"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала перевод на английский язык осуществляет компания Pleiades Publishing, Ltd.

Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer Science + Business Media.

Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.


Захарий Фишелевич Красильник - к 70-летию со дня рождения


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2017, выпуск 10
Эффекты локального фотовозбуждения носителей заряда высокой плотности в кремнии (201)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (179)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (163)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (81)
Год 2003, выпуск 10
Нанотранзисторы кремний-на-изоляторе: перспективы и проблемы реализации (68)
Год 2015, выпуск 10
Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления (65)
Год 2017, выпуск 2
Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p-n-перехода (58)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (54)
Год 1998, выпуск 4
Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры О б з о р (53)
Год 2017, выпуск 6
Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP (52)
Год 2013, выпуск 12
Deposition and characterization of molybdenum thin films using DC-plasma magnetron sputtering (51)
Год 2011, выпуск 5
Characteristics Study of 2DEG Transport Properties of AlGaN/GaN and AlGaAs/GaAs-based HEMT (51)
Год 2012, выпуск 5
Термоэлектрическая добротность объемных наноструктурированных композитов с распределенными параметрами (49)
Год 2011, выпуск 11
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов FeIn2S4 (49)
Год 2017, выпуск 3
Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A (48)