Методом молекулярно-лучевой эпитаксии на основе гетероструктур GaAs/AlAs изготовлены резонансно-туннельные диоды (РТД), исследованы их статические ВАХ. Обнаружены различия в характере ВАХ РТД, изготовленных на идентичных гетероэпитаксиальных структурах. Предложена эквивалентная схема РТД. В рамках этой модели рассчитаны ВАХ РТД в различных условиях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.