На основании аналитических свойств матрицы рассеяния найдены амплитуды рассеяния медленных квазичастиц на короткодействующих дефектах в полупроводниковых кристаллах с вырожденной зоной. Полученные амплитуды используются для описания процесса рассеяния носителей на кластерах точечных дефектов и энергетического спектра локализованных на них состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.