"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


К 90-летнему юбилею академика Российской академии наук Александра Александровича Каплянского

К 80-летнему юбилею Владимира Алексеевича Сабликова

Анатолий Александрович Гринберг. Некролог

Роберт Арнольдович Сурис (к 85-летию со дня рождения)


Уважаемые авторы!

С большим сожалением редколлегия журнала ”Физика и техника полупроводников“ вынуждена констатировать, что начиная с третьего выпуска 2021 года компания ”Pleiades Publishing, Inc.“ прекратила выставлять на своем сайте и сайте компании-распространителя Springer журнал ”Semiconductors“ с переводными версиями статей из нашего российского журнала. Это было сделано несмотря на то, что редколлегия журнала отправляла все подготовленные статьи на русском языке для перевода на английский язык своевременно, в полном согласии в условиями Лицензионного соглашения. Такие действия представляют собой грубейшее нарушение Лицензионного соглашения между компанией ”Pleiades Publishing, Inc.“ и Соучредителями журнала в лице РАН и ФТИ им.А.Ф.Иоффе. Главный редактор журнала, а также ФТИ им. А.Ф.Иоффе как Издатель и Соучредитель журнала ”Физика и техника полупроводников“ неоднократно письменно обращались к президенту компании ”Pleiades Publishing, Inc.“ г-ну А. Е. Шусторовичу с законным требованием о выставлении всех отправленных ранее номеров журнала на сайте ”Semiconductors“, но безрезультатно. Это вынудило редколлегию прервать дальнейшую отправку статей в компанию начиная с одиннадцатого номера 2021 года. В настоящее время ФТИ им. А. Ф. Иоффе предпринимает практические шаги к самостоятельному изданию номеров журнала ”Semiconductors“ 2022 года на английском языке с размещением их на журнальном портале института. Невыставленные компанией ”Pleiades Publishing, Inc.“ номера журнала ”Semiconductors“ 2021 года будут также выставлены на журнальном портале института в течение первой половины следующего года. Редколлегия журнала приносит искренние извинения за вынужденный сбой в издании английской версии нашего журнала.

Редколлегия
Уважаемые авторы!

С сентября 2021 года журнал ”Физика и Техника Полупроводников“ переходит на электронную подачу статей исключительно через онлайн систему Open Journal System (OJS). Для подачи статьи необходимо пройти по ссылке: https://ojs.ioffe.ru/index.php/ftp/submissions и после регистрации в системе следовать инструкциям.

При возникновении любых вопросов просьба обращаться к ответственному секретарю редколлегии Нестоклону Михаилу Олеговичу по электронной почте: nestoklon@coherent.ioffe.ru.


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (147)
Год 2003, выпуск 8
Одномодовые быстроперестраиваемые лазеры для диодно-лазерной спектроскопии (87)
Год 2021, выпуск 5
Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs (86)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (84)
Год 2019, выпуск 3
Открытие полупроводников AIIIBV: физические свойства и применение (О б з о р) (83)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (72)
Год 2003, выпуск 9
Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра О б з о р (54)
Год 2004, выпуск 6
Магнитные свойства углеродных структур О б з о р (54)
Год 2002, выпуск 5
Спектральная ширина линии излучения перестраиваемых током лазеров на основе InAsSb / InAsSbP при низкой температуре (53)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (47)
Год 2015, выпуск 10
Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов (47)
Год 2002, выпуск 3
Анализ пороговой плотности тока и усиления в квантово-размерных лазерах на основе твердых растворов InGaAsP (45)
Год 2003, выпуск 4
Рамановская спектроскопия аморфного углерода, модифицированного железом (44)
Год 2015, выпуск 3
Электрооптические свойства и структурные особенности аморфного ITO (44)
Год 2017, выпуск 4
Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния (44)