Физика и техника полупроводников

Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 8

XXVIII Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 11--15 марта 2024 г.

Аксенов В.Ю., Анкудинов А.В., Власов А.С., Дунаевский М.С., Жмерик В.Н., Лебедев Д.В., Лихачев К.В., Перескокова В.А., Минтаиров А.М.

Локальное легирование монослойного WSe₂ на пьезоэлектрических подложках GaInP₂ и GaN

401

Архипова Е.А., Дроздов М.Н., Краев С.А., Хрыкин О.И., Охапкин А.И., Лобаев М.А., Вихарев А.Л., Исаев В.А., Богданов С.А.

Невплавные омические контакты с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза p- и n-типа и их термическая стабильность

409

Электронные свойства полупроводников

Вербицкая Е.М., Еремин И.В., Подоскин А.А., Сброжек В.О., Слипченко С.О., Фадеева Н.Н., Яблоков А.А., Еремин В.К.

Дрейфовый перенос носителей заряда в кремниевых p⁺-n-n⁺-структурах при температурах ≤100 мK

415

Буга С.Г., Куприянов И.Н., Борздов Ю.М., Кузнецов М.С., Лупарев Н.В., Носухин С.А., Кульницкий Б.А., Приходько Д.Д., Пальянов Ю.Н.

Электрические свойства сильно легированных азотом синтетических монокристаллов алмаза, выращенных при высоком давлении и температуре

424

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Миньков Г.М., Рут О.Э., Шерстобитов А.А., Германенко А.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н.

Магнитотранспорт в квантовых ямах HgTe с двумя полевыми электродами

434

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Фефелов С.А., Казакова Л.П., Богословский Н.А., Былев А.Б., Гущина Е.В., Толепов Ж.К., Жакыпов А.С., Приходько О.Ю.

Влияние примеси Bi на основные параметры вольт-амперных характеристик полупроводника с фазовой памятью Ge₂Sb₂Te₅

443

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Николаенко Ю.М., Эфрос Н.Б., Мезин Н.И., Решидова И.Ю.

Фундаментальный и прикладной аспекты физических характеристик поликристаллических образцов оксидного полупроводника (In₂O_3)_1-x : (SrO)_x

448

Физика полупроводниковых приборов

Соболев М.М., Солдатенков Ф.Ю., Козлов В.А.

Выявление основных каналов рекомбинации в слабо легированных слоях GaAs p-i-n-диодов до и после облучения 1 МэВ нейтронами

453

Учредители

Издатель

Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme