Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2022, выпуск 8
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 8
XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14- 17 марта 2022 г.
Коряжкина M.Н., Филатов Д.О., Шенина М.Е., Антонов И.Н., Круглов А.В., Ершов А.В., Горшков А.П., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г.
Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO
2
(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge
723
Цыпленков В.В., Шастин В.Н.
Фотонное эхо в германии с мелкими донорами
728
Милахин Д.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Кожухов А.С., Новикова Н.Н., Яковлев В.А., Журавлев К.С.
Определение толщины зародышевого слоя AlN, сформированного на поверхности Al
2
O
3
(0001) в процессе нитридизации, методами РФЭС и ИК-спектроскопии
734
Перов А.А., Пикунов П.В.
Поперечный термомагнитный эффект в двоякопериодических полупроводниковых сверхрешетках без центра инверсии
742
Зиновьев В.А., Дерябин А.С., Кацюба А.В., Володин В.А., Зиновьева А.Ф., Черкова С.Г., Смагина Ж.В., Двуреченский А.В., Крупин А.Ю., Бородавченко О.М., Живулько В.Д., Мудрый А.В.
Структурные и оптические свойства двумерных слоев Si и Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CаF
2
/Si(111)
748
Абросимова Н.Д., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Оболенский С.В.
Влияние дозы имплантации водорода на релаксацию электрофизических характеристик структур "кремний-на-изоляторе" после воздействия рентгеновского излучения
753
Шандыба Н.А., Черненко Н.Е., Балакирев С.В., Еременко М.М., Кириченко Д.В., Солодовник М.С.
Исследование влияния дозы ионно-лучевой обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs
759
Коляда Д.В., Фирсов Д.Д., Тимофеев В.А., Машанов В.И., Караборчев А.А., Комков О.С.
Исследование влияния отжига и состава на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Si с множественными квантовыми ямами
765
Иванов А.С., Павельев Д.Г., Оболенский С.В., Оболенская Е.С.
Радиационная стойкость источника субтерагерцового излучения после нейтронного воздействия
770
Иго А.В.
Степень поляризации комбинационного рассеяния света в нанокристаллах кремния
774
Дворецкий С.А., Ступак М.Ф., Михайлов Н.Н., Макаров С.Н., Елесин А.Г., Верхогляд А.Г.
Исследование кристаллического состояния слоев молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs методом генерации второй гармоники
780
Кочаровская Е.Р., Гинзбург Н.С., Сергеев А.С., Малкин А.М., Заславский В.Ю.
Динамика широкоапертурных гетеролазеров со сбоем фазы гофрировки брэгговской структуры
788
Кузнецова И.А., Савенко О.В.
Взаимодействие электромагнитной H-волны с полупроводниковым нанослоем
794
Осинных И.В., Александров И.А., Малин Т.В., Журавлев К.С.
Определение типов оптических переходов и концентраций доноров и акцепторов в GaN по зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности возбуждения
802
Продолжение публикации материалов Симпозиума см. в No 9
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Benkhedim H., Meradji H., Ghemid S., Bouasla A., Boumaza A., Bendjeddou H., Chouahda Z., Khenata R.
First principles study of the structural, electronic, optical and thermal properties of chalcopyrite semiconductor LiAlTe
2
808
Физика полупроводниковых приборов
Лебедев А.А., Козловский В.В., Левинштейн М.Е., Малевский Д.А., Кузьмин Р.А.
Устойчивость к электронному облучению высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур
809
Блохин С.А., Бабичев А.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Блохин А.А., Бобров М.А., Кузьменков А.Г., Малеев Н.А., Андрюшкин В.В., Бугров В.Е., Гладышев А.Г., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Жумаева И.О., Устинов В.М., Li H., Tian S.С., Han S.Y., Сапунов Г.А., Егоров А.Ю., Bimberg D.
Высокоскоростные одномодовые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм
814
Benghorieb S., Bouhadiche A., Benzeghda S., Touam T.
Surface Plasmon Photodetectors Based on Noble Metals
824
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Марков Л.К., Павлюченко А.С., Смирнова И.П., Меш М.В., Колоколов Д.С., Пушкарев А.П.
Исследование особенностей нанесения нанослоев Al
2
O
3
методом атомно-слоевого осаждения на структурированные пленки ITO
825
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук