"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Брэгговский резонанс в системе плазмонных нановключений AsSb в AlGaAs
Ушанов В.И.1, Чалдышев В.В.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: Decorus2009@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Исследовалось оптическое отражение от периодических структур на основе полупроводниковой матрицы AlGaAs, содержащей двумерные массивы плазмонных нановключений AsSb. Число слоев нановключений составляло 12 и 24, номинальный период расположения слоев --- 100 или 110 нм соответственно. В экспериментальных спектрах коэффициента оптического отражения при нормальном падении нами наблюдалась резонансная брэгговская дифракция с главными пиками на длинах волн 757 и 775 нм (1.64 и 1.60 эВ), в зависимости от пространственного периода наноструктуры. Амплитуды резонансных пиков достигали 22 и 31% при числе слоев 12 и 24, при том что объемная доля нановключений была существенно меньше 1%. В случае наклонного падения света картина брэгговской дифракции смещалась в соответствии с законом Вульфа-Брэгга. Методом матриц переноса выполнено численное моделирование экспериментальных данных с учетом пространственной геометрии структуры и резонансных особенностей плазмонных слоев AsSb.
  1. M. Kauranen, A.V. Zayats. Nature Photonics, 6, 737 (2012)
  2. K. Yao, Y. Liu. Nanotechnol. Rev., 3 (2), 177 (2014)
  3. M.R. Melloch, N. Otsuka, K. Mahalingam, C.L. Chang, J.M. Woodall, G.D. Pettit, P.D. Kirchner, F. Cardone, A.C. Warren, D.D. Nolte. J. Appl. Phys., 72, 3509 (1992)
  4. D.D. Nolte. J. Appl. Phys., 85, 6259 (1999)
  5. V.V. Chaldyshev. Mater. Sci. Eng. B, 88, 195 (2002)
  6. К. Борен, Д. Хаффмен. Поглощение и рассеяние света малыми частицами (М., Мир, 1986)
  7. М. Борн, Б. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1973)
  8. L.G. Lavrent'eva, M.D. Vilisova, V.V. Preobrazhenski, V.V. Chaldyshev. Crystallography Reports, 41, 1 (2002)
  9. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  10. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 74, 1588 (1999)
  11. В.В. Чалдышев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, О.П. Пчеляков, А.В. Хан, В.Г. Канаев, Л.С. Широкова, А.В. Голиков, В.А. Кагадей, Ю.В. Лиленко, Н.В. Карпович. Электронная промышленность, N 1--2, 154 (1998)
  12. В.И. Ушанов, В.В. Чалдышев, Н.Д. Ильинская, Н.М. Лебедева, М.А. Яговкина, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТТ, 56 (10), 1891 (2014)
  13. В.И. Ушанов, В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, В.Н. Неведомский, Н.Д. Ильинская, Н.М. Лебедева, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 49 (12), 1635 (2015)
  14. П.В. Лукин, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 46, 1314 (2012)
  15. В.И. Ушанов, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 47 (8), 1043 (2013)
  16. S. Adachi. J. Appl. Phys., 58, 3 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.