"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала перевод на английский язык осуществляет компания Pleiades Publishing, Ltd.

Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer Science + Business Media.

Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.


К юбилею нобелевского лауреата академика Жореса Ивановича Алфёрова

К 85-летию академика Александра Александровича Каплянского


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2015, выпуск 5
Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure (513)
Год 2016, выпуск 1
Оптические свойства тонких пленок PbS (282)
Год 2011, выпуск 5
Зарядовая спектроскопия слоев SiO2 с нанокристаллами кремния, модифицированных ионами высоких энергий (211)
Год 2013, выпуск 7
Механизмы переноса заряда в диодах Шоттки на основе низкоомного CdTe : Mn (208)
Год 2005, выпуск 9
Смещение Штарка состояний дырок одиночных квантовых точек InAs/GaAs, выращенных на подложках (100) и (311)A GaAs (203)
Год 2010, выпуск 4
Влияние низкотемпературных отжигов на фотолюминесценцию кремниевых нанокластерных структур (203)
Год 2013, выпуск 7
Теория явлений переноса в поликристаллических пленках халькогенидов свинца. Подвижность. Невырожденная статистика (202)
Год 2011, выпуск 12
Деформация поверхности арсенида галлия в процессе осаждения золота (201)
Год 2004, выпуск 8
Japan programs on novel concepts in PV (198)
Год 2006, выпуск 2
Проявление туннельной проводимости тонкого подзатворного изолятора в кинетике генерации неосновных носителей заряда в структурах металл--диэлектрик--полупроводник (197)
Год 2007, выпуск 8
Пикосекундная кинетика фотоносителей в арсениде галлия с нанокластерами алюминия (196)
Год 2012, выпуск 3
Evidence of surface states for AlGaN/GaN/SiC HEMTs passivated Si3N4 by CDLTS (196)
Год 2009, выпуск 3
Моделирование деградации рельефа нанопористого кремния в процессе отжига в неоднородном температурном поле (194)
Год 2013, выпуск 10
Comparative study of InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistors with InGaAsP pacer at base-collector junction (190)
Год 1998, выпуск 12
Влияние кислорода на процессы ионно-лучевого синтеза скрытых слоев карбида кремния в кремнии (190)