"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Общее количество статей:
9270
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
259

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2005 год:
Статья
Всего
Абстракт
Полный текст
Статья
Всего
Абстракт
Полный текст
print '
';
Автор
Организация
Статей
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
10
Тонких А.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
9
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
8
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Гапонова Д.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Данильцев В.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Шашкин В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Мурель А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Ускова Е.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Ильчук Г.А.
Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
5
Никитин С.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Николаев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Семенова Е.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Хрыкин О.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Поляков Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Борисенко В.Е.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
4
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Хужакулов Э.С.
Ташкентский областной государственный педагогический институт, Ангрен, Узбекистан
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Володин В.А.
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ковш А.Р.
NL Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, Germany
4
Дубровский В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Данилов Ю.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Садофьев Ю.Г.
Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
3
Zhang Y.-H.
Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
3
Мусихин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Фирсов Д.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Шалыгин В.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
95
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
21
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
19
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
14
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
8
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
7
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
7
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
6
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
5
Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете, Томск, Россия
5
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
5
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
5
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
4
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
4
Ташкентский областной государственный педагогический институт, Ангрен, Узбекистан
4
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
3
Институт микроэлектроники и информатики Российской академии наук, Ярославль, Россия
3
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2
Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия
2
Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
2
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Томский политехнический университет, Томск, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
2
Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
2
Department of Physics, Bath University, UK
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
2
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Deutschland
2
Белорусский государственный университет, Минск, Белоруссия
2
Ингушский государственный университет, Магас, Россия
2
Российский научный центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Рязанская государственная радиотехническая академия, Рязань, Россия
2
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
2
Завод синтетических корундов "Монокристалл", Ставрополь, Россия
1
Epichem Company, Bromborough, Wirral, UK
1
Institute of Physics, University of Bayreuth, Bayreuth, Germany
1
Max Planck Institute of Microstructure Physics, Halle (Saale), Germany
1