"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала перевод на английский язык осуществляет компания Pleiades Publishing, Ltd.

Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer Science + Business Media.

Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.


К юбилею нобелевского лауреата академика Жореса Ивановича Алфёрова

К 85-летию академика Александра Александровича Каплянского


Ознакомьтесь с информацией о конференции «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА» ФТТ-2016
Оргкомитет приглашает Вас принять участие в работе конференции. Эта конференция будет проводиться совместно с V Международной научной конференцией «Наноструктурные материалы-2016: Беларусь-Россия-Украина» (НАНО-2016) в Минске в НПЦ НАН Беларуси по материаловедению.

Важные даты:

  • 30 июня 2016 года – окончание приема заявок на участие в конференции и материалов доклада
  • 30 июля 2016 года – рассылка второго информационного сообщения о включении доклада в программу конференции и приглашений
  • 1 октября 2016 года – окончание приема организационного взноса
  • 24 октября 2016 года – заезд участников конференции и регистрация
  • 25-28 октября 2016 года – работа конференции
Подробности в приложении.
TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (184)
Год 2015, выпуск 5
Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure (167)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (121)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (113)
Год 2005, выпуск 11
Применимость упрощенной модели Шокли--Рида--Холла для полупроводников с различными типами дефектов (79)
Год 2002, выпуск 11
Радиационная стойкость широкозонных полупроводников (на примере карбида кремния) (79)
Год 2008, выпуск 11
Модель термического окисления кремния на фронте объемной реакции (77)
Год 2004, выпуск 6
Магнитные свойства углеродных структур О б з о р (76)
Год 1998, выпуск 4
Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры О б з о р (68)
Год 1997, выпуск 4
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации (66)
Год 2009, выпуск 1
Коэффициент неидеальности вольт-амперных характеристик p-n-переходов в сильном сверхвысокочастотном поле (65)
Год 2011, выпуск 5
Characteristics Study of 2DEG Transport Properties of AlGaN/GaN and AlGaAs/GaAs-based HEMT (65)
Год 1996, выпуск 6
К теории рекомбинации Холла--Шокли--Рида (64)
Год 2013, выпуск 1
Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом (62)
Год 2001, выпуск 3
Электрические и оптические свойства мономерных и полимеризованных фуллеренов О б з о р (60)