"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Перераспределение иттербия и кислорода при отжиге аморфизованных имплантацией слоев кремния
Александров О.В.1, Николаев Ю.А.2, Соболев Н.А.2, Asomoza R.3, Kudriavtsev Yu.3, Villegas A.3, Godines A.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Seccion de Electronica del Estado Solido, Cinvestav-IPN, Av. IPN # Mexico D.F.
Поступила в редакцию: 29 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

Исследовано перераспределение иттербия и кислорода в слоях кремния, имплантированных ионами Yb+ с энергией 1 МэВ и дозой 1·1014 см-2, превышающей порог аморфизации, а также ионами O+ с энергией 135 кэВ и дозой 1·1015 см-2, после отжигов при 620 и 900oC. Перераспределение Yb обусловлено сегрегацией на границе между аморфным и монокристаллическим слоями при твердофазной эпитаксиальной перекристаллизации скрытого аморфизованного слоя. Перераспределение кислорода и его накопление в областях с максимальной концентрацией Yb связано с диффузией кислорода и образованием комплексов YbOn с n, изменяющимся от 1 до 6. Определены параметры зависимости коэффициента сегрегации Yb от толщины перекристаллизационного слоя и параметры образования YbOn-комплексов.
  1. J.S. Custer, A. Polman, H.M. Pinxteren. J. Appl. Phys., 75, 2809 (1994)
  2. О.В. Александров, Ю.В. Николаев, Н.Н. Соболев. ФТП, 32, 1420 (1998)
  3. О.В. Александров, Ю.В. Николаев, Н.Н. Соболев. ФТП, 33, 114 (1999)
  4. О.В. Александров, Ю.В. Николаев, Н.Н. Соболев, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Ю.А. Кудрявцев. ФТП, 33, 652 (1999)
  5. О.В. Александров, Ю.В. Николаев, Н.Н. Соболев. ФТП, 34, 3 (2000)
  6. P.N. Favenec, H.L'Haridon, D. Mountonnet, M. Salvi, M. Gauneau. Jap. J. Appl. Phys., 29, L524 (1990)
  7. D.L. Adler, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, M.A. Marcus, J.L. Benton, J.M. Poate, P.H. Citrin. Appl. Phys. Lett., 61, 2181 (1992)
  8. A. Terrasi, G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, F.D'Acapito, S. Mobilio. Appl. Phys. Lett., 70, 1712 (1997)
  9. В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, Е.И. Теруков, М.М. Мездрогина. ФТП, 32, 708 (1998)
  10. J.D. Carrey, R.C. Barklie, J.F. Donegan, F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa. Phys. Rev. B, 59, 2773 (1999)
  11. X. Duan, J. Palm, B. Zheng, M. Morse, J. Michel, L.C. Kimerling. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 422, 249 (1997)
  12. M. Hashimoto, A. Yanaza, H. Harima, H. Katayama-Yoshida. Physica B, 308--310, 378 (2001)
  13. J. Michel, L.V. Assali, M.T. Morse, L.C. Kimerling. Semicond. Semimet., 49, 111 (1998)
  14. R.A. Devine, D. Mathiot, W.L. Warren, B. Asper. J. Appl. Phys., 79, 2302 (1996)
  15. G.L. Olson, J.A. Roth. Solid phase epitaxy, ch. 7. In: Handbook of crystal growth, ed. by D.T.J. Hurle (1994), v. 3, p. 257
  16. V.I. Vdovin, T.G. Yugova, N.A. Sobolev, E.I. Shek, M.I. Makovijchuk, E.O. Parshin. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 147, 116 (1999)
  17. R.N. Kyutt, N.A. Sobolev, Yu.A. Nikolaev, V.I. Vdovin. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 173, 319 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.