Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2025
1
2
3
4
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2025, выпуск 4
<<<
Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 4
Международная конференция ФизикА.СПб/2025
189
Салий Р.А., Малевская А.В., Малевский Д.А., Минтаиров С.А., Надточий А.М., Калюжный Н.А.
Экспериментально-аналитическое исследование проблемы компенсации механических напряжений в системе InGaAs множественных квантовых ям для излучателей ближнего инфракрасного диапазона
190
Сибирев Н.В., Штром И.В.
Управление направлением роста планарных нитевидных нанокристаллов
195
Стецюра С.В., Харитонова П.Г., Козловский А.В.
Модификация поверхности CdS при нанесении и отжиге структурированного металлом органического покрытия
199
Покровский П.В., Хвостиков В.П., Малевская А.В., Хвостикова О.А.
Особенности тестирования микроразмерных фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения
205
Романчук А.К., Малевская А.В., Калюжный Н.А., Нахимович М.В., Шварц М.З., Андреев В.М.
Увеличение эффективности ввода оптической мощности в AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователях лазерного излучения
209
Левина С.А., Емельянов В.М., Корниенко П.Д., Ларионов В.Р., Нахимович М.В., Шварц М.З.
Исследование времен жизни неравновесных носителей заряда электролюминесцентным методом в многопереходных солнечных элементах при облучении протонами и электронами высоких энергий
214
Минтаиров М.А., Евстропов В.В., Калюжный Н.А., Минтаиров С.А., Нахимович М.В., Шварц М.З.
Определение дисбаланса фотогенерированных токов в многопереходных фотопреобразователях лазерного излучения
219
Михайлов О.П., Баранов А.И., Максимова А.А., Уваров А.В., Вячеславова Е.А., Гудовских А.С.
Исследование влияния облучения потоком электронов на фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе наноструктурированного "черного" кремния с пасcивирующим слоем n-GaP
223
Лебедев А.А., Козловский В.В., Малевский Д.А., Сахаров А.В., Давыдовская К.С., Левинштейн М.Е., Николаев А.Е.
Влияние температуры облучения на скорость удаления носителей в GaN
227
Елисеев И.А., Kurtash V.A., Pezoldt J., Давыдов В.Ю.
Управление плотностью носителей заряда в фототранзисторных структурах на основе CVD-MoS
2
атомарной толщины
230
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Блошкин А.А., Якимов А.И.
Повышение эффективности фотоприемных структур на основе квантовых точек Ge/Si модами фотонного кристалла в среднем инфракрасном диапазоне
235
Физика полупроводниковых приборов
Демидов Е.В., Захаров В.Е., Шмагин В.Б., Яблонский А.Н., Новиков А.В.
Моделирование транспортных и излучательных характеристик светоизлучающего латерального кремниевого p
+
-i-n
+
-транзистора с самоформирующимися Ge(Si)-наноостровками
242
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2025
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук