Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Экспериментально-аналитическое исследование проблемы компенсации механических напряжений в системе InGaAs множественных квантовых ям для излучателей ближнего инфракрасного диапазона

Салий Р.А.

^1,2, Малевская А.В.

¹, Малевский Д.А.¹, Минтаиров С.А.

¹, Надточий А.М.², Калюжный Н.А.

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Email: r.saliy@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 28 апреля 2025 г.

В окончательной редакции: 19 июля 2025 г.

Принята к печати: 27 июля 2025 г.

Выставление онлайн: 31 августа 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрена применимость различных методов расчета оптимальной толщины компенсирующих слоев для InGaAs множественных квантовых ям, используемых в активной области (Al)GaAs-светодиодов ближнего инфракрасного диапазона, выращенных на вицинальных подложках. Экспериментально показана высокая точность методов для структур на подложках с малой разориентацией (до 2^o). Для структур на сильно разориентированных подложках (6^o+) применимость методов ограничена поиском толщины компенсирующих слоев в первом приближении. Созданы светодиоды с высокими кпд (62 %), квантовой эффективностью (57 %) и высокой оптической мощностью при токе до 1 А. Ключевые слова:квантовые ямы, InGaAs, МОГФЭ, гетероструктуры, светодиод.

L.J. Mawst, H. Kim, G. Smith, W. Sun, N. Tansu. Progr. Quant. Electron., 75, 100303 (2021). DOI: 10.1016/j.pquantelec.2020.100303
P.D. Nguyen, M. Kim, Y. Kim, J. Jeon, S. Park, C.S. Kim, Q.L. Nguyen, B.S. Chun, S.J. Lee. Heliyon, 10 (3), e25269 (2024). DOI: 10.1016/j.heliyon.2024.e25269
W.-C. An, H.-G. Kim, L.-K. Kwac, J.-S. So, H.-J. Lee. J. Nanosci. Nanotechnol., 19, 2224 (2019). DOI: 10.1166/jnn.2019.15974
S. Tundo, M. Mazzer, L. Lazzarini, L. Nasi, G. Torsello, D. Diso, G. Clarke, C. Rohr, P. Abbott, K. Barnham, R. Ginige. Mater. Sci. Technol., 19 (7), 977 (2003). DOI: 10.1179/026708303225004341
C.W. Tu, X.B. Mei, C.H. Yan, W.G. Bi. Mater. Sci. Eng. B, 35 (1-3), 166 (1995). DOI: 10.1016/0921-5107(95)01434-9
N.J. Ekins-Daukes, K. Kawaguchi, J. Zhang. Cryst. Growth Des., 2 (4), 287 (2002). DOI: 10.1021/cg025502y
C. Kittel. Introduction to Solid State Physics. 7th edn (John Wiley \& Sons, Inc., N.Y., 1996)
J.F. Nye. Physical Properties of Crystals: Their Representation by Tensors and Matrices (Oxford University Press, N.Y., 1985)
M. Vasilopoulou, A. Fakharuddin, F. Pelayo Garci a de Arquer, D.G. Georgiadou, H. Kim, Abd. Rashid bin Mohd Yusoff, F. Gao, M.K. Nazeeruddin., H.J. Bolink., E.H. Sargent. Nature Photonics, 15, 656 (2021). DOI: 10.1038/s41566-021-00855-2
Y. Wang, R. Onitsuka, M. Deura, W. Yu, M. Sugiyama, Y. Nakano. J. Cryst. Growth, 312 (8), 1364 (2010). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2009.11.063
J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 32, 265 (1976). DOI: 10.1016/0022-0248(76)90041-5
Р.А. Салий, А.В. Малевская, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, Н.А. Калюжный. Опт. и спектр., 132 (11), 1146 (2024). DOI: 10.61011/OS.2024.11.59501.6568-24
http://www.matprop.ru
Р.А. Салий, А.В. Малевская, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, Н.А. Калюжный. Кристаллография, 69 (4), 743 (2024). DOI: 10.31857/S0023476124040214
А.В. Малевская, Н.Д. Ильинская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, Ю.М. Задиранов, П.В. Покровский, А.А. Блохин, А.В. Андреева. ФТП, 55 (11), 1086 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51565.9679
А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Р.А. Салий, Ф.Ю. Солдатенков, М.В. Нахимович, Д.А. Малевский. Письма ЖТФ, 50 (18), 22 (2024). DOI: 10.61011/PJTF.2024.18.58625.19946

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель