Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1993, выпуск 5
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1993, том 27, выпуск 5
Ризаханов М.А., Хамидов М.М.
Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe
721
Решина И.И., Гук Е.Г.
Комбинационное рассеяние и люминесценция пористого кремния
728
Гадияк Г.В., Мороков Ю.Н.
Квантово-химическое моделирование взаимодействия фтора с поверхностью (111) кремния
736
Студеникин С.А., Панаев И.А., Костюченко В.Я., Торчинов Х.-М.3.
Фотомагнитный эффект и фотопроводимость тонких эпитаксиальных слоев Cd
x
Hg
1-x
Te/CdTe
744
Конников С.Г., Мелебаев Д., Рудь Ю.В.
Поляриметрический эффект в GaP
x
As
1-x
поверхностно-барьерных структурах
757
Яфясов А.М., Савицкий В.Г., Ковтун Р.Н., Перепелкин А.Д., Божевольнов В.Б.
Исследование параметров зонной структуры в приповерхностных слоях эпитаксиальных пленок узкощелевых твердых растворов Zn
x
Hg
1-x
Te
762
Игнатьев А.С., Каменев А.В., Копылов В.Б., Немцев Г.3., Посвянский Д.В.
Исследование статических вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов на основе гетероструктур GaAs/AlAs
769
Глазов В.М., Кольцов В.Б.
Эффект Холла в расплавах полупроводников с вырожденным электронным газом и его взаимосвязь с электропроводностью и магнитной восприимчивостью
775
Кузнецов В.С., Бочкарева Л.В.
О механизме тока в тонкопленочных монокристаллических p-n-переходах на основе PbS
785
Жуковский П.В.
Явление самовосстановления структуры имплантируемых полупроводников
789
Чуприков Н.Л.
Временные характеристики одночастичного рассеяния в одномерных сисметах
799
Кадушкин В.И.
Фотомагнитный эффект n-InSb в сильном электрическом и квантующем магнитном полях
808
Бойко С.И., Горбань И.С., Крохмаль А.П., Осинский В.И., Рожко И.А.
Люминесценция поляритонов вблизи поверхности в арсениде галлия
815
Кольченко Т.И., Коява В.Т., Ломако В.М.
Диагностика пленок арсенида галлия, выращенных методом атомно-слоевой эписаксии
822
Воронова И.Д., Горник Е., Клышевич Е.В., Кремсер К., Чеботарев А.П.
Длинноволновый край явления остаточной фотопроводимости в Pb
0.78
Sn
0.22
Te с примесью In
827
Аль-Баккур Ф., Дидык А.Ю., Козлов И.П., Оджаев В.Б., Петров В.В., Просолович В.С., Сохацкий А.С., Янковский О.Н.
Процессы отжига и перестройки радиационных дефектов в кремнии, имплантированном высокоэнергетичными ионами бора
829
Адамашвили Г.Т., Пейкришвили М.Д., Бицадзе Д.Д.
Нелинейные поверхностные акустические волны в сверхрешетках CaAs-AlAs
832
Константинова Н.Н., Магомедов М.А., Рудь Ю.В.
Фоточувствительность гетеропереходов n-Cd
0.8
Zn
0.2
S-p-CuInSe
2
835
Сукач И.А.
Влияние нейтронного облучения на перемещение границы p-n-перехода в светодиодах на основе GaAsP<Zn>
838
Винник Е.В., Глинчук К.Д., Гурошев В.И., Прохорович А.В.
О механизме радиационно-стимулированных изменений положения максимума полос "примесной" люминесценции в арсениде галлия и фосфиде индия
841
Ждан А.Г., Лифшиц Е.М., Рыльков В.В., Шафран А.Г.
Резонансы в температурной зависимости электропроводности легированного кремния, обусловленные возбужденными состояниями примеси
845
Чеснис А.А.
О механизме возникновения отрицательного дифференциального сопротивления в тонких пленках аморфного селена
848
Раренко А.И., Сирота А.В., Халамейда Д.Д.
Инверсия линии циклотронного резонанса дырок в CdSb, наблюдаемого по изменению статической проводимости
851
Шапиро Б.
Орбитальный магнитный отклик в мезоскопических проводниках
854
Гефен Ювал, Энтин-Вольман Ора
Анионы в ограниченной одномерной геометрии
859
Триберис Г.П.
Детальное изучение проводимости на постоянном токе в разупорядоченных системах за счет прыжкового перемещения поляронов малого радиуса
862
Бреслер М.С., Яссиевич И.Н.
Физические свойства и фотолюминесценция пористого кремния
871
Карпов В.Г., Субашиев А.В.
Флуктуационные состояния в полупроводниковых твердых растворах с вырожденными зонами
884
Корженевский А.Л.
Спектр возбуждений разупорядоченного кристалла A'
x
A''
1-x
B с концентрацией изотопической примеси, близкой к порогу протекания
889
Санин А.Л.
Влияние случайно распределенных доноров на динамику баллистических электронов
895
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук