Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1992, выпуск 6
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 6
Евстропов В.В., Линьков И.Ю., Морозенко Я.В., Пикус Ф.Г.
Фотолюминесценция компенсированного SiC-6H
969
Трусова И.А., Поляков М.Е.
Дислокации в AlGaAs/GaAs-сверхрешетке
979
Шикина Ю.В., Шикин В.Б.
Об акцепторно-донорных свойствах дислокаций в полупроводниках p-типа
987
Шикина Ю.В., Шикин В.Б.
Нелинейные свойства ВАХ и ВФХ для стенки из заряженных дислокаций
992
Грибников 3.С.
Баллистическая электропроводность ограниченного туннельного контакта двух квантовых ям
996
Амальская Р.М., Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Суханов В.Л.
Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансий
1004
Веренчикова Р.Г., Водаков Ю.А., Литвин Д.П., Мохов Е.Н., Роенков А.Д., Санкин В.И.
Ультрафиолетовые карбид-кремниевые фотоприемники
1008
Шемелина О.С., Новотоцкий-Власов Ю.Ф.
Равновесные параметры глубоких объемных уровней в антимониде индия
1015
Кальфа А.А., Чикун В.В.
Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки со слоем слабо легированного полупроводника в области пространственного заряда
1024
Крочук А.С., Китык И.В., Колинько Н.И.
Электронная структура слоистых полупроводниковых кристаллов иодида таллия
1028
Де Виссер А., Иванчик И.И., Никорич А.В., Хохлов Д.Р.
Локализация и делокализация в Pb
1-x
Sn
x
Te <In>, индуцированные сверхсильным магнитным полем и ИК подсветкой
1034
Аблязимова Н.А., Вейнгер А.И., Питанов В.С.
Влияние сильного СВЧ поля на фотоэлектрические характеристики кремниевых p-n-переходов
1041
Кардо-Сысоев А.Ф., Попова М.В., Шеметило Д.И.
Влияние накопления неосновных носителей в p
+
-слое на процесс восстановления напряжения на p
+
-n-переходе
1048
Крюкова И.В., Теплицкий В.А., Шульга Е.П., Корсунская Н.Е.
Влияние избыточного давления паров компонентов на ансамбль точечных дефектов в кристаллах CdS
1054
Бабенцов В.Н., Горбань С.И., Евтухов Ю.Н.
Низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллических слоев Zn
x
Cd
1-x
Te, полученных твердофазным замещением
1063
Сырбу Н.Н.
Влияние нарушения стехиометрии на экситонные, электронные и колебательные состояния в дифосфиде цинка
1069
Бабенцов В.Н., Рашковецкий Л.В., Сальков Е.А., Тарбаев Н.И.
Исследование преобразования дефектов в кристаллах CgTe при кратковременном отжиге методом люминесцентного профилирования
1088
Веденеев А.С., Ждан А.Г., Рыльков В.В., Шафран А.Г.
Определение сечения фотоионизации легирующих примесей в полупроводниках из измерений эффекта Холла
1096
Гасан-заде С.Г., Жадько И.П., Зинченко Э.А., Каленик В.И., Раренко И.М., Романов В.А., Шепельский Г.А.
Характеристики фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в кристаллах Mn
x
Hg
1-x
Te с анодно-окисленными поверхностями
1100
Логвинов Г.Н.
Граничные условия для функции распределения электронов в полупроводниковых субмикронных пленках в теории термоэлектричества
1104
Бильгильдеева Т.Ю., Полянская Т.А.
Квантовые когерентные эффекты в германии, легированном мышьяком
1109
Омельяновская Н.М., Краснобаев Л.Я.
Влияние температуры отжига имплантированного хлором кремния на образование электрически активных комплексов
1116
Воронков В.П., Калыгина В.М., Муленков С.Ю., Оборина Е.И., Сальман Е.Г., Смирнова Т.П.
Влияние лазерного отжига на электрические характеристики МДП структур на основе GaAs
1120
Мукашев Б.Н., Тамендаров М.Ф., Токмолдин С.Ж.
Состояния водорода и механизмы пассивации примесей и радиационных дефектов в кристаллическом кремнии
1124
Хохлов Д.Р., Чесноков С.Н.
Релаксация задержанной фотопроводимости в электрическом поле в сплавах Pb
1-x
Sn
x
Te<In>
1135
Гусев О.К., Киреенко В.П., Яржембицкий В.Б.
Аномальный фото-холл-эффект в кристаллах p-InAs
1138
Махний В.П., Мельник В.В., Собищанский Б.М.
Оптоэлектронные свойства селенида цинка, легированного индием
1140
Казакевич Л.А., Лугаков П.Ф.
Особенности отжига компенсирующих радиационных дефектов в бездислокационном n-кремнии
1142
Манаков С.М., Таурбаев Т.И.
Особенности температурных зависимостей фотоэлектрических характеристик a-Si : H-фотопреобразователей с зеркально отражающим тыльным контактом
1145
Павлов П.В., Демидов Е.С., Карзанов В.В.
Эффект дальнодействия в полуизолирующих полупроводниках GaAs и InP при облучении ионами аргона
1148
Краснов А.Н., Ваксман Ю.Ф., Пуртов Ю.Н., Сердюк В.В.
Получение дырочной проводимости в монокристаллах селенида цинка
1151
Левинштейн М.Е.
Первый международный симпозиум по исследованию перспективных полупроводниковых приборов (ISDRS-91)
1153
Вуль А.Я.
Рецензия на книгу Я.А. Федотова "Интегральная электроника сверхвысоких частот"
1156
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук