Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1994, выпуск 11
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1994, том 28, выпуск 11
Вагидов Н.З., Грибников З.С., Коршак А.Н.
Баллистические токи в тонких полупроводниковых пленках
1873
Карымшаков Р.К.
Об оптической активности полупроводниковых кристаллов CdSnAs
2
и CdGeP
2
1884
Кадушкин В.И., Кульбачинский В.А., Богданов Е.В., Сеничкин А.П.
Вольт-амперные характеристики структур с дельта-легированием оловом вицинальных граней GaAs
1889
Тодуа П.А., Роде Д.В.
Электрофизические свойства перехода металл--[ленгмюровская пленка фторированного полимера]--сульфид кадмия
1896
Варданян Г.А., Петросян П.Г., Григорян Л.Н.
Оптическое пропускание композитных пленок SiO
2
/Si, полученных методом лазерного напыления
1901
Белявский В.И., Капустин Ю.А., Колокольникова Г.К.
Дефекты с глубокими уровнями, образующиеся при механической обработке поверхности и импульсной фотонной обработке кремния
1906
Зайкина Р.Ф., Зимин С.П., Сарсембинов Ш.Ш., Бочкарева Л.В.
Электрофизические свойства пленок сульфида свинца, подвергнутых радиационным воздействиям
1916
Мнацаканов Т.Т., Поморцева Л.И., Яковлев Д.Г.
Оценка эффективного уменьшения ширины запрещенной зоны в сильно легированных слоях кремниевых структур
1922
Кучинский П.В., Ломако В.М., Шахлевич Л.Н.
Особенности возникновения и свойства дефектов в n-кремнии после облучения и последующего термического отжига
1928
Журавлев К.С., Принц В.Я., Лубышев Д.И., Семягин Б.Р., Мигаль В.П., Гилинский А.М.
Электронные свойства буферных слоев GaAs, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температурах роста от 360 до 640
o
C
1937
Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Пономарев А.Н.
<<Эффект резервуара>> при термической делокализации носителей заряда у межфазной границы кремний--окисел
1947
Мордовец Н.А., Котельников И.Н.
Влияние нетермализованных электронов на фотопроводимость гетероструктур GaAs/AlGaAs при циклотронном резонансе
1960
Голикова О.А.
Сдвиги уровня Ферми и параметры электропереноса аморфного гидрированного кремния
1965
Никольский Ю.А.
Отрицательная фотопроводимость в пленках n-InSb
1972
Ашмонтас С., Градаускас И., Науджюс К., Ширмулис Э.
Фотоотклик p-n-структур на основе InSb при освещении излучением CO
2
-лазера
1975
Лебедев А.А.
Перезарядка глубоких уровней накопленными при инжекции неосновными носителями тока
1980
Пихтин Н.А., Тарасов И.С., Иванов М.А.
Особенности спектральных характеристик мощных инжекционных гетеролазеров на основе четверных твердых растворов InGaAsP
1983
Эмиров Ю.Н., Сафаралиев Г.К., Ашурбеков С.А., Курбанов М.К.
Фотолюминесценция гетерограницы (SiC)
1-x
(AlN)
x
-SiC
1991
Соболев Н.А., Бреслер М.С., Гусев О.Б., Макавийчук М.И., Паршин Е.О., Шек Е.И.
Влияние условий отжига на интенсивность фотолюминесценции в Si:Er
1995
Воронина Т.И., Джуртанов Б.Е., Лагунова Т.С., Яковлев Ю.П.
Электрические свойства твердых растворов GaAlSb и GaAlSbAs
2001
Боднарь, И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Фотоэлектрические свойства поверхностного-барьерных структур In/ p-CuGaS
2
2007
Рудь Ю.В., Рудь В.Ю., Боднарь И.В., Березуцкий Л.Г.
Фотовольтаический эффект в структурах In/ p-AgGaS
2
2014
Ермолаев О.П.
Электрическая активность примесей в трансмутационно легированном германии
2021
Абросимова В.Н., Аветисян Л.Ф., Вяткин А.Ф., Дубровский Ю.В., Пустовит А.Н.
Быстрая термическая диффузия цинка в гетероструктуру GaAs/Al
x
Ga
1-x
As /GaAs
2030
Дубровский Ю.В., Ларкин И.А., Морозов С.В., Ханин Ю.Н., Андерссон Т.Г.
Последовательная эмиссия оптических фононов баллистическими электронами в гетероструктурах с одиночным барьером
2036
Зайцева Т.Н., Колин Н.Г., Кухто О.Л., Нарочный К.Н., Нойфех А.И.
Быстрый термический отжиг полуизолирующего GaAs, облученного реакторными нейтронами
2041
Александров-=SUP=-*-=/SUP=- О.В., Емцев В.В., Полоскин Д.С., Соболев Н.А., Шек Е.И.
Мелкие акцепторные центры, образующиеся при диффузии эрбия в кремний
2045
Андронов А.Н., Баграев Н.Т., Клячкин Е.Л., Робозеров С.В., Фараджев Н.С.
Электронно-лучевая диагностика приповерхностных квантово-размерных p-n-переходов в кремнии
2049
Давидюк Г.Е., Богданюк Н.С., Шаварова А.П.
Дозовая зависимость интенсивности зеленой люминесценции монокристаллов сульфида кадмия при облучении электронами с E= 1.2 МэВ
2056
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук