Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1999, выпуск 7
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, выпуск 7
Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Лебедев А.А.
Влияние собственных дефектов на политипизм SiC
769
Мастеров В.Ф., Бондаревский С.И., Насрединов Ф.С., Серегин Н.П., Серегин П.П.
Антиструктурные дефекты в полупроводниках типа PbTe
772
Электронные и оптические свойства полупроводников
Колин Н.Г., Меркурисов Д.И., Соловьев С.П.
Электрофизические свойства ядерно-легированного антимонида индия
774
Жиляев Ю.В., Криволапчук В.В., Сафронов И.Н.
Исследование поляризованной фотолюминесценции толстых эпитаксиальных слоев GaN
778
Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Моисеев К.Д., Розов А.Е., Сиповская М.А., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П.
Электрофизические свойства эпитаксиального арсенида индия и узкозонных твердых растворов на его основе
781
Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Немов С.А., Серегин П.П., Серегин Н.П.
Энергия Хаббарда для двухэлектронных центров олова в твердых растворах PbS
1-z
Te
z
789
Цацульников А.Ф., Бер Б.Я., Карташова А.П., Кудрявцев Ю.А., Леденцов Н.Н., Лундин В.В., Максимов М.В., Сахаров А.В., Усиков А.С., Алфёров Ж.И., Hoffmann A.
Исследование слоев GaN, легированных атомами As, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
791
Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Рожков В.А., Шалимова М.Б.
Фотоэлектрические явления в переключающих кремниевых структурах с фторидами редкоземельных элементов
795
Рудь В.Ю., Рудь-=SUP=-*-=/SUP=- Ю.В.
Создание и свойства гетероструктур In
2
O
3
/CdS/CuInSe
2
801
Боднарь И.В., Гременок В.Ф., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Получение и исследование гетеропереходов AgIn
5
S
8
/ (InSe, GaSe)
805
Козловский В.И., Крыса А.Б., Садофьев Ю.Г., Турьянский А.Г.
Эпитаксиальные слои ZnTe и квантовые ямы CdZnTe/ZnTe, выращенные молекулярно-пучковой эпитаксией на подложках GaAs (100) c использованием твердофазной кристаллизации затравочного аморфного слоя ZnTe
810
Резников Б.И.
Распределение электрического поля в высокоомных полупроводниковых МПМ структурах, освещаемых немонохроматическим светом
815
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Гременок В.Ф., Викторов И.А., Бекимбетов Р.Н., Боднарь И.В., Криволап Д.Д.
Гетеропереходы на основе тонких пленок CuIn
x
Ga
1-x
Te
2
824
Низкоразмерные системы
Синявский Э.П., Соковнич С.М.
Внутризонное поглощение света в квазидвумерных системах во внешних электрическом и магнитном полях
828
Ипатова И.П., Маслов А.Ю., Прошина О.В.
Поляронное состояние в квантовой точке для частицы с вырожденным зонным спектром
832
Кульбачинский В.А., Кытин В.Г., Лунин Р.А., Мокеров В.Г., Сеничкин А.П., Бугаев А.С., Карузский А.Л., Пересторонин А.В., van Schaijk R.T.F., de Visser A.
Транспортные и оптические свойства delta-легированных оловом GaAs-структур
839
Георгиевский А.М., Зайцев С.В., Гордеев Н.Ю., Копчатов В.И., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Копьев П.С.
Коллективные резонансы и форм-фактор однородного уширения спектров излучения квантово-размерных полупроводниковых гетероструктур
847
Андронов А.Н., Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Маляренко А.М., Робозеров С.В.
Радиационная проводимость в самоупорядоченных кремниевых квантовых ямах
851
Винокуров Д.А., Капитонов В.А., Коваленков О.В., Лившиц Д.А., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Алфёров Ж.И.
Самоорганизующиеся наноразмерные кластеры InP в матрице InGaP/GaAs и InAs в матрице InGaAs/InP
858
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Васильев И.А, Шутов С.Д.
Релаксация фотоемкости в аморфных пленках As
2
Se
3
863
Казакова Л.П., Цэндин К.Д.
Изменение концентрации U
-
-центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы Se--As при легировании металлами и галогенами
866
Физика полупроводниковых приборов
Осипов В.В., Селяков А.Ю., Foygel M.
Теория фоторезисторов на основе трапецеидальных delta-легированных сверхрешеток
870
Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Лантратов В.М., Оболенский О.И., Петелина Т.В., Поссе Е.А., Шварц М.З.
Сравнение температурных зависимостей квантовой эффективности фотоэлектропреобразования p-n-структур и диодов Шоттки на основе GaAs
876
Гук Е.Г., Подласкин Б.Г., Токранова Н.А., Воронков В.Б., Козлов В.А.
Создание методом твердофазного прямого сращивания отдельных p-n-переходов, разделенных изолирующим слоем
880
Рывкин Б.С., Георгиевский А.М.
Селекция поляризации излучения при разогреве носителей тока в лазерах с вертикальным резонатором, излучающих через поверхность
887
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme