Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1996, выпуск 7 » Статья стр. 1251
<<<>>>
О механизме низкотемпературного примесного пробоя
Сабликов В.А.1, Поляков С.В.1, Рябушкин О.А.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 19 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.
PDF версия
Проведено теоретическое исследование низкотемпературного примесного пробоя в рамках модели, которая самосогласованным образом учитывает перезарядку возбужденного состояния примесей и все процессы рассеяния электронов, влияющие на темп ударной ионизации. В рассмотрение включены процессы ударной ионизации как основного, так и возбужденного состояний примесей, ударное возбуждение нейтральных примесей, межэлектронные столкновения и рассеяние электронов на фононах. Численные расчеты проведены применительно к n-GaAs. Показано, что имеются три механизма, приводящие к отрицательному дифференциальному сопротивлению, которые в реальных условиях могут образовывать общий S-образный участок вольт-амперной характеристики. Первый обусловлен уменьшением коэффициента захвата электронов на мелкие примеси с ростом частоты межэлектронных столкновений, когда они начинают контролировать функцию распределения вблизи уровня протекания. Этот механизм инициирует неустойчивость при малых токах. Второй механизм обусловлен уменьшением энергетических потерь электронов с ростом тока вследствие ослабления неупругого рассеяния на примесях при их ионизации. Третий механизм представляет собой известную перегревную неустойчивость.
  1. A.L.Mc Whorter, Rediker. Proc. IRE 47, 1207 (1959)
  2. P. Hendriks, E.A.E. Zwaal, J.G.A. Dubois, F.A. Blom, J.H. Wolter. J. Appl. Phys. 69, 302 (1991)
  3. E.A.E. Zwaal, M.J.M. Vermuelen, P. Hendriks, J.E.M. Haverkort, J.H. Wolter. J. Appl. Phys., 71, 3330 (1992)
  4. E.A.E. Zwaal, P. Hendriks, M.J.M. Vermuelen, P.T.J. Van Helmond, J.E.M. Haverkort, J.H. Wolter. J. Appl. Phys., 73, 2381 (1993)
  5. J.H. Wolter, J.E.M. Haverkort, P. Hendriks, E.A.E. Zwaal. \it Proc. SPIE's Int. Symp. OE/LASE'94, (Los Angeles, USA, 1994), v. 2142, p. 35
  6. L.L. Bonilla, S.M. Teitsworth. Physica D, 50, 545 (1991)
  7. L.L. Bonilla. Phys. Rev. B, 45, 11642 (1992)
  8. A.M. Kahn, D.J. Mor, R.M. Westerfeld. Phys. Rev., B, 45, 8342 (1992)
  9. J. Spangler, U. Margull, W. Prettl. Phys. Rev. B, 45, 12137 (1992)
  10. G. Hupper, E. Scholl. Phys. Rev. Lett., 66, 2372 (1991)
  11. K. Aoki, K. Yamamoto, N. Mugibayshi. J. Phys. Soc. Japan., 57, 26 (1988)
  12. Э.Ш. Хелль. \it Самоорганизация в полупроводниках (М., Мир, 1991)
  13. W. Clauss, A. Kittel, U. Rau, J. Parisi, J. Peinke, R.P. Huebener. Europhys. Lett., 12, 423 (1990)
  14. О.А. Рябушкин, В.А. Бадер, Д.Ю. Бабкин. Письма ЖТФ, 18, 56 (1992)
  15. O.A. Ryabushkin, V.A. Sablikov, N.S. Platonov, et al. \it Proc. SPIE's Int. Symp. on Optical Appl. Science and Engineering (San Diego, USA, 1992) v. 1751, p. 189
  16. A.A. Kastalskiy. Phys. St. Sol. (a), 15, 599 (1973)
  17. E. Scholl. Z. Phys. B, Cond. Matter., 46, 23 (1982)
  18. И. Акасахи, Т. Хара. \it Тр. IX межд. конф. по физике полупроводников (Л., Наука, 1969 ) т. 2, с. 833
  19. J. Parizi, U. Rau, J. Peinke, K.M. Mayer. Z. Phys. B., Cond. Matter., 72, 225 (1988)
  20. А.Ф. Волков, Ш.М. Коган. УФН, 96, 633 (1968)
  21. М. Шур. \it Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  22. Z.S. Kachlishvili. Phys. St. Sol. (b) 48, 65 (1971)
  23. Л.А. Вайнштейн, И.И. Собельман, Е.А. Юков. \it Возбуждение атомов и уширение спектральных линий, (М., Наука, 1979)
  24. В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, В.А. Чуенков. ФТП, 7, 1972 (1973)
  25. В.Ф. Гантмахер, И.В. Левинсон. \it Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
  26. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос, \it Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  27. Ю.Я. Ткач, Е.В. Ченский. ЖЭТФ, 100, 1683 (1992)
  28. A.L. Efros, Nguen Van Lien, B.I. Shklovskii. J. Phys. C, 12, 1869 (1979)
  29. Н.В. Агринская, В.И. Козуб. ЖЭТФ, 99, 929 (1991)
  30. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12, 3 (1978)
  31. G.R. Allan, A. Black, C.R. Pidgeom, E. Gornik, W.Seidenbusch, P. Colter. Phys. Rev. B, 31, 3560 (1985)
  32. T. Kurosawa. J. Phys. Soc. Japan, 20, 1405 (1965)
  33. Б.И. Шкловский. ФТП, 13, 93 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme