"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Самоорганизующиеся наноразмерные кластеры InP в матрице InGaP/GaAs и InAs в матрице InGaAs/InP
Винокуров Д.А.1, Капитонов В.А.1, Коваленков О.В.1, Лившиц Д.А.1, Соколова З.Н.1, Тарасов И.С.1, Алфёров Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 января 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений получены массивы напряженных наноразмерных кластеров двух типов: InP в матрице In0.49Ga0.51P на подложке GaAs (100) и InAs в матрице In0.53Ga0.47As на подложке InP (100). Проведено исследование их структурных и фотолюминесцентных свойств. Показано, что образующиеся наноразмерные кластеры имеют размеры 80 нм (InP/InGaP) и 25/60 нм (InAs/InGaAs). В спектрах фотолюминесценции полученных наноразмерных кластеров наблюдались полосы в диапазонах длин волн 0.66/0.72 и 1.66/1.91 мкм при 77 K, положение максимума которых не изменялось с увеличением эффективной толщины InP и InAs. Эффективность излучения наноразмерных кластеров InP на 2 порядка превосходила интенсивность излучения кластеров InAs.
  • Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  • O.V. Kovalenkov, D.A. Vinokurov, D.A. Livshits, I.S. Tarasov, N.A. Bert, S.G. Konnikov, Zh.I. Alferov. Proc. 23rd Int. Symp. Compound Semicond. (St. Petersburg, 1996) [Inst. Phys. Conf. Ser., N 155, Ch. 3, p. 271]
  • Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, О.В. Коваленков, Д.А. Лившиц, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 24(16), 1 (1998)
  • W. Seifert, N. Carlsson, M.-E. Pistol, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 75, 2968 (1995)
  • O.V. Kovalenkov, I.S. Tarasov, D.A. Vinokurov, V.A. Kapitonov. Abstracts Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 1998) p. 268
  • В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, М.В. Максимов, А.А. Суворова, Н.А. Берт, П.С. Копьев. ФТП, 31, 1256 (1997)
  • В.М. Устинов, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Б.В. Воловик, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров. Письма ЖТФ, 24, 49 (1998)
  • M. Taskinen, M. Sopanen, H. Lipsanen, J. Tulkki, T. Tuomi, J. Ahopelto. Surf. Sci., 376, 60 (1997)
  • S. Adachi. Physical Properties of III--V Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons Inc., 1992)
  • V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 75, 2968 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.