Вышедшие номера
Оценка качества эпитаксиальных слоев GaAs и их интерфейсов посредством анализа спектров экситонного поглощения
Григорьева Н.Р.1, Егоров А.Ю.2, Зайцев Д.А.3, Никитина Е.В.2, Сейсян Р.П.3
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

Оптические экситонные спектры чувствительны даже к весьма незначительным изменениям свойств материала. Особенно информативны спектры такой квазичастицы как экситонный поляритон, хотя их спектроскопия и накладывает ограничения по температуре измерений и качеству материала. Параметры экситона, такие как резонансная частота omegaT и коэффициент затухания Gamma, могут меняться под действием электрического поля, наличия дефектов, изменения химического состава пленки. Если свойства материала изменяются по толщине пленки, то и резонансная частота, и коэффициент затухания тоже изменяются вдоль пространственной координаты z. Исследовались нелегированные слои GaAs при T = 1.7 K, выращенные эпитаксиально на подложке из GaAs. По спектрам экситонного края поглощения выполнены оценки глубин "мертвых" слоев, электрических полей и концентрации примесей.