Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1993, выпуск 6
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1993, том 27, выпуск 6
Данишевский А.М., Латинис В., Коньков О.И., Теруков Е.И., Мездрогина М.М., Чусовитин М.С.
Поверхностные свойства пленок a-Si : H
913
Берман Л.С., Грехов И.В., Каримов И.Н., Остроумова Е.В.
Поверхностные состояния на кремнии в МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) структурах с туннельно-тонким слоем окисла
917
Гергель В.А., Шпатаковская Г.В.
Проводимость инверсионных слоев и температурная зависимость плотности поверхностных состояний в МДП структурах
923
Алешкин В.Я., Звонков Б.Н., Линькова Е.Р., Мурель А.В., Романов Ю.А.
Вольт-фарадные характеристики сверхрешеток
931
Антипов С.А., Батаронов И.А., Дрожжин А.И., Рощупкин А.М.
Изменение электросопротивления тензорезисторов при изгибе
937
Добровольский В.Н., Нинидзе Г.К., Петрусенко В.Н.
Ударная ионизация электронов и дырок и лавинный пробой в МТДП структурах
944
Иновенков А.Н., Константинов О.В., Пирогов В.И.
Спектр токового шума микроплазмы при высокоимпедансном включении диода
951
Казакова Л.П., Лебедев Э.А., Исаев А.И., Мехтиева С.И., Захарова Н.Б., Ятлинко И.И.
Влияние примесей галогенов на перенос носителей заряда в стеклообразных полупроводниках системы Se-As
959
Абашкина С.А., Корольков В.И., Римшанс Я.С., Скрыль Ю.И., Табаров Т.С.
Численный расчет нестационарных характеристик в вертикальных полевых фототранзисторах на основе GaAs
966
Кавокин А.В., Несвижский А.И., Сейсян Р.П.
Экситон в полупроводниковой квантовой яме и сильном магнитном поле
977
Мирлин Д.Н., Сапега В.Ф., Сиренко А.А., Кардона М., Плоог К.
Энергетическая зависимость параметров поляризации горячей фотолюминесценции в структурах с квантовыми ямами
990
Горев Н.Б., Макарова Т.В., Прохоров Е.Ф., Уколов А.Т., Эппель В.И.
Глубокие уровни и репродукция проводимости прямой гетероструктуры с селективным легированием после подачи отпирающего импульса напряжения на затвор
996
Дутов А.Г., Комар В.А., Ширяев С.В.
Примесь алюминия в кремниевых полупроводниковых структурах SiO
2
-Si
1001
Туан Ле, Новиков С.В., Савельев И.Г., Шелковников Д.Н., Шмарцев Ю.В.
Легирование эпитаксиальных слоев GaAs акцерторной примесью Zn при жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов Ga-Bi
1007
Аронов Д.А., Кабулов Р.Р., Маматкулов Р., Усманов Ш., Юабов Ю.М.
Последеградационные характеристики p-i-n-фотоэлементов из гидрированного аморфного кремния (a-Si : H)
1014
Ковтун Г.П., Кравченко А.И., Жуков А.И., Стерлев А.Н., Щербань А.П.
Расчет температурных полей в монокристаллах GaAs, выращиваемых в тонком слое расплава методом Киропулоса с жидкостной герметизацией
1025
Винник Е.В., Глинчук К.Д., Гурошев В.И., Прохорович А.В.
О причинах различия дозовых зависимостей интенсивности различных полос люминесценции в облученных быстрыми частицами полупроводниковых соединениях A
III
B
V
1030
Шаховцова С.И., Шаховцов К.В., Шпинар Л.И., Ясковец И.И.
Масштаб флуктуаций состава в сплавах Ge
1-x
Si
x
1035
Гуревич Ю.Г., Логвинов Г.Н., Титов О.Ю.
Энергетически неоднородная в простанстве функция распределения электронов в полупроводниковом субмикронном слое
1040
Петров А.Г., Шик А.Я.
Междуровневые оптические переходы в квантовых ямах
1047
Васько Ф.Т., Солдатенко Ю.Н.
Нелинейная восприимчивость электронов в неоднородных полупроводниковых сплавах
1058
Мекекечко А.Ю., Коваленко А.В., Черненко И.М., Катков В.Ф.
Исследование чувствительности к водороду структур ZnSe/GaAs
1060
Цюцюра Д.И., Шкумбатюк П.С.
Получение p-n-переходов на CdTe<In> лазерным отжигом
1064
Лашкарев Г.В., Бродовой А.В., Мирец А.Л., Зломанов, О. И. Малеванная В.П.
Магнитная восприимчивость твердых растворов Pb
1-x
Mn
x
Te
1067
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук