"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рассеяние электронов в многобарьерных структурах GaAs/AlxGa1-xAs
Гриняев С.Н.1, Чернышов В.Н.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Выставление онлайн: 19 ноября 1992 г.

Рассмотрена задача о прохождении электронов через многослойные полупроводниковые структуры. Для вычисления коэффициентов прохождения P(E) на основе метода матрицы рассеяния получены удобные для численных расчетов рекуррентные соотношения. С использованием метода модельного псевдопотенциала проведен расчет P(E) для двухбарьерных структур GaAs/AlAs и GaAs/Al0.3Ga0.7As при нормальном к гетерограницам падении электронов для энергий выше Ec GaAs на величину до 1 эВ. Проведен анализ особенностей в P(E). Изучены границы применимости часто используемого для расчета P(E) приближения эффективной массы. Показано, что для описания туннелирования электронов в GaAs/AlAs при E>EcX1 (AlAs) необходимо, кроме Gammac1-состояний, учитывать Xc1- и Xc3-состояния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.