Исследовано влияние статистических флуктуаций плотности встроенного заряда на поверхностную проводимость инверсионных слоев в МДП структурах. Рассматриваемые флуктуации заряда индуцируют в приграничном слое полупроводника случайный потенциальный рельеф, в окрестностях минимумов которого формируются связанные (локализованные) электронные состояния. Часть электронов инверсионного слоя захватывается на эти состояния, образуя локализованный заряд. Подвижный, делокализованный заряд составляют электроны с энергиями выше уровня протекания - среднего поверхностного потенциала. В квазиклассическом приближении путем усреднения по флуктуациям потенциала рассчитаны зависимости связанного и свободного зарядов от температуры и изгиба зон. Показано, что при T<<Delta (характерной энергии флуктуаций) с ростом полного заряда инверсионного слоя сначала происходит заполнение связанных состояний, а уже затем свободных, что обусловливает соответствующий сдвиг порога зависимости поверхностной проводимости от управляющего напряжения на электроде МДП структуры. Напротив, при высоких температурах практически весь инверсионный заряд подвижен. Установлено, что в области промежуточных температур 2Delta>T>Delta/2 (этот диапазон может составлять несколько сот градусов) подвижная и связанная компоненты полного заряда инверсионного слоя изменяются пропорционально друг другу, что на эксперименте проявляется как заметное уменьшение эффективной поверхностной подвижности электронов по сравнению с ее объемными значениями.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.