Экспериментально-аналитическое исследование проблемы компенсации механических напряжений в системе InGaAs множественных квантовых ям для излучателей ближнего инфракрасного диапазона
Салий Р.А.
1,2, Малевская А.В.
1, Малевский Д.А.
1, Минтаиров С.А.
1, Надточий А.М.
2, Калюжный Н.А.
11Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Email: r.saliy@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 апреля 2025 г.
В окончательной редакции: 19 июля 2025 г.
Принята к печати: 27 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2025 г.
Рассмотрена применимость различных методов расчета оптимальной толщины компенсирующих слоев для InGaAs множественных квантовых ям, используемых в активной области (Al)GaAs-светодиодов ближнего инфракрасного диапазона, выращенных на вицинальных подложках. Экспериментально показана высокая точность методов для структур на подложках с малой разориентацией (до 2o). Для структур на сильно разориентированных подложках (6o+) применимость методов ограничена поиском толщины компенсирующих слоев в первом приближении. Созданы светодиоды с высокими кпд (62 %), квантовой эффективностью (57 %) и высокой оптической мощностью при токе до 1 А. Ключевые слова:квантовые ямы, InGaAs, МОГФЭ, гетероструктуры, светодиод.
- L.J. Mawst, H. Kim, G. Smith, W. Sun, N. Tansu. Progr. Quant. Electron., 75, 100303 (2021). DOI: 10.1016/j.pquantelec.2020.100303
- P.D. Nguyen, M. Kim, Y. Kim, J. Jeon, S. Park, C.S. Kim, Q.L. Nguyen, B.S. Chun, S.J. Lee. Heliyon, 10 (3), e25269 (2024). DOI: 10.1016/j.heliyon.2024.e25269
- W.-C. An, H.-G. Kim, L.-K. Kwac, J.-S. So, H.-J. Lee. J. Nanosci. Nanotechnol., 19, 2224 (2019). DOI: 10.1166/jnn.2019.15974
- S. Tundo, M. Mazzer, L. Lazzarini, L. Nasi, G. Torsello, D. Diso, G. Clarke, C. Rohr, P. Abbott, K. Barnham, R. Ginige. Mater. Sci. Technol., 19 (7), 977 (2003). DOI: 10.1179/026708303225004341
- C.W. Tu, X.B. Mei, C.H. Yan, W.G. Bi. Mater. Sci. Eng. B, 35 (1-3), 166 (1995). DOI: 10.1016/0921-5107(95)01434-9
- N.J. Ekins-Daukes, K. Kawaguchi, J. Zhang. Cryst. Growth Des., 2 (4), 287 (2002). DOI: 10.1021/cg025502y
- C. Kittel. Introduction to Solid State Physics. 7th edn (John Wiley \& Sons, Inc., N.Y., 1996)
- J.F. Nye. Physical Properties of Crystals: Their Representation by Tensors and Matrices (Oxford University Press, N.Y., 1985)
- M. Vasilopoulou, A. Fakharuddin, F. Pelayo Garci a de Arquer, D.G. Georgiadou, H. Kim, Abd. Rashid bin Mohd Yusoff, F. Gao, M.K. Nazeeruddin., H.J. Bolink., E.H. Sargent. Nature Photonics, 15, 656 (2021). DOI: 10.1038/s41566-021-00855-2
- Y. Wang, R. Onitsuka, M. Deura, W. Yu, M. Sugiyama, Y. Nakano. J. Cryst. Growth, 312 (8), 1364 (2010). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2009.11.063
- J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 32, 265 (1976). DOI: 10.1016/0022-0248(76)90041-5
- Р.А. Салий, А.В. Малевская, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, Н.А. Калюжный. Опт. и спектр., 132 (11), 1146 (2024). DOI: 10.61011/OS.2024.11.59501.6568-24
- http://www.matprop.ru
- Р.А. Салий, А.В. Малевская, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, Н.А. Калюжный. Кристаллография, 69 (4), 743 (2024). DOI: 10.31857/S0023476124040214
- А.В. Малевская, Н.Д. Ильинская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, Ю.М. Задиранов, П.В. Покровский, А.А. Блохин, А.В. Андреева. ФТП, 55 (11), 1086 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51565.9679
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Р.А. Салий, Ф.Ю. Солдатенков, М.В. Нахимович, Д.А. Малевский. Письма ЖТФ, 50 (18), 22 (2024). DOI: 10.61011/PJTF.2024.18.58625.19946
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.