Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А.

О возможность спинодального распада в переходном слое гетероструктуры на основе политипов карбида кремния

Персоналии

Памяти Михаила Николаевича Заргарьянца 10.07.1933-11.10.2013 [3mm]

142

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А.

О возможности спинодального распада в переходном слое гетероструктуры на основе политипов карбида кремния

721

Электронные свойства полупроводников

Боднарь И.В., Труханов С.В.

Магнитные свойства монокристаллов твердых растворов (FeIn₂S₄)_1-x(CuIn₅S₈)_x

725

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Миргородский И.В., Головань Л.А., Тимошенко В.Ю., Семенов А.В., Пузиков В.М.

Люминесцентные свойства тонких нанокристаллических пленок карбида кремния, изготовленных прямым ионным осаждением

731

Соболев В.В., Соболев В.Вал., Анисимов Д.В.

Оптические свойства и электронная структура диодида ртути

736

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Макара В.А., Стебленко Л.П., Коротченков О.А., Надточий А.Б., Калиниченко Д.В., Курилюк А.Н., Кобзарь Ю.Л., Крит А.Н., Науменко С.Н.

Изменение зарядового и дефектно-примесного состояния кремния для солнечной энергетики под воздействием магнитного поля

742

Божко В.В., Новосад А.В., Парасюк О.В., Вайнорюс Н., Сакавичюс А., Янонис В., Кажукаускас В., Чичурин А.В.

Особенности низкотемпературной электро- и фотопроводимости твердых растворов CuInSe₂-ZnIn₂Se₄

747

Романов В.В., Байдакова М.В., Моисеев К.Д.

Эпитаксиальные слои InAsSbP с предельным содержанием фосфора, изоморфные с подложкой InAs

753

Калыгина В.М., Новиков В.А., Петрова Ю.С., Толбанов О.П., Черников Е.В., Цупий С.Ю., Яскевич Т.М.

Свойства пленок TiO₂ на кремниевых подложках

759

Крылов П.Н., Закирова Р.М., Федотова И.В.

Влияние ионно-лучевой обработки в процессе реактивного высокочастотного магнетронного распыления на макронапряжения ITO пленок

763

Аскеров Б.М., Фигарова С.Р., Гусейнов Г.И., Фигаров В.Р.

Магнитосопротивление в слоистых полупроводниках при рассеянии на ионах примеси в параллельном магнитном поле

768

Григорьева Н.Р., Егоров А.Ю., Зайцев Д.А., Никитина Е.В., Сейсян Р.П.

Оценка качества эпитаксиальных слоев GaAs и их интерфейсов посредством анализа спектров экситонного поглощения

774

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Головинский П.А.

Влияние эффекта Штарка на резонансный перенос возбуждения между квантовыми точками

781

Якушев М.В., Варавин В.С., Ремесник В.Г., Марин Д.В.

Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) большой площади для матричных ИК фотоприемников коротковолнового спектрального диапазона

788

Конин А.

Влияние концентрации неравновесных носителей заряда на эдс Холла в полупроводнике p-типа

793

Катеринчук В.Н., Кудринский З.Р., Ковалюк З.Д.

Коэффициент фотоплеохроизма и его температурная динамика в гетеропереходах собственный оксид--p-InSe

797

Матухин В.Л., Шульгин Д.А., Шмидт С.В., Теруков Е.И.

Особенности спин-решеточной релаксации ядерных спинов ^63,65Cu в полупроводниковом соединении CuAlO₂

801

Венгренович Р.Д., Иванський Б.Д., Стасик М.О., Панько И.И.

К распределению по размерам в трехмерных квантовых точечных кристаллах

805

Божевольнов В.Б., Яфясов А.М., Миайловский В.Ю., Егорова Ю.В., Соколов А.А., Филатова Е.О.

Электрофизические свойства многослойной структуры SiC - Si

814

Алекберов Р.И., Исаев А.И., Мехтиева С.И., Исаева Г.А.

Роль атомов самария в формировании структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников As-Se-S

818

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Алекберов Р.И., Мехтиева С.И., Исаева Г.А., Исаев А.И.

Комбинационное рассеяние света в халькогенидных стеклообразных полупроводниках As-Se-S и As-Se-Te

823

Углеродные системы

Антонова И.В., Голод С.В., Соотс Р.А., Комонов А.И., Селезнев В.А., Сергеев М.А., Володин В.А., Принц В.Я.

Сравнение разных способов переноса графена и мультиграфена, выращенных методом химического газофазного осаждения, на изолирующую подложку SiO₂/Si

827

Физика полупроводниковых приборов

Tsai Jung-Hui, Lee Ching-Sung, Chiang Chung-Cheng, Chao Yi-Ting

Comparative investigation of InP/InGaAs heterostructure-emitter tunneling and superlattice bipolar transistors

833

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Дорохин М.В., Кудрин А.В.

Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs

839

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Гранкин М.В., Бажин А.И., Гранкин Д.В.

Диффузионный механизм роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов с участием горячих атомов

845

Ивина Н.Л., Орлов Л.К.

Особенности двухкомпонентного распада молекул моносилана на поверхности кремния в условиях эпитаксиального процесса

852

Персоналии

Памяти Михаила Николаевича Заргарьянца 10.07.1933-11.10.2013

862

Учредители

Издатель