"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


Памяти Ирины Николаевны Яссиевич

Памяти Жореса Ивановича Алфёрова


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2001, выпуск 9
Численное моделирование собственных дефектов в SiO2 и Si3N4 (126)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (123)
Год 2010, выпуск 5
Начальные этапы становления полупроводниковой электроники в СССР (К 60-летию открытия транзистора) О б з о р (108)
Год 2016, выпуск 9
Методы определения ширины запрещенной зоны полупроводниковых структур с p-n-переходами (94)
Год 2013, выпуск 3
Функциональный состав поверхности и сенсорные свойства ZnO, Fe2O3 и ZnFe2O4 (92)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (83)
Год 2014, выпуск 11
Структура и оптические свойства тонких пленок Al2O3, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100) (83)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (77)
Год 2016, выпуск 12
К юбилею главного редактора журнала академика Роберта Арнольдовича Суриса (74)
Год 2015, выпуск 10
Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления (72)
Год 1999, выпуск 10
Время релаксации импульса и температурная зависимость подвижности электронов в полупроводниковых сверхрешетках из слабо взаимодействующих квантовых ям (70)
Год 1997, выпуск 4
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации (68)
Год 2013, выпуск 2
Туннельные полевые транзисторы на основе графена (65)
Год 1998, выпуск 4
Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры О б з о р (60)
Год 2017, выпуск 4
Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния (58)