Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 2016, выпуск 12
<<<
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12
К юбилею главного редактора журнала академика Роберта Арнольдовича Суриса
1585
XX Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14- 18 марта 2016 г.
Трухин В.Н., Буравлев А.Д., Мустафин И.А., Цырлин Г.Э., Курицын Д.И., Румянцев В.В., Морозов С.В., Kakko J.P., Huhtio T., Lipsanen H.
XX Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г. Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах
1587
Сибирев Н.В., Корякин А.А., Дубровский В.Г.
Новый метод формирования гетеропереходов в A
III
B
V
нитевидных нанокристаллах
1592
Суровегина Е.А., Демидов Е.В., Дроздов М.Н., Мурель А.В., Хрыкин О.И., Шашкин В.И., Лобаев М.А., Горбачев А.М., Вихарев А.Л., Богданов С.А., Исаев В.А., Мучников А.Б., Чернов В.В., Радищев Д.Б., Батлер Д.Е.
Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором
1595
Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Хананова А.В., Оболенский С.В., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Неженцев А.В., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Медведев Г.В.
Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов
1599
Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Козлов В.А.
Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения
1605
Тимофеев В.А., Никифоров А.И., Туктамышев А.Р., Есин М.Ю., Машанов В.И., Гутаковский А.К., Байдакова Н.А.
Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
1610
Тихов С.В., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н., Вихрова О.В., Морозов А.И.
Электрофизические свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе n-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя n-GaAs
1615
Ушанов В.И., Чалдышев В.В., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р.
Брэгговский резонанс в системе плазмонных нановключений AsSb в AlGaAs
1620
Федоров Г.Е., Степанова Т.С., Газалиев А.Ш., Гайдученко И.А., Каурова Н.С., Воронов Б.М., Гольцман Г.Н.
Асимметричные устройства на основе углеродных нанотрубок для детектирования излучения терагерцового диапазона
1625
Яблонский А.Н., Жукавин Р.Х., Бекин Н.А., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Шалеев М.В.
Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами
1629
Черненко А.В., Рахими-Иман А., Фишер Ю., Амтор М., Шнайдер К., Райзенштайн С., Форхель А., Хёфлинг С.
Когерентность конденсата поляритонов в планарных микрорезонаторах в магнитном поле
1634
Коряжкина М.Н., Тихов С.В., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н.
Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник
1639
Штром И.В., Буравлев А.Д., Самсоненко Ю.Б., Хребтов А.И., Сошников И.П., Резник Р.Р., Цырлин Г.Э., Dhaka V., Perros A., Lipsanen H.
Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN
1644
Юнин П.А., Дроздов Ю.Н., Чернов В.В., Исаев В.А., Богданов С.А., Мучников А.Б.
Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек
1647
Варавин В.С., Васильев В.В., Гузев А.А., Дворецкий С.А., Ковчавцев А.П., Марин Д.В., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сидоров Г.Ю., Царенко А.В., Якушев М.В.
Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах
1652
Новиков А.В., Шалеев М.В., Юрасов Д.В., Юнин П.А.
Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах
1657
Ищенко Д.В., Климов А.Э., Шумский В.Н., Эпов В.С.
Твердый раствор PbSnTe : In --- уровни захвата, гальваномагнитные свойства и ТГц фоточувствительность
1662
Гудина С.В., Арапов Ю.Г., Савельев А.П., Неверов В.Н., Подгорных С.М., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В., Васильевский И.С., Виниченко А.Н.
Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs
1669
Платонов А.В., Кочерешко В.П., Кац В.Н., Цырлин Г.Э., Буравлев А.Д., Авдошина Д.В., Delga A., Besombes L., Mariette H.
Поляризация фотолюминесценции квантовых точек, внедренных в квантовые нити
1675
Румянцев В.В., Фадеев М.А., Морозов С.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Кадыков А.М., Тузов И.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Гавриленко В.И., Teppe F.
Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
1679
Байдакова Н.А., Новиков А.В., Шалеев М.В., Юрасов Д.В., Морозова Е.Е., Шенгуров Д.В., Красильник З.Ф.
Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния
1685
Козлов Д.В., Румянцев В.В., Морозов С.В., Кадыков А.М., Фадеев М.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И., Teppe F.
Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd
x
Hg
1-x
Te с квантовыми ямами
1690
Маремьянин К.В., Румянцев В.В., Иконников А.В., Бовкун Л.С., Чижевский Е.Г., Засавицкий И.И., Гавриленко В.И.
Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм
1697
Ковалевский К.А., Жукавин Р.Х., Цыпленков В.В., Павлов С.Г., Хьюберс Г.-В., Абросимов Н.В., Шастин В.Н.
Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии
1701
Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А.
Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии
1706
Акимов А.Н., Климов А.Э., Морозов С.В., Супрун С.П., Эпов В.С., Иконников А.В., Фадеев М.А., Румянцев В.В.
Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм
1713
Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И.
Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами
1720
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Денисов К.С., Рожанский И.В., Аверкиев Н.С., Lahderanta E.
Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем
1
1725
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Караваев М.Б., Кириленко Д.А., Иванова Е.В., Попова Т.Б., Ситникова А.А., Седова И.В., Заморянская М.В.
Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A
II
B
VI
1
1726
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук