Рассмотрена задача о прохождении электронов через многослойные полупроводниковые структуры. Для вычисления коэффициентов прохождения P(E) на основе метода матрицы рассеяния получены удобные для численных расчетов рекуррентные соотношения. С использованием метода модельного псевдопотенциала проведен расчет P(E) для двухбарьерных структур GaAs/AlAs и GaAs/Al_0.3Ga_0.7As при нормальном к гетерограницам падении электронов для энергий выше E_c GaAs на величину до 1 эВ. Проведен анализ особенностей в P(E). Изучены границы применимости часто используемого для расчета P(E) приближения эффективной массы. Показано, что для описания туннелирования электронов в GaAs/AlAs при E>E^c_X1 (AlAs) необходимо, кроме Gamma^c₁-состояний, учитывать X^c₁- и X^c₃-состояния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.