"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отжигами
Качурин Г.А.1, Володин В.А.1, Тетельбаум Д.И.2, Марин Д.В.1, Лейер А.Ф.1, Гутаковский А.К.1, Черков А.Г.1, Михайлов А.Н.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Нижегородский государственный университет, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Исследовано влияние отжигов при 1100oC на ионно-лучевой синтез нанокристаллов Si в слоях SiO2. При сохранении общей дозы 1017 см-2 и длительности термообработок ~2 ч отжиги проводились как однократно, так и после внедрения каждой половины или трети дозы. Обнаружено, что промежуточные отжиги приводят к длинноволновому сдвигу спектра рамановского рассеяния нанокристаллов и к коротковолному смещению спектра фотолюминесценции. Электронная микроскопия выявила снижение размеров нанопреципитатов, сопровождающееся исчезновением признаков кристалличности, однако фотолюминесценция оставалась типичной для нанокристаллов. Результаты объяснены преимущественным стоком атомов Si на вновь образующиеся кластеры, что согласуется с проведенным численным моделированием. Считается, что в фотолюминесценцию основной вклад вносят мелкие нанокристаллы, а рамановское рассеяние и электронная микроскопия регистрируют более крупные.
  • T. Shimizu-Iwaima, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, R. Fujita, N. Itoh. J. Appl. Phys., 75, 7779 (1994)
  • P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
  • E. Wendler, U. Herrmann, W. Wesh, H.H. Dunken. Nucl. Instrum. Meth. B, 116, 332 (1996)
  • G.A. Kachurin, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, A.F. Leier, I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, W. Skorupa, R.A. Yankov. Nucl. Instrum. Meth. B, 127/128, 583 (1997)
  • Г.А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлев, И.Е. Тысченко, А.К. Гутаковский, В.А. Володин, В. Скорупа, Р.А. Янков. ФТП, 32, 1371 (1998)
  • A. Mimura, M. Fujii, S. Hayashi, D. Kovalev, F. Koch. Phys. Rev. B, 62, 12 625 (2000)
  • Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов. ФТП, 37, 738 (2003)
  • J. Zhao, D.S. Mao, Z.X. Lin, X.Z. Ding, B.Y. Jiang, Y.H. Yu, X.H. Liu. Appl. Phys. Lett., 74, 1403 (1999)
  • Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, К.С. Журавлев, M.-O. Ruault. ФТП, 35, 1235 (2001)
  • V.G. Kesler, S.G. Yanovskaya, G.A. Kachurin, A.F. Leier, L.M. Logvinsky. Surf. Interface Analysis, 33, 914 (2002)
  • I.E. Tyschenko, L. Rebohle, R.A. Yankov, W. Skorupa, A. Misiuk, G.A. Kachurin. J. Luminesc., 80, 229 (1999)
  • B.G. Potters, J.H. Simmons. Phys. Rev. B, 37, 10 838 (1988)
  • Y. Maeda. Phys. Rev. B, 51, 1658 (1995)
  • S.P. Withrow, C.W. White, A. Meldrum, J.D. Budai, D.M. Hembree, J.C. Barbour. J. Appl. Phys., 86, 396 (1999)
  • L. You, C.L. Heng, S.Y. Ma, Z.C. Ma, W.H. Zong, Z. Wu, G.G. Qin. J. Cryst. Growth, 212, 109 (2000)
  • X. Du, M. Takeguchi, M. Tanaka, K. Furuya. Appl. Phys. Lett., 82, 1108 (2003)
  • А.Ф. Лейер, Л.Н. Сафронов, Г.А. Качурин. ФТП, 33, 389 (1999)
  • Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, В.А. Володин, В.Г. Кеслер, А.Ф. Лейер, M.-O. Ruault. ФТП, 36, 685 (2002)
  • B. Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys., 91, 798 (2002)
  • S. Veprek, Z. Iqbal, F.-A. Sarott. Phil. Mag., B45, 137 (1982)
  • A. Cheung, G. de M. Azevedo, C.J. Glover, D.J. Llewellyn, R.G. Elliman, G.J. Foran, M.C. Ridgway. Appl. Phys. Lett., 84, 278 (2004).
  • D.K. Yu, R.Q. Zhang, S.T. Lee. Phys. Rev. B, 65, 245 417 (2002)
  • F. Iacona, C. Bongiorno, C. Spinella, S. Boninelli, F. Priolo. J. Appl. Phys., 95, 3723 (2004).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.