Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Последовательная эмиссия оптических фононов баллистическими электронами в гетероструктурах с одиночным барьером

Дубровский Ю.В.¹, Ларкин И.А.¹, Морозов С.В.¹, Ханин Ю.Н.¹, Андерссон Т.Г.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Поступила в редакцию: 12 мая 1994 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально обнаружены фононные реплики, связанные с испусканием LO-фононов баллистическими электронами на длине порядка 60 нм. Измерения проводились на симметричных гетероструктурах GaAs/AlAs/GaAs с единичным туннельным барьером и слабо легированным GaAs-спейсером. Инжектированные через туннельный гетеробарьер электроны преодолевают область слаболегированного спейсера баллистически. Магнитное поле, приложенное перпендикулярно направлению тока, подавляет фононные реплики. Предложена простая модель для объяснения экспериментальных результатов.

T.W. Hickmott, P.M. Solomon, F.F. Fang, F. Stern, R. Fischer, H. Morkoc. Phys. Rev. Lett., \bf 52, 2053 (1984)
P.S.S. Guimaraes, D.C. Tailor, B.R. Snell, L. Eaves, K.E. Singer, G. Hill, M.A. Pate, G.A. Toomb, F.W. Sheard. J. Phys. C., \bf 18, L605 (1985)
L. Eaves, P.S.S. Guimaraes, F.W. Shead, B.R. Snell, D.C. Taylor, G.A.Toombs, K.E. Singer. J. Phys. C., \bf 18, L885 (1985)
J.P. Leburton. Phys. Rev. B, 31, 4080 (1985)
E.S. Hellman, J.S. Harris. Phys. Rev. B., \bf 33, 8284 (1986)
A. Grinberg, S. Luryi. Phys. Rev. B., \bf 42, 1705 (1990)
P. Thomas, H.J. Queisser. Phys. Rev., 175, 983 (1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель