Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1988, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 5
Журавлев К.С., Терехов А.С., Якушева Н.А.
Фотолюминесценция комплексов в эпитаксиальном p-GaAs, сильно легированном германием
777
Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Заяц А.В., Левит А.Д.
Влияние слабых электрических полей на фоточувствительность и люминесценцию CdS в краевой области спектра
780
Ивченко Е.Л., Копьев П.С., Кочерешко В.П., Уральцев И.Н., Яковлев Д.Р., Иванов С.В., Мельцер Б.Я., Калитиевский М.А.
Отражение в экситонной области спектра структуры с одиночной квантовой ямой. Наклонное и нормальное падение света
784
Андрушко А.И., Салихов Х.М., Слободчиков С.В., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.
О механизмах рекомбинации носителей тока в p-InAs
1-x-y
Sb
x
P
y
789
Горфинкель В.Б., Шофман С.Г.
Описание переноса электронов в гетероструктурах с селективным легированием с помощью уравнений баланса
793
Матвеев Г.А., Цидильковский И.М., Лончаков А.Т., Брандт Н.Б., Кульбачинский В.А.
Низкотемпературные особенности явлений переноса в n-Ge вблизи перехода металл--диэлектрик
799
Квасов Н.Т., Ионикас Л.Ю., Ярашюнас К.Ю.
Исследование кинетики упорядочения дефектно-примесной системы кремния
806
Охонин С.А., Погосов А.Г., Французов А.А.
Исследование туннелирования электронов в МОП структурах в области перехода от трапецеидального барьера к треугольному
811
Качабеков М.М., Юнович А.Э.
Влияние примесей водорода и азота на люминесценцию эпитаксиальных пленок теллурида свинца
815
Колодин Л.Г., Мукашев Б.Н., Смирнов В.В., Чихрай Е.В.
Диффузия радиационных дефектов из области упругого торможения ионов фосфора в кремнии
821
Явид В.Ю.
Определение параметров рекомбинационных центров посредством дифференциального анализа температурных зависимостей времени жизни неосновных носителей заряда
824
Кисин М.В., Петросян В.И.
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
829
Итальянцев А.Г., Курбаков А.И., Мордкович В.Н., Рубинова Э.Э., Темпер Э.М., Трунов В.А.
Влияние нейтронного облучения и отжига на свойства кремния, легированного германием
834
Лончаков А.Т., Цидильковский И.М., Матвеев Г.А.
Термоэдс n-Ge вблизи перехода металл--диэлектрик
839
Берман Л.С., Маляренко А.М., Ременюк А.Д., Суханов В.Л., Толстобров М.Г.
Распределение радиационных дефектов и физическая природа "аномальных" спектров DLTS в кремниевых диодах, облученных alpha-частицами
844
Гермогенов В.П., Позолотин В.А., Хлудкова Л.С.
Механизм прохождения тока в p-n-структурах из Al
x
Ga
1-x
Sb(As) при небольших смещениях
849
Берковская Ю.Ф., Гельмонт Б.Л., Цидильковский Э.И.
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
855
Герчиков Л.Г., Харченко В.А.
Рассеяние квазичастиц в вырожденной зоне на короткодействующих потенциалах
863
Кочелап В.А., Кулиш Н.Р., Лисица М.П., Малыш Н.И., Соколов В.Н.
Динамика нелинейного просветления монокристаллов CdSe
868
Литовский Р.Н., Лысенко В.С., Руденко Т.Е.
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
875
Дедулевич С., Канцлерис Ж., Матулис А.
Влияние междырочных столкновений на разогрев и поглощение света теплыми дырками в p-Ge
881
Антоненко А.Х., Болотов В.В., Двуреченский А.В., Стучинский В.А., Харченко В.А., Стук А.А.
Накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии в зависимости от температуры при облучении нейтронами
887
Арапов Ю.Г., Давыдов А.Б., Зверева М.Л., Штрапенин Г.Л.
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
893
Аронзон Б.А., Никитин М.С., Сусов Е.В., Чумаков Н.К.
О природе индуцированного магнитным полем перехода металл--диэлектрик в n-Cd
x
Hg
1-x
Te
897
Антюшин В.Ф., Сысоев Б.И.
Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами
902
Беляков Л.В., Горобей Н.Н., Горячев Д.Н., Сресели О.М., Ярошецкий И.Д.
Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе диэлектрик--металл--полупроводник на фотоответ полупроводника
906
Маркевич В.П., Мурин Л.И.
Селективный захват межузельных атомов углерода в облученном кремнии
911
Гальперин Ю.М., Пардаев А.П.
О поглощении звука свободными носителями в слабо легированных компенсированных полупроводниках
915
Герасимов А.Б., Гоготишвили М.К., Джибути З.В., Коноваленко Б.М.
О механизмах перестройки комплексов в полупроводниках
920
Ковешников С.В., Носенко С.В., Якимов Е.Б.
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
922
Емцев В.В., Дабагян А.В., Витовский Н.А., Машовец Т.В.
Основные характеристики пары Френкеля в германии
924
Бабаев А.А., Теруков Е.И., Шведков И.В.
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
927
Павлов Д.А., Пищулина И.В., Хохлов А.Ф.
Влияние примеси углерода на свойства аморфного кремния
929
Коваль А.В., Симашкевич А.В., Сушкевич К.Д., Хельмауи А.
Фотолюминесценция твердых растворов ZnSe
1-x
Te
x
932
Земсков Б.Г., Любимов В.С., Мартынюк А.Н., Артемова А.А., Пермяков Ю.В., Ионов С.П.
К вопросу о двухэлектронном обмене в легированных твердых растворах Pb(Sn)Se
934
Веденеев С.И., Георгобиани А.Н., Левит А.Д., Рамбиди Н.Г., Тодуа П.А., Шестакова Е.Ф., Эльтазаров Б.Т.
Излучательные и электрофизические свойства МДП структур на основе CdS и ленгмюровской пленки
936
Зудеев О.Г., Иванченко В.А., Науменко Г.Ю., Николаев М.В.
Разогрев носителей заряда в германии ИК излучением
938
Пикус Ф.Г.
Сдвиговый фотогальванический эффект в полупроводниках со сверхрешеткой без центра инверсии
940
Елькин Н.В., Звягин И.П., Коробов О.Е., Курова И.А., Лупачева А.Н.
Влияние освещения на проводимость легированных пленок a-Si : H
943
Закиров Г.Г., Ивлев Г.Д., Хайбуллин И.Б.
Динамика наносекундного лазерного отжига аморфных и ультрадисперсных имплантационных слоев германия
947
Пожела Ю.К., Сталерайтис К.К.
К вопросу об эффекте изменения электропроводности полупроводника в неоднородном магнитном поле
949
Аннотации депонированных статей
953
Опечатки и исправления
966
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук