Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структуры с блокированной прыжковой проводимостью на кремнии, легированном галлием, полученные гидрогенизацией в плазме водорода

Эмексузян В.М.^1,2, Камаев Г.Н.^1,2, Феофанов Г.Н.^1,2, Болотов В.В.^1,2

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН, Омск, Россия

Поступила в редакцию: 22 мая 1995 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электрофизические характеристики структур с блокированной прыжковой проводимостью по примесной зоне на кремнии легированном галлием (N_rmGa~5·10¹⁷ rmсм^-3). Блокирующие слои в структурах получены пассивацией легирующей примеси галлия гидрогенизацией в водородной плазме пониженного давления (высокочастотный разряд) при температуре подложки в диапазоне T=20/220^o C. Обнаружено уменьшение при гидрогенизации энергии активации прыжковой проводимости с прыжками между ближайшими соседними атомами галлия с E_a=8.7 мэВ (в негидрирогенизированных структурах) до E_a=1.3 мэВ (после гидрогенизации при T=220^o C). Изучены вольт-амперные характеристики и температурные зависимости темнового тока структур и их изменения после изохронных (t=20 мин) отжигов в диапазоне 220/400^o C. Проведен расчет вольт-амперных характеристик при низких температурах. Показано, что расчетные данные совпадают с экспериментальными.

А. Милис. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
В.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронная теория легированных полупроводников (М., Наука 1979)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках (М., Мир, 1985)
M.D. Petroff, M.G. Stapelbrock. US Patent N 4568960 (1980)
E.R. Brown, P.E. TSannenwald. Far--Infr. Sci. Techn. SPIE, 666, 38 (1986)
N. Sclar. Progr. Quant. Electron, 9, 149 (1984)
F. Szmulowicz, F.L. Madarsz. J. Appl. Phys., 62, 2533 (1987)
D.M. Watson, J.E. Huffman. Appl. Phys. Lett., 52, 1602 (1988)
B.G. Martin. Sol. St. Electron., 33, 427 (1990)
P.R.Norton. Opt. Eng., 30, 1649 (1991)
В.В. Болотов, Г.Н. Камаев, Г.Н. Феофанов, В.М. Эмексузян. ФТП, 24, 1697 (1990)
S.J. Peaton, J.W. Corbelt, T.S. Shi. Appl. Phys., A43, 153 (1987)
J. Chevallier, M. Ancouturier. Ann. Rev. Mater. Sci., 18, 219 (1988)
N.M. Johnson, C. Doland, F. Ponce, J. Walker, G. Anderson. Physica, B170, 3 (1991)
S.M. Myers, M.I. Baskes, H.K. Birnbaum, J.W. Corbett, G.G. Deleo, S.K. Estreicher, E.E. Haller, P. Jena, N.M. Johnson, R. Kirchheim, S.J. Pearton, M.J. Stavola. Rev. Mod. Phys., 64, 559 (1992)
В.В. Болотов, Г.Л. Плотников, В.М. Эмексузян, К.Шмальц. ФТП, 26, 1295 (1992).
A. Mogro-Campero, R.P. Love, R. Schubert. J. Electrochem. Soc., 132, 2006 (1985).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель