"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


Захарий Фишелевич Красильник - к 70-летию со дня рождения

К 70-летию со дня рождения профессора Болотова Валерия Викторовича


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2010, выпуск 1
Влияние температуры роста на свойства прозрачных проводящих пленок ZnO, легированных галлием (306)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (117)
Год 2018, выпуск 11
Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений (113)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (105)
Год 2017, выпуск 4
Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния (105)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (103)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (92)
Год 2012, выпуск 1
Экспериментальное исследование умножителей частоты на полупроводниковых сверхрешетках в терагерцовом диапазоне частот (86)
Год 2008, выпуск 3
Влияние облучения электронами и протонами на характеристики поверхностно-барьерных структур SiC-детекторов ядерных излучений (81)
Год 2016, выпуск 9
Методы определения ширины запрещенной зоны полупроводниковых структур с p-n-переходами (66)
Год 2014, выпуск 9
Электрические и оптические свойства пленок оксида цинка, нанесенных методом ионно-лучевого распыления оксидной мишени (65)
Год 2004, выпуск 6
Магнитные свойства углеродных структур О б з о р (63)
Год 2015, выпуск 10
Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления (61)
Год 2002, выпуск 6
Локальные колебательные моды комплекса кислород--вакансия в германии (59)
Год 2012, выпуск 4
Поглощательная способность полупроводников, используемых в производстве солнечных панелей (59)