Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1997, выпуск 1
>>>
Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, выпуск 1
Савицкий В.Г., Соколовский Б.С.
О фотоэлектрическом усилении варизонными фоторезисторами
3
Федоренко Л.Л., Сардарлы А.Д., Каганович Э.Б., Свечников С.В., Дикий С.П., Баранец С.В.
Релаксационные спектры фотолюминесценции пористого кремния, полученного химическим травлением лазерно-модифицированного кремния
6
Электрические свойства гетероструктур ZnSe/GaAs (100), выращенных методом фотостимулированной газофазной эпитаксии
11
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В., Мередов М.М., Язлыева А.И.
Об электрических и фотоэлектрических свойствах структуры Pd-- p
0
-Si--p-Si с разупорядоченным промежуточным p
0
-слоем
15
Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Устинов В.М., Цацульников А.Ф., Максимов М.В., Фалеев Н.Н., Копьев П.С.
Влияние рассогласования параметров решеток на структурные, оптические и транспортные свойства слоев InGaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InP (100)
19
Резников Б.И., Царенков Г.В.
Аккумуляция носителей и сильные приэлектродные поля в освещаемых высокоомных МДПДМ структурах
23
Коваленко А.В.
Выращивание пленок ZnSe на GaAs (100) методом рентгеностимулированной газофазной эпитаксии
31
Гасан-заде С.Г., Сальков Е.А., Шепельский Г.А.
Фотоэлектрические и фотомагнитные свойства бесщелевого Cd
x
Hg
1-x
Te в инфракрасной и миллиметровой области спектра излучения при раскрытии энергетической щели
35
Гольдман Е.И.
Переходные ионные процессы в диэлектрическом слое с ловушками
43
Боднарь И.В.
Исследование колебательных спектров твердых растворов CuInS
2x
Se
2(1-x)
49
Карачинов В.А.
Эффекты зарядовой нестабильности в системе карбид кремния--диэлектрик
53
Мусихин С.Ф., Ильин В.И., Рабизо О.В., Бакуева Л.Г., Юдинцева Т.В.
Оптические свойства квазипериодических и апериодических сверхрешеток PbS--CdS
56
Бугров В.Е., Зубрилов А.С.
Волноводные свойства гетероструктур на основе нитридов галлия, алюминия и индия
63
Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Мельцер Б.Я., Неклюдов П.В., Шапошников С.В., Воловик Б.В., Крестников И.Л., Сахаров А.В., Берт Н.А., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И.
Фотолюминесценция квантовых точек InSb в матрицах GaAs и GaSb
68
Абрамишвили В.Г., Комаров А.В., Рябченко С.М., Семенов Ю.Г.
Исследование структуры края валентной зоны кристаллов Cd
1-x
Mn
x
S при помощи магнитооптических измерений
72
Берман Л.С.
Анализ временной нестабильности параметров границы раздела диэлектрик--соединение A
III
B
V
методом изотермической релаксации емкости
78
Берман Л.С.
Распределение глубокоуровневых центров по глубине в двуокиси кремния вблизи границы раздела с фосфидом индия
83
Pozela J., Juciene V., Namajunas A., Pozela K.
Electron-phonon scattering engineering
85
Борздов В.М., Петрович Т.А.
Моделирование методом Монте-Карло низкотемпературной подвижности двумерных электронов в инверсионном слое кремния
89
Беляков Л.В., Захарова И.Б., Зубкова Т.И., Мусихин С.Ф., Рыков С.А.
Исследование ИК фотодиодов на основе PbTe, полученных на буферном подслое пористого кремния
93
Горев Н.Б., Макарова Т.В., Прохоров Е.Ф., Уколов А.Т., Эппель В.И.
Высокочастотная вольт-емкостная характеристика тонкопленочных структур на основе GaAs
96
Белянцев А.М., Романова Ю.Ю.
Квазибаллистическая модель токопереноса и формирование вольт-амперной характеристики S-типа в слабо легированной двухбарьерной гетероструктуре Al
x
Ga
1-x
As--GaAs--AlAs
100
Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Устинов В.М., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Гордеев Н.Ю., Зайцев С.В., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И.
Термическая стабильность массивов вертикально совмещенных квантовых точек InAs--GaAs
104
Цацульников А.Ф., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Сахаров А.В., Суворова А.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д.
Модуляция потенциала квантовой ямы с помощью массива квантовых точек
109
Конников С.Г., Медведкин Г.А., Соболев М.М., Соловьев С.А.
Катодолюминесценция p-n-p-микроструктур в кристаллах CuInSe
2
114
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук