"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Перераспределение иттербия и кислорода при отжиге аморфизованных имплантацией слоев кремния
Александров О.В.1, Николаев Ю.А.2, Соболев Н.А.2, Asomoza R.3, Kudriavtsev Yu.3, Villegas A.3, Godines A.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Seccion de Electronica del Estado Solido, Cinvestav-IPN, Av. IPN # Mexico D.F.
Поступила в редакцию: 29 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

Исследовано перераспределение иттербия и кислорода в слоях кремния, имплантированных ионами Yb+ с энергией 1 МэВ и дозой 1·1014 см-2, превышающей порог аморфизации, а также ионами O+ с энергией 135 кэВ и дозой 1·1015 см-2, после отжигов при 620 и 900oC. Перераспределение Yb обусловлено сегрегацией на границе между аморфным и монокристаллическим слоями при твердофазной эпитаксиальной перекристаллизации скрытого аморфизованного слоя. Перераспределение кислорода и его накопление в областях с максимальной концентрацией Yb связано с диффузией кислорода и образованием комплексов YbOn с n, изменяющимся от 1 до 6. Определены параметры зависимости коэффициента сегрегации Yb от толщины перекристаллизационного слоя и параметры образования YbOn-комплексов.
  • J.S. Custer, A. Polman, H.M. Pinxteren. J. Appl. Phys., 75, 2809 (1994)
  • О.В. Александров, Ю.В. Николаев, Н.Н. Соболев. ФТП, 32, 1420 (1998)
  • О.В. Александров, Ю.В. Николаев, Н.Н. Соболев. ФТП, 33, 114 (1999)
  • О.В. Александров, Ю.В. Николаев, Н.Н. Соболев, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Ю.А. Кудрявцев. ФТП, 33, 652 (1999)
  • О.В. Александров, Ю.В. Николаев, Н.Н. Соболев. ФТП, 34, 3 (2000)
  • P.N. Favenec, H.L'Haridon, D. Mountonnet, M. Salvi, M. Gauneau. Jap. J. Appl. Phys., 29, L524 (1990)
  • D.L. Adler, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, M.A. Marcus, J.L. Benton, J.M. Poate, P.H. Citrin. Appl. Phys. Lett., 61, 2181 (1992)
  • A. Terrasi, G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, F.D'Acapito, S. Mobilio. Appl. Phys. Lett., 70, 1712 (1997)
  • В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, Е.И. Теруков, М.М. Мездрогина. ФТП, 32, 708 (1998)
  • J.D. Carrey, R.C. Barklie, J.F. Donegan, F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa. Phys. Rev. B, 59, 2773 (1999)
  • X. Duan, J. Palm, B. Zheng, M. Morse, J. Michel, L.C. Kimerling. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 422, 249 (1997)
  • M. Hashimoto, A. Yanaza, H. Harima, H. Katayama-Yoshida. Physica B, 308--310, 378 (2001)
  • J. Michel, L.V. Assali, M.T. Morse, L.C. Kimerling. Semicond. Semimet., 49, 111 (1998)
  • R.A. Devine, D. Mathiot, W.L. Warren, B. Asper. J. Appl. Phys., 79, 2302 (1996)
  • G.L. Olson, J.A. Roth. Solid phase epitaxy, ch. 7. In: Handbook of crystal growth, ed. by D.T.J. Hurle (1994), v. 3, p. 257
  • V.I. Vdovin, T.G. Yugova, N.A. Sobolev, E.I. Shek, M.I. Makovijchuk, E.O. Parshin. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 147, 116 (1999)
  • R.N. Kyutt, N.A. Sobolev, Yu.A. Nikolaev, V.I. Vdovin. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 173, 319 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.