Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1988, выпуск 8
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 8
Алмазов Л.А., Малютенко В.К., Федоренко Л.Л.
Бесконтактный метод определения коэффициента биполярной диффузии неравновесных носителей заряда в полупроводниках
1337
Румянцев Е.Л., Рут О.Э.
Особенности спектра одноосно деформированных полупроводников с вырожденными зонами в магнитном поле, перпендикулярном давлению
1341
Богданов Е.В., Лавренюк М.Ю., Минина Н.Я.
Деформационные потенциалы запрещенной зоны у полупроводникового сплава Bi
0.9
Sb
0.1
и определение прямых энергетических щелей с помощью резонансной ударной ионизации
1348
Жук Б.В., Зленко А.А., Прохоров А.М., Разов Е.Н., Щербаков Е.А.
Быстродействующий фототранзистор на гетероструктуре ZnSe-GaAs
1353
Королев В.Л., Сидоров В.Г.
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
1359
Байрамов М.А., Веденеев А.С., Волков Л.В., Ждан А.Г.
Проявление флуктуационного потенциала в кинетических характеристиках n-каналов инверсии на поверхности кремния. Случай малых флуктуаций
1365
Немов С.А., Равич Ю.И.
Плотность резонансных состояний по данным термоэдс в PbTe<Тl>
1370
Угрин Ю.О., Шерегий Е.М.
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
1375
Гельмонт Б.Л., Зегря Г.Г.
Электромагнитная теория инжекционного лазера с одним гетеропереходом
1381
Гуткин А.А., Колчанова Н.М., Лагунова Т.С., Плотицын А.Е., Рещиков М.А., Саморуков Б.Е.
Эффект Холла в p-GaAs<Mn>
1387
Андреев В.М., Гусинский Г.М., Калиновский В.С., Салиева О.К., Соловьев В.А., Сулима О.В., Хаммедов А.М.
Влияние радиации на фотоэлектрические параметры AlGaAs-(p-n)-гетероструктур
1391
Лончаков А.Т., Матвеев Г.А., Цидильковский И.М.
Особенности термомагнитных эффектов в n-Ge вблизи перехода металл--диэлектрик
1396
Арсеньев В.Г., Богданкевич О.В., Зверев М.М., Копыт С.П., Кудеяров Ю.А.
Методика лазерного катодопоглощения
1401
Болотов В.В., Стучинский В.А.
Определение характерных времен формирования неоднородного профиля вакансионных дефектов в кремнии у границы раздела под действием электрического поля
1405
Троян Ю.Г., Сизов Ф.Ф.
Рекомбинация неравновесных носителей заряда в монокристаллах Pb
0.8
Sn
0.2
Te
1408
Диджюлис А.А., Шатковский Е.В.
Разогрев электронно-дырочной плазмы при стримерном разряде в полупроводниках
1412
Голубев В.Г., Иванов-Омский В.И., Осутин А.В., Сейсян Р.П., Эфрос Ал.Л., Язева Т.В.
Магнитоспектроскопия резонансных примесных состояний в полупроводниках
1416
Балтрамеюнас Р., Гашка Р., Куокштис Э., Нятикшис В., Пятраускас М.
Пикосекундная релаксация поверхностных динамических решеток в имплантированных и импульсно-отожженных кристаллах кремния
1422
Тарбаев Н.И., Сальков Е.А., Шепельский Г.А.
Излучательная рекомбинация халькогенидов кадмия, индуцированная низкотемпературной пластической деформацией
1428
Горбовицкий Б.М.
Теорема "площадей" и межподзонное бесстолкновительное поглощение ультракоротких импульсов света в кубическом полупроводнике
1434
Грехов А.М.
Самосогласованные расчеты из первых принципов электронной структуры примесных кластеров кремния и алмаза
1439
Поляков В.И., Перов П.И., Ермаков М.Г., Ермакова О.Н., Сергеев В.И.
Особенности фотоотклика гетероструктур GaAs-Al
0.3
Ga
0.7
As с модулированным легированием
1446
Якунин М.В.
