"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала перевод на английский язык осуществляет компания Pleiades Publishing, Ltd.

Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer Science + Business Media.

Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.


XXI симпозиум (Нижний Новгород)

XIII конференция по физике полупроводников

Конференция в Махачкале

E-MRS Fall Meeting in Warsaw


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (156)
Год 2016, выпуск 3
Переключение силовых тиристоров импульсом перенапряжения с наносекундным фронтом (132)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (126)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (89)
Год 2003, выпуск 10
Нанотранзисторы кремний-на-изоляторе: перспективы и проблемы реализации (71)
Год 1998, выпуск 4
Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры О б з о р (69)
Год 2017, выпуск 9
Сенсор электрического поля на основе двойной квантовой точки в микрорезонаторе (67)
Год 2011, выпуск 5
Characteristics Study of 2DEG Transport Properties of AlGaN/GaN and AlGaAs/GaAs-based HEMT (62)
Год 2012, выпуск 3
Свойства тонких пленок оксида вольфрама, формируемых методами ионно-плазменного и лазерного осаждения для детектора водорода на основе структуры MOSiC (61)
Год 2013, выпуск 7
Статистический анализ топографических АСМ-изображений самоорганизованных квантовых точек (61)
Год 2012, выпуск 7
Бозе-конденсация экситонных поляритонов в микрорезонаторах О б з о р (60)
Год 2013, выпуск 7
Effect of surface passivation by SiN/SiO2 of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si substrate by deep level transient spectroscopy method (59)
Год 2004, выпуск 6
Магнитные свойства углеродных структур О б з о р (59)
Год 2012, выпуск 5
Термоэлектрическая добротность объемных наноструктурированных композитов с распределенными параметрами (59)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (58)