Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2003, выпуск 12
<<<
Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, выпуск 12
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Александров О.В., Николаев Ю.А., Соболев Н.А., Asomoza R., Kudriavtsev Yu., Villegas A., Godines A.
Перераспределение иттербия и кислорода при отжиге аморфизованных имплантацией слоев кремния
1409
Электронные и оптические свойства полупроводников
Немов С.А., Серегин П.П., Кожанова Ю.В., Серегин Н.П.
Двухэлектронные центры олова, образующиеся в халькогенидах свинца в результате ядерных превращений
1414
Косяченко Л.А., Марков А.В., Маслянчук Е.Л., Раренко И.М., Склярчук В.М.
Особенности электропроводности монокристаллов Cd
1-x
Zn
x
Te и Cd
1-x
Mn
x
Te
1420
Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Андреев Б.А., Крыжков Д.И., Теруков Е.И., Кудоярова В.Х.
Фотолюминесценция в области 1.5 мкм механически обработанных слоев монокристаллического кремния
1427
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Бирюлин В.П., Дудко С.А., Коновалов С.А., Пелевин Ю.А., Туринов В.И.
Исследование границы раздела ZnS-CdHgTe
1431
Махний В.П., Янчук А.И.
Механизмы формирования фототока в гетеропереходах In
2
O
3
-InSe
1435
Низкоразмерные системы
Шелых И.А., Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е.
Спиновая деполяризация в спонтанно поляризованных низкоразмерных системах
1438
Гаджиев Г.М., Голубев В.Г., Заморянская М.В., Курдюков Д.А., Медведев А.В., Merz J., Mintairov A., Певцов А.Б., Селькин А.В., Травников В.В., Шаренкова Н.В.
Фотонные кристаллы на основе композитов опал-GaP и опал-GaPN: получение и оптические свойства
1449
Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Талалаев В.Г., Новиков Б.В., Егоров В.А., Поляков Н.К., Самсоненко Ю.Б., Устинов В.М., Zakharov N.D., Werner P.
Фотолюминесценция при комнатной температуре в диапазоне 1.5-1.6 мкм от наногетероструктур InGaAs / GaAs, выращенных при низкой температуре подложки
1456
Жуков А.Е., Васильев А.П., Ковш А.Р., Михрин С.С., Семенова Е.С., Егоров А.Ю., Одноблюдов В.А., Малеев Н.А., Никитина Е.В., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Алфёров Ж.И.
Лазерная генерация на длине волны 1.5 мкм в структурах с квантовыми точками на подложках GaAs
1461
Физика полупроводниковых приборов
Гребенщикова Е.А., Именков А.Н., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Черняев А.В., Власенко Н.В., Яковлев Ю.П.
Свойства светодиодов на основе GaSb, полученных путем химической огранки подложечной части светодиодных кристаллов
1465
Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Станкевич А.Л., Фетисова Н.В., Шамахов В.В., Тарасов И.С.
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на 780 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии
1473
Рожков А.В., Козлов В.А.
Пикосекундные высоковольтные дрейфовые диоды на основе арсенида галлия
1477
Козлов В.А., Рожков А.В., Кардо-Сысоев А.Ф.
Ударно-ионизационный волновой пробой и генерация пикосекундных сверхширокополосных и сверхвысокочастотных импульсов в дрейфовых диодах на основе GaAs с резким восстановлением
1480
Персоналии
Владимир Иделевич Перель (к семидесятипятилетию со дня рождения )
1482
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme