"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


Захарий Фишелевич Красильник - к 70-летию со дня рождения

К 70-летию со дня рождения профессора Болотова Валерия Викторовича


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2010, выпуск 1
Влияние температуры роста на свойства прозрачных проводящих пленок ZnO, легированных галлием (219)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (174)
Год 2017, выпуск 10
Эффекты локального фотовозбуждения носителей заряда высокой плотности в кремнии (86)
Год 2012, выпуск 3
Импульсное лазерное осаждение тонких пленок ITO и их характеристики (78)
Год 2015, выпуск 10
Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления (76)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (75)
Год 2009, выпуск 5
Низкотемпературное получение пленок карбида кремния различных политипов (65)
Год 2016, выпуск 3
Переключение силовых тиристоров импульсом перенапряжения с наносекундным фронтом (63)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (63)
Год 2006, выпуск 3
Теория формирования многослойных тонких пленок на поверхности твердого тела (57)
Год 2018, выпуск 1
Новый механизм реализации омических контактов (55)
Год 2013, выпуск 12
Deposition and characterization of molybdenum thin films using DC-plasma magnetron sputtering (54)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (54)
Год 2001, выпуск 1
Магниточувствительные транзисторы О б з о р (52)
Год 2009, выпуск 4
AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усиления по мощности fmax до 100 ГГц (51)