Методом переходного тока впервые проведено исследование дрейфового переноса носителей заряда в кремниевых p⁺-n-n⁺-структурах при температурах T≤100 мK. Измерены импульсные токовые фотоотклики структуры, обусловленные дрейфом генерированных лазером электронов и дырок в области электрического поля с напряженностью вплоть до 10⁴ В/см. Установлено, что концентрация объемного заряда в n-области уменьшается до нескольких процентов от концентрации атомов фосфора. Этот факт свидетельствует о том, что влияние фононов на туннелирование электронов сквозь пониженный, согласно эффекту Пула-Френкеля потенциальный барьер атомов фосфора, становится неэффективным уже при T<1.1 K. Совокупность свойств p⁺-n-n⁺-структуры переводит n-Si в электронейтральный изолятор с малым объемным зарядом и высокими подвижностями носителей, что важно для создания чувствительных элементов с внутренним тепловым усилением для детектора нейтрино. Ключевые слова: кремниевая p⁺-n-n⁺-структура, токовый фотоотклик, электрическое поле, фононно-стимулированное туннелирование, нейтрино.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.