Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 1

Обзоры

Кашерининов П.Г., Томасов А.А., Берегулин Е.В.

Быстрые оптические регистрирующие среды на полупроводниковых наноструктурах для записи изображений на зарядах свободных фотоносителей О б з о р

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Бакулин А.В., Еремеев С.В., Терещенко О.Е., Кулькова С.Е.

Адсорбция хлора на поверхности InAs (001)

Электронные свойства полупроводников

Касумоглу И., Керимова Т.Г., Мамедова И.А.

Влияние gamma-облучения на электрические свойства CuGaSe₂

Yildiz A., Tasli P., Sarikavak B., Lisesivdin S.B., Ozturk M.K., Kasap M., Ozcelik S., Ozbay E.

Grain boundary related electrical transport in Al-rich Al_xGa_1-xN layers grown by metal-organic chemical vapor deposition

Абдуллаев Н.А., Абдуллаев Н.М., Алигулиева Х.В., Керимова Т.Г., Мехдиев Г.С., Немов С.А.

Особенности механизма переноса заряда в слоистых монокристаллах Bi₂Te₃, легированных хлором и тербием

Даунов М.И., Ковалев А.С., Моллаев А.Ю., Магомедов А.Б.

О резонансном донорном уровне в n-CdTe по данным об электронном транспорте при всестороннем давлении

Гаджиалиев М.М., Камилов И.К., Пирмагомедов З.Ш.

Термостимулированный переход между примесной и собственной проводимостями

Грушка О.Г., Чупыра С.М., Мыслюк О.М., Биличук С.В., Заболоцкий И.И.

Проводимость кристаллов Hg₃In₂Te₆ в сильных электрических полях

Тагиев Б.Г., Тагиев О.В., Асадуллаева С.Г.

Вольт-амперные характеристики поликристаллов соединения ZnGa₂Se₄

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Нежданов А.В., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Зубков С.Ю., Машин А.И., Ершов А.В.

Морфология, электронная структура и оптические свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур на поверхности высокоориентированного пиролитического графита

Богатыренко В.В., Зиновчук А.В.

Измерение скорости поверхностной рекомбинации и объемного времени жизни в пластинах Si по кинетике избыточного теплового излучения

Кюрегян А.С.

О максимальной толщине области пространственного заряда обратносмещенных p⁺-n-переходов с положительной фаской

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Торхов Н.А., Новиков В.А.

Влияние периферии контактов металл--полупроводник с барьером Шоттки на их электрофизические характеристики

Корнаухов А.В., Ежевский А.А., Марычев М.О., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г.

О природе электролюминесценции в режиме пробоя при обратном смещении на длине волны 1.5 мкм для легированных эрбием кремниевых структур с p-n-переходом, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

Nemcsics Akos, Takacs Jeno

Modeling of the hysteretic phenomena in RHEED intensity variation versus temperature for GaAs and InAs surfaces

Шамирзаев Т.С.

Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой зоной проводимости

Ваганов С.А., Сейсян Р.П.

Температурно-зависимое экситонное поглощение в длиннопериодных структурах множественных квантовых ям In_xGa_1-xAs/GaAs

104

Гавриленко В.И., Криштопенко С.С., Goiran M.

Электрон-электронное и спин-орбитальное взаимодействие в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом

111

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Бабаев А.А., Султанов С.Б., Абдулвагабов М.Ш., Теруков Е.И.

Электрические, оптические и механические свойства аморфного гидрогенизированного углерода, полученного при различных условиях осаждения

120

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Сычикова Я.А., Кидалов В.В., Сукач Г.А.

Влияние дислокаций на процесс порообразования в монокристаллах n-InP(111)

123

Крылов П.Н., Романов Э.А., Федотова И.В.

Влияние термоотжига на структуру нанокриcталлических пленок сульфида цинка

127

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Кузнецов В.П., Шмагин В.Б., Дроздов М.Н., Марычев М.О., Кудрявцев К.Е., Кузнецов М.В., Андреев Б.А., Корнаухов А.В., Красильник З.Ф.

Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

132

Бойко В.М., Веревкин С.С., Колин Н.Г., Корулин А.В., Меркурисов Д.И., Поляков А.Я., Чевычелов В.А.

Влияние нейтронного облучения и температуры отжига на электрофизические свойства и период решетки эпитаксиальных слоев нитрида галлия

136

Учредители

Издатель