"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Распределение концентрации ртути при импульсном лазерном отжиге CdxHg1-xTe
Валь А.1, Кузьма М.1, Поцяск М.1, Шерегий Е.М.1
1Институт физики Высшей педагогической школы, 35-310, Жешув, Польша
Выставление онлайн: 19 марта 1993 г.

Рассчитаны пространственно-временные распределения температуры, градиента температуры и концентрации ртути в эпитаксиальном слое CdxHg1-xTe под действием импульсов излучения лазера на 1.06 мкм. Распределение концентрации определялось с учетом дополнительных потоков за счет увеличения атомов ртути фононами при наличии градиента температуры (фононный ветер). Приведены распределения концентрации примеси при различной длительности импульсов. Показано, что наибольший эффект достигается при сравнительно длительных (~250 мкс) импульсах лазерного излучения, а также при их многократном повторении.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.