Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1992, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 5
Кисин М.В.
Спиновая структура пограничных состояний и циркулярный фотогальванический эффект в гетеропереходах
785
Гергель В.А., Ильичев Э.А., Лукьянченко А.И., Полторацкий Э.А., Щамхалов К.С.
Паразитное управление по подложке в полевых транзисторах на арсениде галлия
794
Байдуллаева А., Булах Б.М., Даулетмуратов Б.К., Джумаев Б.Р., Корсунская Н.Е., Мозоль П.Е., Гарягдыев Г.
Влияние дислокаций, образованных лазерным облучением, на электрофизические и люминесцентные свойства p-CdTe
801
Кадушкин В.И.
Стимулированные магнитным полем осцилляции стационарной ЭДС в системе вырожденных 2D-3D-электронов
806
Кадушкин В.Н., Фомичев С.И.
Электронная 2D-3D-система --- квантовый диод. I. Общие свойства
811
Богданова В.А., Семиколенова Н.А.
Фотолюминесценция сильно легированного арсенида галлия при упорядоченном распределении примесных комплексов
818
Мартисов М.Ю.
Механизм снижения плотности дислокаций при изовалентном легировании полупроводниковых соединений A
III
B
V
822
Васько Ф.Т.
Релаксация фотовозбужденных электронов в двойных квантовых ямах
825
Охонин С.А., Французов А.А.
О механизме образования области пространственного заряда в МОП транзисторе при температуре 4.2 K
832
Баграев Н.Т., Мирсаатов Р.М., Половцев И.С., Сирожов У., Юсупов А.
Si
1-x
Ge
x
: самокомпенсация двойных акцепторов цинка в твердых растворах кремний-германий
836
Андроник К.И., Бойко М.П., Никорич А.В.
Влияние примеси индия на электрофизические свойства Pb
1-x
Sn
x
Te при x>0.3
839
Дарчук С.Д., Коровина Л.А., Сизов Ф.Ф.
Резонансные состояния в легированных и нелегированных кристаллах теллурида свинца
845
Шик А.Я.
Краевая энергетическая релаксация в квантовом эффекте Холла
855
Горев Н.Б., Костылев С.А., Макарова Т.В., Прохоров Е.Ф., Уколов А.Т.
Вольт-фарадные характеристики тонкопленочных структур n-GaAs
861
Александров О.В., Шевченко Б.Н., Матханова И.П., Каменец А.В.
Влияние радиационных дефектов, введенных alpha-частицами, на обратные токи кремниевых p-n-переходов
868
Бочкарева Н.И., Рувимов С.С.
О природе "аномальных" DLTS-спектров в монокристаллах германия с дислокациями
872
Абрамов В.В., Кульбачинский В.А., Кытин В.Г., Тимофеев А. Б., Ульяшин А.Г.
Низкотемпературная электропроводность ионно-имплантированного фосфором и сурьмой кремния
878
Герчиков Л.Г., Субашиев А.В., Далла Салман
Зонная структура короткопериодических сверхрешеток III типа
882
Брандт Н.Б., Скипетров Е.П., Хорош А.Г.
Резонансная зона радиационных дефектов в сплаве p-Pb
1-x
Sn
x
Te (x=0.2), облученном электронами
888
Кальфа А.А., Крюков А.Р., Тагер А.С.
Управление вольт-амперными характеристиками трех связанных резонансно-туннельных диодов
896
Блажку А.И., Джуади Д., Касиян В.А., Мосейчук Г.С., Недеогло Д.Д.
Кинетические свойства кристаллов n-ZnSe с радиационными дефектами
900
Даварашвили О.И., Караваев Г.Ф., Катаев С.Г., Тютерев В.Г.
Излучательная и безызлучатльная рекомбинация в четверных твердых растворах Pb
1-x
Sn
x
Se
1-y
Te
y
906
Бегер В.Н., Земский В.И., Сечкарев А.В.
Спектры испускания силикатного пористого стекла, возбуждаемые лазерным излучением в области прозрачности SiO
2
911
Гаджиалиев М.М.
Магнитотермоэдс Mn
0.18
Hg
0.82
Te
915
Аверьянов В.Л., Звонарева Т.К., Любин В.М.
Электрические свойства контакта модифицированный-немодифицированный стеклообразный As
2
Se
3
918
Бычковский Д.Н., Константинов О.В.
Влияние заряда, встроенного в изотипный гетеропереход, на вольт-фарадные характеристики барьерной структуры
921
Андреев Б.А., Козлов Е.Б., Лифшиц Т.М.
Силы осцилляторов оптических переходов в мелких примесях и примесных комплексах в кремнии и германии
927
Беляев А.П., Рубец В.П., Тошходжаев X.А.
Процессы токопереноса в гетероструктуре In
2
O
3
-ZnSe-In с субмикронным слоем селенида цинка
935
Короткевич А.В., Никитин В.А., Эйдельман Б.Л.
Кинетика СВЧ фотопроводимости в подложках Si с внутренним геттером и бездефектной зоной
942
Гифейсман Ш.Н., Коропчану В.П.
Поляронные параметры в полупроводниках с вырожденным краем валентной зоны
949
Савицкий А.В., Ткачук В.И., Ткачук П.Н.
Электрические свойства экстрагированного теллурида кадмия
952
Гордеев Д.М., Шмагин В.Б.
Повышение разрешения в релаксационной спектроскопии глубоких уровней с двухканальным строб-интегратором
955
Джумамухамбетов Н.Г., Дмитриев А.Г.
К вопросу о природе полосы излучения (1.23-1.25) эВ в спектре люминесценции кристаллов GaAs<Te>
958
Голикова О.А., Мездрогина М.М., Соколов А.П., Шебанин А.П.
Структурная сетка alpha-Si : H, легированного бором, и транспорт дырок
960
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук