На основе результатов первой части работы (см. I. Теория) предложены модели низкосимметричных центров эрбия, согласующиеся с данными исследований электрических, магнитных и оптических свойств монокристаллов Si : Er, легированных при выращивании по методу Чохральского. Концентрационная зависимость внутрицентровой люминесценции иона Er³⁺ (на длине волны 1.54 мкм) свидетельствует о взаимосвязанности электрических и оптических свойств центров эрбия и интерпретируется в рамках оже-процесса резонансной передачи энергии в f-оболочку от неравновесных носителей, рекомбинирующих через глубокий уровень в запрещенной зоне. В качестве наиболее перспективных центров эрбия, способных увеличивать эффективность его внутрицентровой люминесценции в кристаллах кремния, легированных в расплаве и в процессе ионной имплантации, предлагаются: P⁺+Er₂O^- и Er+V₂, Er+C+O+V₂ соответственно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.