"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала перевод на английский язык осуществляет компания Pleiades Publishing, Ltd.

Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer Science + Business Media.

Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.


XXI симпозиум (Нижний Новгород)

XIII конференция по физике полупроводников

Конференция в Махачкале

E-MRS Fall Meeting in Warsaw


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2017, выпуск 4
Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN (238)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (220)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (139)
Год 2011, выпуск 12
Оптические свойства наноструктурированных пленок сульфида свинца с кубической структурой типа D03 (112)
Год 2017, выпуск 3
Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A (103)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (103)
Год 2016, выпуск 2
Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A (92)
Год 2004, выпуск 9
Определение времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния по релаксации фотопроводимости, измеренной на сверхвысоких частотах (92)
Год 2017, выпуск 6
Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP (92)
Год 2001, выпуск 3
Электрические и оптические свойства мономерных и полимеризованных фуллеренов О б з о р (89)
Год 2009, выпуск 4
AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усиления по мощности fmax до 100 ГГц (88)
Год 1996, выпуск 6
О первичной люминесценции пористого кремния (86)
Год 2017, выпуск 4
Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A (80)
Год 1998, выпуск 4
Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры О б з о р (77)
Год 2012, выпуск 5
Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках О б з о р (70)