"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала перевод на английский язык осуществляет компания Pleiades Publishing, Ltd.

Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer Science + Business Media.

Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.


XXI симпозиум (Нижний Новгород)

XIII конференция по физике полупроводников

Конференция в Махачкале

E-MRS Fall Meeting in Warsaw


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (135)
Год 2011, выпуск 12
Оптические свойства наноструктурированных пленок сульфида свинца с кубической структурой типа D03 (125)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (77)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (75)
Год 2011, выпуск 5
Characteristics Study of 2DEG Transport Properties of AlGaN/GaN and AlGaAs/GaAs-based HEMT (66)
Год 2004, выпуск 2
Простая модель для расчета скорости роста эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме (60)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (58)
Год 2004, выпуск 6
Магнитные свойства углеродных структур О б з о р (58)
Год 2008, выпуск 11
Модель термического окисления кремния на фронте объемной реакции (50)
Год 2016, выпуск 10
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si3N4 in situ (50)
Год 2017, выпуск 2
Термоэдс и термомагнитные свойства твердых растворов ErxSn1-xSe (50)
Год 2002, выпуск 6
Получение алмазных пленок на кристаллическом кремнии методом термического газофазного осаждения (49)
Год 2017, выпуск 2
Фотолюминесценция аморфных и кристаллических кремниевых нанокластеров в сверхрешетках из нитрида и оксида кремния (47)
Год 2017, выпуск 2
Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb2Te3 (46)
Год 2013, выпуск 10
Оптические свойства пленок ITO, полученных высокочастотным магнетронным напылением с сопутствующей ионной обработкой (42)