"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала перевод на английский язык осуществляет компания Pleiades Publishing, Ltd.

Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer Science + Business Media.

Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.


К юбилею нобелевского лауреата академика Жореса Ивановича Алфёрова

К 85-летию академика Александра Александровича Каплянского


Ознакомьтесь с информацией о конференции «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА» ФТТ-2016
Оргкомитет приглашает Вас принять участие в работе конференции. Эта конференция будет проводиться совместно с V Международной научной конференцией «Наноструктурные материалы-2016: Беларусь-Россия-Украина» (НАНО-2016) в Минске в НПЦ НАН Беларуси по материаловедению.

Важные даты:

  • 30 июня 2016 года – окончание приема заявок на участие в конференции и материалов доклада
  • 30 июля 2016 года – рассылка второго информационного сообщения о включении доклада в программу конференции и приглашений
  • 1 октября 2016 года – окончание приема организационного взноса
  • 21 ноября 2016 года – заезд участников конференции и регистрация
  • 22-25 ноября 2016 года – работа конференции
Подробности в приложении.
TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2015, выпуск 5
Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure (152)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (116)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (98)
Год 2011, выпуск 5
Characteristics Study of 2DEG Transport Properties of AlGaN/GaN and AlGaAs/GaAs-based HEMT (93)
Год 2003, выпуск 9
Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра О б з о р (85)
Год 1998, выпуск 11
Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников AIIIBV О б з о р (80)
Год 2004, выпуск 6
Магнитные свойства углеродных структур О б з о р (79)
Год 2007, выпуск 4
Cathodoluminescence study of silicon oxide/silicon interface (75)
Год 2009, выпуск 7
Получение слоев нанокристаллического кремния плазмохимическим осаждением из газовой фазы тетрафторида кремния (74)
Год 2013, выпуск 6
Different properties of aluminum doped zinc oxide nanostructured thin films prepared by radio frequency magnetron sputtering (72)
Год 2016, выпуск 1
Вертикальные гетероструктуры на основе графена и других монослойных материалов (72)
Год 2012, выпуск 10
Failure analysis of electrical-thermal-optical characteristics of LEDs based on AlGaInP and InGaN/GaN (71)
Год 2012, выпуск 3
Evidence of surface states for AlGaN/GaN/SiC HEMTs passivated Si3N4 by CDLTS (71)
Год 2016, выпуск 1
Моделирование бетавольтаического эффекта на кремниевых pin-структурах при облучении beta-источником никель-63 (70)
Год 2004, выпуск 9
Определение времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния по релаксации фотопроводимости, измеренной на сверхвысоких частотах (69)