Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Управление направлением роста планарных нитевидных нанокристаллов

Санкт-Петербургский государственный университет, Гранты СПбГУ, 129360164

Сибирев Н.В.

^1,2, Штром И.В. ³

¹Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

²Сaнкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

³1Институт аналитического приборостроения, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Email: n.sibirev@mail.spbu.ru, igorstrohm@mail.ru

Поступила в редакцию: 5 мая 2025 г.

В окончательной редакции: 25 июня 2025 г.

Принята к печати: 26 июня 2025 г.

Выставление онлайн: 31 августа 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложена модель, описывающая рост планарного нитевидного нанокристалла по механизму пар-жидкость-кристалл. Найдены условия для изменения направления роста планарного нитевидного нанокристалла в плоскости подложки и условия для отрыва планарного нитевидного нанокристалла от подложки. Показано, что направление роста планарного нитевидного нанокристалла можно изменить, управляя потоками V и III групп. Ключевые слова: планарные нитевидные нанокристаллы, механизм пар-жидкость-кристалл.

S.A. Fortuna, J. Wen, I.S. Chun, X. Li. Nano Lett., 8, 4421 (2008). DOI: 10.1021/nl802331m
B.R. Borodin, P.A. Alekseev, V. Khayrudinov, E. Ubyivovk, Y. Berdnikov, N. Sibirev, H. Lipsanen. CrystEngComm, 25, 1374 (2023). DOI: 10.1039/D2CE01438F
R.S. Dowdy, C. Zhang, P.K. Mohseni, S.A. Fortuna, J.-G. Wen, J.J. Coleman, X. Li. Opt. Mater. Express, 3, 1687 (2013). DOI: 10.1364/OME.3.001687
Z. Liu, L. Yin, H. Ning, Z. Yang, L. Tong, C.Z. Ning. Nano Lett., 13, 4945 (2013). DOI: 10.1021/nl4029686
Y. Berdnikov, N.V. Sibirev, V. Khayrudinov, A. Alaferdov, S. Moshkalev, E.V. Ubyivovk, H. Lipsanen, A. Bouravleuv. CrystEngComm, 21, 6165 (2019). https://doi.org/10.1039/C9CE01027K
J. Wallentin, D. Kriegner, J. Stangl, M.T. Borgstrom. Nano Lett., 14, 1707 (2014). DOI: 10.1021/nl403411w
W. Du, X. Yang, H. Pan, X. Ji, H. Ji, S. Luo, X. Zhang, Z. Wang, T. Yang. Nano Lett., 16, 877 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b03587
R.E. Algra, M.A. Verheijen, L.-F. Feiner, G.G.W. Immink, W.J.P. van Enckevort, E. Vlieg, E.P.A.M. Bakkers. Nano Lett., 11, 1259 (2011). DOI: 10.1021/nl104267p
R. Bhat, C. Caneau, C.E. Zah, M.A. Koza, W.A. Bonner, D.M. Hwang, S.A. Schwarz, S.G. Menocal, F.G. Favire. J. Cryst. Growth, 107, 772 (1991). DOI: 10.1016/0022-0248(91)90556-K
J.A. Steele, J. Horvat, R.A. Lewis, M. Henini, D. Fan, Y.I. Mazur, V.G. Dorogan, P.C. Grant, S.Q. Yu, G.J. Salamo. Nanoscale, 7, 20442 (2015). DOI: 10.1039/c5nr06676j
M.B. Borg, L.E. Wernersson. Nanotechnology, 24 (20), 202001(2013). DOI: 10.1088/0957-4484/24/20/202001
C. Orme, M.D. Johnson, K.T. Leung, B.G. Orr, P. Smilauer, D. Vvedensky. J. Cryst. Growth, 150, 128 (1995). DOI: 10.1016/0022-0248(95)80194-H
G.M. Blom, T.S. Plaskett. J. Electrochem. Soc., 118, 1831 (1971). DOI: 10.1149/1.2407845
I.V. Shtrom, N.V. Sibirev, I.P. Soshnikov, I.V. Ilkiv, E.V. Ubyivovk, R.R. Reznik, G.E. Cirlin. Nanomaterials, 14, 1860 (2024). DOI: 10.3390/nano14231860
T.-C. Yu, R.F. Brebrick. Metall. Mater. Trans. A, 25, 2331 (1994). DOI: 10.1007/BF02648854
R.R. Zamani, S. Gorji Ghalamestani, J. Niu, N. Skold, K.A. Dick. Nanoscale, 9, 3159 (2017). DOI: 10.1039/C6NR09477E
R.M. Biefeld. Mater. Sci. Eng. R: Rep., 36, 105 (2002). DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00002-5
R. Sun, N. Vainorius, D. Jacobsson, M.E. Pistol, S. Lehmann, K.A. Dick. Nanotechnology, 27, 215603 (2016). DOI: 10.1088/0957-4484/27/21/215603
L.B. Karlina, A.S. Vlasov, I.P. Smirnova, I.P. Soshnikov. J. Phys.: Conf. Ser., 1697 (1), 012109 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012109
O. Madelung, U. Rossler, M. Schulz (eds). Landolt-Bornstein - Group III Condensed Matter 41A1β Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b --- Electronic, Transport, Optical and Other Properties (Springer Verlag, Berlin-Heidelberg, 2002). DOI: 10.1007/b80447

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель