"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физика и техника полупроводников

Журнал основан в 1967 году.

Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.

Периодичность выхода в свет -- ежемесячно.

ISSN: 0015-3222

Учредителями являются:

По соглашению с учредителями журнала перевод на английский язык осуществляет компания Pleiades Publishing, Ltd.

Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer Science + Business Media.

Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.


К юбилею нобелевского лауреата академика Жореса Ивановича Алфёрова

К 85-летию академика Александра Александровича Каплянского


TOP
Показаны статьи с наибольшим суммарным количеством просмотров абстрактов и полных текстов за последние 2 недели.
Год 1998, выпуск 1
История и будущее полупроводниковых гетероструктур (170)
Год 2015, выпуск 5
Silicon vacancy-related centers in non-irradiated 6H-SiC nanostructure (158)
Год 2004, выпуск 8
Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики (116)
Год 2007, выпуск 11
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р (94)
Год 2005, выпуск 11
Применимость упрощенной модели Шокли--Рида--Холла для полупроводников с различными типами дефектов (78)
Год 2011, выпуск 5
Characteristics Study of 2DEG Transport Properties of AlGaN/GaN and AlGaAs/GaAs-based HEMT (76)
Год 2016, выпуск 1
Моделирование бетавольтаического эффекта на кремниевых pin-структурах при облучении beta-источником никель-63 (75)
Год 2012, выпуск 10
Failure analysis of electrical-thermal-optical characteristics of LEDs based on AlGaInP and InGaN/GaN (63)
Год 2001, выпуск 3
Электрические и оптические свойства мономерных и полимеризованных фуллеренов О б з о р (61)
Год 2005, выпуск 10
Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe (58)
Год 1997, выпуск 4
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации (58)
Год 1996, выпуск 6
К теории рекомбинации Холла--Шокли--Рида (56)
Год 2011, выпуск 12
Оптические свойства наноструктурированных пленок сульфида свинца с кубической структурой типа D03 (56)
Год 1998, выпуск 4
Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры О б з о р (56)
Год 2004, выпуск 6
Магнитные свойства углеродных структур О б з о р (54)