Магнитофононный резонанс на горячих носителях в HgTe: влияние одноосной деформации и анизотропия
1452
Брандт Н.Б., Доропей В.Н., Дубков В.П., Скипетров Е.П.
Зона локальных состояний в сплаве Pb
1-x
Sn
x
Se (x=0.125), облученном электронами I. Гальваномагнитные явления под давлением
1462
Брандт Н.Б., Доропей В.Н., Дубков В.П., Скипетров Е.П.
Зона локальных состояний в сплаве Pb
1-x
Sn
x
Se (x=0.125), облученном электронами II. Структура локальной зоны
1469
Якимчук Д.Ю., Давыдов М.С., Чишко В.Ф., Цвейбак И.Я., Крапухин В.В., Соколов И.А.
Исследование вольтамперных характеристик гетеропереходов p-Pb
0.8
Sn
0.2
Te/n-PbTe
0.92
Se
0.08
1474
Махмудов А.Ш.
Происхождение глубоких уровней примесей непереходных элементов в кремнии и германии
1479
Витовский Н.А., Емцев В.В., Машовец Т.В., Полоскин Д.С.
Эффективность взаимодействия вакансий с донорами V группы в n-германии
1483
Миргородский В.И., Пешин С.В.
Акустоэлектронное затухание в условиях нестационарной фотопроводимости в сульфиде кадмия
1486
Стружкин В.В., Еремец М.И.
Возбужденные состояния акцепторов в алмазе в приближении эффективной массы
1488
Гуга К.Ю., Кислый В.П., Малютенко В.К.
Влияние гидростатического давления на N-ОДП в условиях магнитоконцентрационного эффекта
1490
Исмайлов Н.Д., Гусейнов Э.К., Курбанова Э.И.
Влияние промежуточного диэлектрического слоя на фототок в поверхностно-барьерных структурах металл--n-Cd
x
Hg
1-x
Te
1493
Бакуева Л.Г., Ильин В.И., Мусихин С.Ф.
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
1495
Малютенко В.К., Малозовский Ю.М.
N-ОДП при пинч-эффекте в несобственных полупроводниках
1497
Кучма А.Е., Свердлов В.А.
Особенности локализации носителей в обогащенном слое на поверхности узкощелевого полупроводника
1500
Карягин В.В., Ляпилин И.И., Дякин В.В.
Термоэдс услечения 2D-электронного газа гетероструктуры GaAs-GaAlAs
1503
Колдаев И.М.
Аккумуляция в n
+
-n-n
+
-структурах на основе A
II
B
VI
при различных длинах волн фотовозбуждения
1505
Качлишвили З.С., Хизанишвили Э.Г.
Зависимость пробивного поля (E
пр
) от степени компенсации (C) в n-Ge
1507
Курбанов К.Р., Палкин А.М., Скубневский Э.В., Станкевич Е.Т.
Электрические свойства Pb
1-x
Sn
x
Te<Br> и механизмы рассеяния электронов
1509
Хохлов А.Ф., Машин А.И., Ершов А.В., Машин Н.И., Игнатьева Е.А.
Ионно-лучевое легирование аморфного кремния, содержащего изовалентную примесь германия
1511
Вейс А.Н., Крупицкая Р.Ю., Лумер А.В.
Резонансные состояния, связанные с вакансиями халькогена, в электронном сульфиде свинца
1514
Гостев А.В., Корнилов Б.В., Привезенцев В.В., Pay Э.И., Щетинин А.Г.
Визуализация потенциального поля при возбуждении рекомбинационных волн в кремнии
1516
Леонов В.В.
Прогнозирование типа проводимости эвтектических сплавов A
III
B
V
-Ge(Si)
1519
Ваксер А.И.
Неустойчивость холодных электронов в полупроводниках
1520
Аврутин Е.А., Портной М.Е.
Оценка времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводнике, облученном тяжелыми ионами
1524
Андреев В.М., Еремин В.К., Строкан Н.Б.
Изменение градиента концентрации лития при компенсации полупроводников методом дрейфа ионов
1526
Андрушко А.И., Салихов Х.М., Слободчиков С.В.
Поверхностно-барьерные структуры Au-p-InAs
1-x-y
Sb
x
P
y
1528
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук