"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


Захарий Фишелевич Красильник - к 70-летию со дня рождения

К 70-летию со дня рождения профессора Болотова Валерия Викторовича


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2010, выпуск 1
Влияние температуры роста на свойства прозрачных проводящих пленок ZnO, легированных галлием (311)
Год 2018, выпуск 1
Влияние гидростатического давления на статическую диэлектрическую проницаемость германия (167)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (141)
Год 2000, выпуск 3
Классификация электрических свойств пористого кремния (122)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (103)
Год 2018, выпуск 1
Новый механизм реализации омических контактов (89)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (80)
Год 2017, выпуск 10
Эффекты локального фотовозбуждения носителей заряда высокой плотности в кремнии (70)
Год 2004, выпуск 6
Магнитные свойства углеродных структур О б з о р (62)
Год 2002, выпуск 6
Получение алмазных пленок на кристаллическом кремнии методом термического газофазного осаждения (48)
Год 2018, выпуск 1
Особенности свойств полупроводников АIIIВV в мультизеренной наноструктуре (46)
Год 2001, выпуск 3
Электрические и оптические свойства мономерных и полимеризованных фуллеренов О б з о р (45)
Год 2014, выпуск 11
Структура и оптические свойства тонких пленок Al2O3, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100) (45)
Год 2018, выпуск 1
О подвижности носителей заряда определенной энергии (44)
Год 2013, выпуск 9
Электрофизические свойства пленок сульфида цинка, полученных методом вакуумной сублимации в замкнутом объеме (43)