"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала перевод на английский язык осуществляет компания Pleiades Publishing, Ltd.

Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer Science + Business Media.

Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.


XXI симпозиум (Нижний Новгород)

XIII конференция по физике полупроводников

Конференция в Махачкале

E-MRS Fall Meeting in Warsaw


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (174)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (141)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (109)
Год 2011, выпуск 12
Оптические свойства наноструктурированных пленок сульфида свинца с кубической структурой типа D03 (100)
Год 2012, выпуск 5
Термоэлектрическая добротность объемных наноструктурированных композитов с распределенными параметрами (92)
Год 2013, выпуск 10
Оптические свойства пленок ITO, полученных высокочастотным магнетронным напылением с сопутствующей ионной обработкой (71)
Год 1997, выпуск 4
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации (71)
Год 1998, выпуск 4
Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры О б з о р (70)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (69)
Год 2001, выпуск 1
Магниточувствительные транзисторы О б з о р (68)
Год 2012, выпуск 7
Бозе-конденсация экситонных поляритонов в микрорезонаторах О б з о р (68)
Год 2011, выпуск 5
Characteristics Study of 2DEG Transport Properties of AlGaN/GaN and AlGaAs/GaAs-based HEMT (67)
Год 2013, выпуск 12
Deposition and characterization of molybdenum thin films using DC-plasma magnetron sputtering (65)
Год 2014, выпуск 11
Структура и оптические свойства тонких пленок Al2O3, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100) (65)
Год 2004, выпуск 6
Магнитные свойства углеродных структур О б з о р (62)