. Rev. Lett., 64, 52 (1990)
  12. F. Bettram, F. Capasso, D. Sivco, A. Hutchinson, S. Chu, A. Cho. Phys. Rev. Lett., 64, 3167 (1990)
  13. E. Biderman. Sol. St. Commun., 3, 343 (1965)
  14. G.B. Dubrovskii, A.A. Lepneva, E.I. Radovanova. Phys. St. Sol. (b), 57, 423 (1973)
  15. А.П. Дмитриев, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. ФТП, 17, 1093 (1983)
  16. В.И. Санкин, Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин. ФТП, 18, 2146 (1984)
  17. Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин, В.И. Санкин, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков. ФТП, 19, 814 (1985)
  18. В.И. Санкин, А.В. Наумов, А.А. Вольфсон, М.Г. Рамм, Л.М. Смеркло, А.В. Суворов. Письма ЖТФ, 15, 43 (1989)
  19. В.И. Санкин, А.В. Наумов. Письма ЖТФ, 16, 91 (1990)
  20. V. Sankin, A. Naumov. Superlat. Microstruct., 10, 353 (1991)
  21. В.И. Санкин, А.В. Наумов, И.А. Столичнов. Письма ЖТФ, 17, 38 (1991)
  22. А.Ф. Волков, Ш.М. Коган. УФН, 96, 633 (1968)
  23. В.И. Санкин. ФТТ, 17, 1191 (1975)
  24. V.I. Sankin, D.P. Litvin, Yu.A. Vodakov. Springer Proc. in Phys., 56, 225 (1991)
  25. Г.Б. Дубровский, В.И. Санкин. ФТТ, 17, 1847 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme