"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания "Плеадес Паблишинг, Лтд". Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.

Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.


Захарий Фишелевич Красильник - к 70-летию со дня рождения

К 70-летию со дня рождения профессора Болотова Валерия Викторовича


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2017, выпуск 4
Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния (166)
Год 2010, выпуск 1
Влияние температуры роста на свойства прозрачных проводящих пленок ZnO, легированных галлием (99)
Год 2015, выпуск 10
Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов (73)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (72)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (69)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (65)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (62)
Год 2015, выпуск 10
Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления (54)
Год 2014, выпуск 4
Electrical properties of MOS capacitors formed by PEALD grown Al2O3 on silicon (53)
Год 2011, выпуск 5
Characteristics Study of 2DEG Transport Properties of AlGaN/GaN and AlGaAs/GaAs-based HEMT (52)
Год 2014, выпуск 4
Поляризация, вызванная объемными зарядами, и ионная проводимость в кристаллах TlInSe2 (44)
Год 2004, выпуск 3
Оптические свойства поликристаллического селенида цинка (42)
Год 2011, выпуск 10
Ширина запрещенной зоны кристаллов CdTe и Cd0.9Zn0.1Te (39)
Год 2002, выпуск 6
Локальные колебательные моды комплекса кислород--вакансия в германии (39)
Год 2001, выпуск 3
Электрические и оптические свойства мономерных и полимеризованных фуллеренов О б з о р (37)