"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структуры с блокированной прыжковой проводимостью на кремнии, легированном галлием, полученные гидрогенизацией в плазме водорода
Эмексузян В.М.1,2, Камаев Г.Н.1,2, Феофанов Г.Н.1,2, Болотов В.В.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН, Омск, Россия
Поступила в редакцию: 22 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

Исследованы электрофизические характеристики структур с блокированной прыжковой проводимостью по примесной зоне на кремнии легированном галлием (NrmGa~5·1017 rmсм-3). Блокирующие слои в структурах получены пассивацией легирующей примеси галлия гидрогенизацией в водородной плазме пониженного давления (высокочастотный разряд) при температуре подложки в диапазоне T=20/220o C. Обнаружено уменьшение при гидрогенизации энергии активации прыжковой проводимости с прыжками между ближайшими соседними атомами галлия с Ea=8.7 мэВ (в негидрирогенизированных структурах) до Ea=1.3 мэВ (после гидрогенизации при T=220o C). Изучены вольт-амперные характеристики и температурные зависимости темнового тока структур и их изменения после изохронных (t=20 мин) отжигов в диапазоне 220/400o C. Проведен расчет вольт-амперных характеристик при низких температурах. Показано, что расчетные данные совпадают с экспериментальными.
  1. А. Милис. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  2. В.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронная теория легированных полупроводников (М., Наука 1979)
  3. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  4. Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках (М., Мир, 1985)
  5. M.D. Petroff, M.G. Stapelbrock. US Patent N 4568960 (1980)
  6. E.R. Brown, P.E. TSannenwald. Far--Infr. Sci. Techn. SPIE, 666, 38 (1986)
  7. N. Sclar. Progr. Quant. Electron, 9, 149 (1984)
  8. F. Szmulowicz, F.L. Madarsz. J. Appl. Phys., 62, 2533 (1987)
  9. D.M. Watson, J.E. Huffman. Appl. Phys. Lett., 52, 1602 (1988)
  10. B.G. Martin. Sol. St. Electron., 33, 427 (1990)
  11. P.R.Norton. Opt. Eng., 30, 1649 (1991)
  12. В.В. Болотов, Г.Н. Камаев, Г.Н. Феофанов, В.М. Эмексузян. ФТП, 24, 1697 (1990)
  13. S.J. Peaton, J.W. Corbelt, T.S. Shi. Appl. Phys., A43, 153 (1987)
  14. J. Chevallier, M. Ancouturier. Ann. Rev. Mater. Sci., 18, 219 (1988)
  15. N.M. Johnson, C. Doland, F. Ponce, J. Walker, G. Anderson. Physica, B170, 3 (1991)
  16. S.M. Myers, M.I. Baskes, H.K. Birnbaum, J.W. Corbett, G.G. Deleo, S.K. Estreicher, E.E. Haller, P. Jena, N.M. Johnson, R. Kirchheim, S.J. Pearton, M.J. Stavola. Rev. Mod. Phys., 64, 559 (1992)
  17. В.В. Болотов, Г.Л. Плотников, В.М. Эмексузян, К.Шмальц. ФТП, 26, 1295 (1992).
  18. A. Mogro-Campero, R.P. Love, R. Schubert. J. Electrochem. Soc., 132, 2006 (1985).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.