Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1993, выпуск 4
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1993, том 27, выпуск 4
Глориозова Р.И., Колесник Л.И.
Особенности поведения глубоких центров в особо чистом германии
545
Федотов В.Г., Гатальский Г.В., Трухан В.М.
Влияние радиационного облучения на люминесценцию кристаллов CdP
2
551
Омельяновская Н.М., Краснобаев Л.Я., Федоров В.В.
Влияние постимплантационного отжига на электрофизические свойства слоев кремния, имплантированного фтором
554
Ибрагимова М.И., Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б.
Радиационное распухание и распыление Cd
x
Hg
1-x
Te при имплантации ионов в больших дозах
560
Андреев Б.А., Голубев В.Г., Емцев В.В., Кропотов Г.И., Оганесян Г.А., Шмальц К.
Процессы формирования "новых доноров" при термообработке кремния с различной концентрацией кислорода
567
Дмитриев А.Г.
Твердофазное разложение GaAs при действии лазерного излучения пороговой плотности
583
Бахтурова Л.Ф., Баковец В.В., Долговесова И.П., Аюпов Б.М.
Послойное исследование ионно-имплантированного кремния методами эллипсометрии и избирательного смачивания
588
Алейнер И.Л., Ивченко Е.Л.
Электронные минизоны в сверхрешетках (GaAs)
N
(AlAs)
M
при четном и нечетном M
594
Аверкиев Н.С., Монахов А.М.
Размерное квантование дырок в сложной валентной зоне во внешнем магнитном поле, параллельном поверхности
600
Винник Е.В., Глинчук К.Д., Гурошев В.И., Прохорович А.В.
О природе индуцируемых радиационно-термическим воздействием центров люминесценции в p-GaAs<Zn>
610
Бреслер М.С., Гусев О.Б., Титков А.Н., Чебан В.Н., Яковлев Ю.П., Гулициус Э., Освальд И., Панграц И., Шимечек Т.
Излучательная рекомбинация на гетеропереходе II-типа n-GaInAsSb/N-GaSb
615
Валь А., Кузьма М., Поцяск М., Шерегий Е.М.
Распределение концентрации ртути при импульсном лазерном отжиге Cd
x
Hg
1-x
Te
622
Ахиезер И.Т., Гуревич Ю.Г., Закиров Н.
Геометрия образца и гальваномагнитные эффекты в полупроводниках
628
Расулов Р.Я., Ганиев У.У., Сидикова X.А.
Теория фотогальванических эффектов в кристаллах со сложной зонной структурой при двухфотонном поглощении света
635
Джумамухамбетов Н.Г., Дмитриев А.Г.
Температурная зависимость фотолюминесценции модифицированных кристаллов InP<Sn>
641
Быстров С.Д., Крещук А.М., Новиков С.В., Полянская Т.А., Савельев И.Г.
Квантовое и классическое времена релаксации и свойства гетерограницы в селективно легированных гетероструктурах InP/In
0.53
Ga
0.47
As
645
Клюканов А.А., Балмуш Н.И.
Поглощение инфракрасного излучения электронной плазмой при рассеянии на примесях и плазмон-фононных возбуждениях в полупроводниках
655
Дашевский 3.М., Руленко М.П.
Эффект увеличения диффузионной длины носителей заряда в поликристаллических пленках PbTe
662
Евстропов В.В., Жиляев Ю.В., Назаров Н., Сергеев Д.В., Федоров Л.М.
Электролюминесценция эпитаксиальных GaP p-n-структур, выращенных на Si-подложках
668
Дроздова И.А., Ембергенов Б., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В.
Влияние подвижных дефектов на характеристики контакта металл-полупроводник в кристаллах CdS
674
Кульбачинский В.А., Ковалюк М.3., Пырля М.Н.
Влияние интеркалирования Li и Ba на электрофизические свойства InSe
677
Архипов В.И., Перова И.А.
"Вспышечная" кинетика радиационного заряжения в неупорядоченных диэлектриках
682
Плюхин А.В.
Дисперсионный перенос в неупорядоченных органических полупроводниках
688
Васько Ф.Т., Солдатенко Ю.Н.
Индуцируемые током добавки в эффективной диэлектрической проницаемости неоднородных полупроводниковых сплавов
695
Вейс А.Н., Рыданов А.Ю., Суворова Н.А.
Энергетический спектр PbTe<Zn
+
> по данным оптического поглощения
701
Емцев В.В., Машовец Т.В., Михнович В.В.
Аннигиляция пар Френкеля в полупроводниках
708
Никулина К.И., Ирха В.И., Шнайдер И.П.
Увеличение фотопроводимости в магнитном поле
712
Цыпишка Д.И., Иванов-Омский В.И., Георгицэ Е.И., Гуцуляк Л.М., Миронов К.Е.
Фотовозбуждение мелких акцепторов в Cd
x
Hg
1-x
Te
714
Кязым-заде А. Г.
Теория протекания и переход Мотта в легированных полупроводниках
717
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук