"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала перевод на английский язык осуществляет компания Pleiades Publishing, Ltd.

Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer Science + Business Media.

Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.


XXI симпозиум (Нижний Новгород)

XIII конференция по физике полупроводников

Конференция в Махачкале

E-MRS Fall Meeting in Warsaw


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (125)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (121)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (85)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (70)
Год 2013, выпуск 12
Deposition and characterization of molybdenum thin films using DC-plasma magnetron sputtering (64)
Год 2003, выпуск 10
Нанотранзисторы кремний-на-изоляторе: перспективы и проблемы реализации (63)
Год 2011, выпуск 5
Characteristics Study of 2DEG Transport Properties of AlGaN/GaN and AlGaAs/GaAs-based HEMT (56)
Год 2015, выпуск 7
Properties of antimony doped ZnO thin films deposited by spray pyrolysis technique (53)
Год 2014, выпуск 4
Electrical properties of MOS capacitors formed by PEALD grown Al2O3 on silicon (53)
Год 2009, выпуск 4
AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усиления по мощности fmax до 100 ГГц (53)
Год 2012, выпуск 10
Failure analysis of electrical-thermal-optical characteristics of LEDs based on AlGaInP and InGaN/GaN (52)
Год 2004, выпуск 6
Магнитные свойства углеродных структур О б з о р (52)
Год 2013, выпуск 6
Different properties of aluminum doped zinc oxide nanostructured thin films prepared by radio frequency magnetron sputtering (50)
Год 2013, выпуск 7
Effect of surface passivation by SiN/SiO2 of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si substrate by deep level transient spectroscopy method (50)
Год 2007, выпуск 10
Аномальные зависимости барьерной емкости диода от напряжения смещения и температуры (49)