"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


Захарий Фишелевич Красильник - к 70-летию со дня рождения

К 70-летию со дня рождения профессора Болотова Валерия Викторовича


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2010, выпуск 1
Влияние температуры роста на свойства прозрачных проводящих пленок ZnO, легированных галлием (273)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (163)
Год 2015, выпуск 10
Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов (107)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (100)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (93)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (87)
Год 2012, выпуск 2
Дифракционные решетки с отражением в высоком порядке для мощных полупроводниковых лазеров (74)
Год 2001, выпуск 3
Электрические и оптические свойства мономерных и полимеризованных фуллеренов О б з о р (70)
Год 2012, выпуск 3
Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений AIIIBV с высокой плотностью дислокаций (70)
Год 2011, выпуск 5
Characteristics Study of 2DEG Transport Properties of AlGaN/GaN and AlGaAs/GaAs-based HEMT (61)
Год 2003, выпуск 9
Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра О б з о р (60)
Год 2004, выпуск 3
Оптические свойства поликристаллического селенида цинка (60)
Год 2002, выпуск 6
Получение алмазных пленок на кристаллическом кремнии методом термического газофазного осаждения (60)
Год 2015, выпуск 10
Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления (60)
Год 1998, выпуск 4
Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры О б з о р (59)