"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала перевод на английский язык осуществляет компания Pleiades Publishing, Ltd.

Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer Science + Business Media.

Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.


К юбилею нобелевского лауреата академика Жореса Ивановича Алфёрова

К 85-летию академика Александра Александровича Каплянского

К юбилею главного редактора журнала академика Роберта Арнольдовича Суриса


Ознакомьтесь с информацией о конференции «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА» ФТТ-2016
Оргкомитет приглашает Вас принять участие в работе конференции. Эта конференция будет проводиться совместно с V Международной научной конференцией «Наноструктурные материалы-2016: Беларусь-Россия-Украина» (НАНО-2016) в Минске в НПЦ НАН Беларуси по материаловедению.

Важные даты:

  • 30 июня 2016 года – окончание приема заявок на участие в конференции и материалов доклада
  • 30 июля 2016 года – рассылка второго информационного сообщения о включении доклада в программу конференции и приглашений
  • 1 октября 2016 года – окончание приема организационного взноса
  • 21 ноября 2016 года – заезд участников конференции и регистрация
  • 22-25 ноября 2016 года – работа конференции
Подробности в приложении.
TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (168)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (102)
Год 2004, выпуск 6
Магнитные свойства углеродных структур О б з о р (82)
Год 2011, выпуск 5
Characteristics Study of 2DEG Transport Properties of AlGaN/GaN and AlGaAs/GaAs-based HEMT (76)
Год 1998, выпуск 4
Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры О б з о р (69)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (66)
Год 2016, выпуск 10
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si3N4 in situ (64)
Год 2010, выпуск 5
Начальные этапы становления полупроводниковой электроники в СССР (К 60-летию открытия транзистора) О б з о р (61)
Год 2012, выпуск 5
Термоэлектрическая добротность объемных наноструктурированных композитов с распределенными параметрами (60)
Год 2010, выпуск 10
Структура и оптические свойства нанокристаллических пленок сульфида свинца (60)
Год 2013, выпуск 2
Туннельные полевые транзисторы на основе графена (57)
Год 2014, выпуск 9
Электрические и оптические свойства пленок оксида цинка, нанесенных методом ионно-лучевого распыления оксидной мишени (54)
Год 2009, выпуск 1
Коэффициент неидеальности вольт-амперных характеристик p-n-переходов в сильном сверхвысокочастотном поле (51)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (50)
Год 2005, выпуск 8
Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния О б з о р (47)