"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


К 90-летнему юбилею академика Российской академии наук Александра Александровича Каплянского

К 80-летнему юбилею Владимира Алексеевича Сабликова


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2003, выпуск 8
Одномодовые быстроперестраиваемые лазеры для диодно-лазерной спектроскопии (110)
Год 2019, выпуск 3
Открытие полупроводников AIIIBV: физические свойства и применение (О б з о р) (101)
Год 2018, выпуск 13
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (lambda=1064 нм) на основе GaInAsP/InP (93)
Год 2016, выпуск 12
Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм (80)
Год 2004, выпуск 6
Магнитные свойства углеродных структур О б з о р (66)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (60)
Год 1989, выпуск 3
Токовая деградация гетероструктур на основе a-Si : H (57)
Год 2001, выпуск 10
Влияние легирования азотом на электрофизические свойства и эрбиевую электролюминесценцию пленок a-Si : H(Er) (51)
Год 1995, выпуск 3
U--центры в селективно легированных гетероструктурах (47)
Год 2021, выпуск 11
Сравнение гетероструктур АIIIВV, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs (47)
Год 2021, выпуск 11
Рентгеноструктурный и дифференциальный сканирующий калориметрический анализ CuInZnSe3 (43)
Год 2010, выпуск 8
Оптические свойства тонких пленок GaSe/n-Si(111) (43)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (43)
Год 2021, выпуск 11
Монополярное умножение горячих носителей заряда в полупроводниках AIIIBV в сильном электрическом поле и бесшумные лавинные фотодиоды (О б з о р) (43)
Год 2008, выпуск 9
Влияние магнитного поля на вольт-амперную характеристику гетероперехода n-GaAs-p-Ge (43)