Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1992, выпуск 12
<<<
Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 12
Веденеев А.С., Гайворонский А.Г., Ждан А.Г.
Определение электронных характеристик границ раздела полупроводник-диэлектрик по полевым зависимостям электропроводности и емкости инверсионных каналов МДП транзисторов
2017
Ждан А.Г., Козлов А.М., Костинская Т.А., Кочеров В.Ф., Рыльков В.В.
Динамические вольт-амперные характеристики фоточувствительных слоистых структур на основе сильно легированного Si<As> с блокированной проводимостью по примесной зоне
2024
Засавицкий И.И., Матвеенко А.В., Мацонашвили Б.Н., Трофимов В.Т.
Кинетика и спектр фотопроводимости гетероструктур PbTe/Pb
1-x
Sn
x
Te, выращенных на подложках BaF
2
2031
Чуприков Н.Л.
Матрица переноса одномерного уравнения Шредингера
2040
Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Сумарока А.М.
Термическая генерация неосновных носителей заряда у границы раздела полупроводник-диэлектрик через глубокий уровень в приповерхностном слое обеднения
2048
Гриняев С.Н., Чернышов В.Н.
Рассеяние электронов в многобарьерных структурах GaAs/Al
x
Ga
1-x
As
2057
Вагидов Н.3., Грибников 3.С.
Баллистическая проводимость квантовой ямы с туннельно-резонансным отражателем
2068
Выборнов В.В., Бондаренко И.Е., Лихарев С.К., Трифоненков В.П.
Реконструкция глубинной структуры микротрещин в кремнии с помощью метода томографии наведенного тока в растровом электронном микроскопе
2076
Артамонов В.В., Валах М.Я., Денисов А.В., Мордкович В.Н., Нечипорук Б.Д.
Воздействие света на процесс имплантации ионов P
+
в Si
2083
Ройцин А.Б., Пляцко С.В., Громовой Ю.С., Климов А.А., Кадышев С.К.
Проявление механических напряжений в электронном парамагнитном резонансе гетеросистем на основе соединений A
IV
B
VI
, легированных примесью марганца
2091
Громовой Ю.С., Кадышев С.К., Пляцко С.В.
Фотостимулированное изменение положения ионов Mn
2+
в кристаллической решетке селенида свинца
2098
Фреик Д.М., Салий Я.П., Рувинский М.А., Горичок И.Я., Фреик А.Д., Добровольская А.М.
Образование и отжиг радиационных дефектов в пленках p-Pb
0.76
Sn
0.24
Te при протонном облучении
2103
Коллюх А.Г., Мороженко В.А.
Влияние магнитного поля на поляризацию теплового излучения изотропных полупроводников
2107
Перель В.И., Портной М.Е.
Влияние магнитного поля на линейную поляризацию фотолюминесценции горячих электронов в квантовых ямах
2112
Бычковский Д.Н., Воронцова Т.П., Константинов О.В.
Контактный потенциал квантовой ямы в полупроводниковой гетероструктуре
2118
Карягин С.Н., Константинова Е.А.
Применение метода насыщения сигналов электронного парамагнитного резонанса для исследования аморфного гидрированного карбида кремния переменного состава
2129
Абдуллаев М.А.
Экситонная структура края фундаментального поглощения CuInSe
2
2131
Мальцев С.В., Принц В.Я.
Сильнополевое заполнение глубоких уровней в гетероструктурных полевых транзисторах с модулированным легированием (AlGaAs/GaAs)
2133
Германенко А.В., Ларионова В.А., Миньков Г.М., Рут О.Э.
Пленка Лэнгмюра-Блоджетт в качестве диэлектрика в МДП транзисторе на основе Cd
x
Hg
1-x
Te
2136
Карумидзе Г.С., Джобава Д.Ш., Тевзадзе Г.А., Шавелашвили Ш.Ш.
Некоторые аспекты применения кремния, легированного изотопом бор-11
2138
Гуга К.Ю., Малютенко В.К., Рыбак А.М.
Неравновесное излучение при экслюзии в полупроводниках с наведенной анизотропией проводимости
2141
Монастырский Л.С., Соколовский Б.С.
Диффузия заряженных примесей в варизонных полупроводниках
2143
Гуга К.Ю., Илющенко И.Ю.
Кинетика установления эксклюзии в p
+
-p-структурах Ge с наведенной магнитным полем анизотропной проводимостью
2146
Именной указатель к журналу "Физика и техника полупроводников" Том 26, 1992 год
2150
Предметный указатель к журналу "Физика и техника полупроводников" Том 26, 1992 год
2169
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук