Экспериментально исследована стационарная ЭДС, возникающая в системе вырожденных 2D-3D-электронов при возбуждении внешним переменным электрическим полем. Обращено внимание на то, что эта ЭДС имеет два компонента, один из которых уже имеется в отсутствие магнитного поля, а второй имеет осциллирующую зависимость от магнитного поля. Показано, что последний по природе одинаков с осцилляциями поперечного магнитосопротивления. Изучено влияние на стационарную ЭДС величины возбуждаемого сигнала и частоты (до 400 МГц). Измерения амплитудных характеристик эффекта обнаружили их пороговый характер. Совокупность данных позволила сделать вывод, что эффект обусловлен детектированием внешнего сигнала барьерным слоем в системе вырожденных 2D-3D-электронов. Наблюдаемые явления можно объяснить нелинейностью и асимметрией ВАХ двойной диодной системы, образованной объемными и двумерными электронами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.