Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1995, выпуск 4
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1995, том 29, выпуск 4
Голикова О.А., Мавлянов Х.Ю., Петров И.Н., Яфаев Р.Р.
Влияние имплантации Si
+
на свойства аморфного гидрированного кремния
577
Караванский В.А., Образцов А.Н.
Комбинационное рассеяние света и фотолюминесценция пористого кремния
582
Алешкин В.Я., Ахлестина С.А., Звонков Б.Н., Звонков Н.Б., Линькова Е.Р., Малкина И.Г., Сафьянов Ю.Н., Ревин Д.Г.
Поляризация сверхлюминесценции и анизотропия оптических потерь в волноводной структуре InGaP/GaAs/InGaP
590
Бебенин Н.Г.
Рассеяние дырок на фононах в ферромагнитном полупроводнике HgCr
2
Se
4
599
Антонова И.В., Шаймеев С.С.
Трансформация радиационных дефектов и их скопление при имплантации ионов B
+
в кремнии
605
Горин А.Е., Ермаков В.Н., Коломоец В.В.
Междолинное перераспределение электронов при ударной ионизации мелких доноров в одноосно деформированном Ge
615
Иванова Г.Н., Касиян В.А., Недеогло Д.Д.
Электрические и люминесцентные свойства монокристаллов n-ZnSe, легированных иттербием
621
Авербух Б.Я., Андрианов А.В., Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Ковалев Д.И., Сресели О.М., Ярошецкий И.Д.
Кинетика и спектральное распределение электролюминесценции структур пористый кремний-металл
627
Мирлин Д.Н., Сиренко А.А., Планель Р.
Резонансное рамановское рассеяние света на интерфейсных фононах в сверхрешетке GaAs/AlAs в сильном магнитном поле
636
Бормонтов Е.Н., Котов С.В., Лукин С.В., Головин С.В.
Исследование поверхностных состояний в МДП структурах методом двухтемпературной полной проводимости
646
Истратов А.А., Вывенко О.Ф.
Глубокие центры в монокристаллах сульфида кадмия: новый метод сопоставления данных DLTS различных авторов
654
Юнусов М.С., Ахмадалиев А., Сабиров С.С.
Процессы образования и отжига радиационных дефектов в p-Si<P,Pt>
665
Яркин Д.Г., Константинова Е.А., Тимошенко В.А.
Особенности оптического поглощения пленок люминесцирующего пористого кремния
669
Ксие И.Х., Германенко И.Н., Воронин В.Ф., Гапоненко С.В.
Фотодеградация пористого кремния при импульсном возбуждении
673
Михайлова М.П., Андреев И.А., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Моисеев К.Д., Яковлев Ю.П.
Гетеропереходы II типа GaInAsSb/InAs
678
Михайлова М.П., Зегря Г.Г., Моисеев К.Д., Тимченко И.Н., Яковлев Ю.П.
Обнаружение электролюминесценции локализованных носителей в одиночных разъединенных гетеропереходах II типа p-GaInAsSb/p-InAs
687
Китык И.В., Фенчак В.Ю., Грабар А.А., Сливка В.Ю.
Зонная структура и оптические спектры сегнетополупроводника Sn
2
P
2
Se
6
697
Букивский П.Н., Гнатенко Ю.П., Рожко А.Х.
Особенности проводимости кристаллов Cd
0.95
Mn
0.05
Te:Co
702
Васько Ф.Т., Гасан-заде С.Г., Стриха М.В., Шепельский Г.А.
=4.5pt -5ptПоляризационно-зависимая фотопроводимость в одноосно-деформированных узкощелевых полупроводниках
708
Юнусов М.С., Ахмадалиев А., Оксенгендлер Б.Л., Бегматов К.А.
О некоторых закономерностях электронного спектра примесных центров d-элементов в кремнии
714
Манько В.С., Андреев В.А., Чащин С.П., Хабибуллин И.Г., Закирова Э.А.
Композиционные покрытия с матрицей из сульфида свинца для фотопроводящих слоев
718
Кадушкин В.И., Капаев В.В., Кучеренко И.В., Подливаев А.И., Руднев И.А., Синченко А.А., Шангина Е.Л.
Особенности вольт-амперной характеристики асимметричной системы квантовых ям GaAs/AlGaAs с широкими барьерами между ними
720
Мальханов С.Е.
Дефектообразование в кремнии при протонном облучении
725
Зимин С.П., Зайкина Р.Ф.
Фотоэлектрические свойства сильно компенсированных пленок сульфида свинца, сформированных при помощи радиационных технологий
729
Андрианов А.В., Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М., Ярошецкий И.Д.
Получение и исследование пористого кремния в порошкообразной форме
733
Тихов С.В.
Применение метода сильносигнальной конденсаторной фотоэдс для определения некоторых параметров
742
Бобренко Ю.Н., Павелец А.М., Павелец С.Ю., Шенгелия Т.Е.
Поверхностно-барьерные структуры CdS с промежуточным тонким варизонным слоем
750
Ушаков А.Ю., Радчук Н.Б., Штеренгас Р.М.
Возбужденные состояния серы и селена в германии
754
Рывкин Б.С., Сурис Р.А.
Разогревная неустойчивость при генерации фотоносителей в потенциальной яме P- i- N-гетероструктуры
757
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук