Вышедшие номера
Эффект Холла в p-GaAs<Mn>
Гуткин А.А., Колчанова Н.М., Лагунова Т.С., Плотицын А.Е., Рещиков М.А., Саморуков Б.Е.
Выставление онлайн: 20 июля 1988 г.

Исследовалась температурная зависимость эффекта Холла в p-GaAs<Mn>. Найдено, что фактор вырождения уровня Мn меньше 4. Этот факт объяснен расщеплением основного состояния нейтрального акцептора MnGa, которое является следствием обменного взаимодействия дырки на центре с электронами 3d-оболочки Мn.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.