Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2014, выпуск 6 » Статья стр. 774
<<<>>>
Оценка качества эпитаксиальных слоев GaAs и их интерфейсов посредством анализа спектров экситонного поглощения
Григорьева Н.Р.1, Егоров А.Ю.2, Зайцев Д.А.3, Никитина Е.В.2, Сейсян Р.П.3
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.
PDF версия
Оптические экситонные спектры чувствительны даже к весьма незначительным изменениям свойств материала. Особенно информативны спектры такой квазичастицы как экситонный поляритон, хотя их спектроскопия и накладывает ограничения по температуре измерений и качеству материала. Параметры экситона, такие как резонансная частота omegaT и коэффициент затухания Gamma, могут меняться под действием электрического поля, наличия дефектов, изменения химического состава пленки. Если свойства материала изменяются по толщине пленки, то и резонансная частота, и коэффициент затухания тоже изменяются вдоль пространственной координаты z. Исследовались нелегированные слои GaAs при T = 1.7 K, выращенные эпитаксиально на подложке из GaAs. По спектрам экситонного края поглощения выполнены оценки глубин "мертвых" слоев, электрических полей и концентрации примесей.
  1. В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. (СПб. Изд-во СПб. ун-та, 2003)
  2. В.В. Колосов. Авотореф. канд. дис. (Л., 1978); R.G. Damburg, V.V. Kolosov. J. Phys. B, 9 3358 (1976)
  3. Н.Н. Ахмедиев. ЖЭТФ, 79 (4(10)), 1534 (1980)
  4. С.А. Ваганов, Р.П. Сейсян. Письма в ЖТФ, 39, 38 (2012)
  5. Р.П. Сейсян, М.А. Абдуллаев, Б.П. Захарченя. ФТП, 7, 958 (1973)
  6. Д.К. Логинов, Е.В. Убыйвовк, Ю.П. Ефимов, В.В. Петров, С.А. Елисеев, Ю.К. Долгих, И.В. Игнатьев, В.П. Кочерешко,А.В. Селькин. ФТТ, 48 (11), 1979 (2006)
  7. A. Tredicucci, Y. Chen, F. Bassani, J. Massies, C. Deparis, G. Neu. Phys. Rev. B, 47 (16), 10 348 (1993)
  8. R. Seisyan. Semicond. Sci. Technol. 27 053 001 (2012)
  9. Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов (М., Наука, 1984)
  10. G.N. Aliev, N.V. Lukyanova, R.P. Seisyan, M.R. Vladimirova, H. Gibbs, G. Khitrova. Phys. Status. Solidi A, 164, 193 (1997).
  11. Е.В. Убыйвовк, Д.К. Логинов, И.Я. Герловин, Ю.К. Долгих, Ю.П. Ефимов, С.А. Елисеев, В.В. Петров, О.Ф. Вывенко, А.А. Ситникова, Д.А. Кириленко. ФТТ, 51, (9), 1818 (2009)
  12. В.Л. Берковиц, Т.В. Львова, В.П. Улин. ФТП, 45 (12), 1637 (2011)
  13. М. Маркосов, Р.П. Сейсян. ФТП, 42 (3), 656 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme