"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала перевод на английский язык осуществляет компания Pleiades Publishing, Ltd.

Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer Science + Business Media.

Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.


XXI симпозиум (Нижний Новгород)

XIII конференция по физике полупроводников

Конференция в Махачкале

E-MRS Fall Meeting in Warsaw


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 2017, выпуск 4
Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN (217)
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (190)
Год 2011, выпуск 12
Оптические свойства наноструктурированных пленок сульфида свинца с кубической структурой типа D03 (117)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (108)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (99)
Год 2009, выпуск 4
AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усиления по мощности fmax до 100 ГГц (98)
Год 2016, выпуск 10
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si3N4 in situ (89)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (80)
Год 2017, выпуск 4
Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In0.38Ga0.62As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем (79)
Год 1993, выпуск 11
Перколяция тока в полимеро-полупроводниковой структуре (69)
Год 2012, выпуск 5
Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках О б з о р (66)
Год 1998, выпуск 4
Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры О б з о р (61)
Год 2011, выпуск 5
Characteristics Study of 2DEG Transport Properties of AlGaN/GaN and AlGaAs/GaAs-based HEMT (60)
Год 2012, выпуск 7
Бозе-конденсация экситонных поляритонов в микрорезонаторах О б з о р (59)
Год 2017, выпуск 5
Морфология, оптические и адсорбционные свойства слоев оксидов меди, осажденных из растворов комплексных соединений (58)