Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Проводимость кристаллов Hg₃In₂Te₆ в сильных электрических полях

Грушка О.Г.¹, Чупыра С.М.¹, Мыслюк О.М.¹, Биличук С.В.¹, Заболоцкий И.И.¹

¹Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина Fed’kovich Chernovtsy National University, Chernovtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 7 июня 2010 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучено влияние электрического поля и температуры на проводимость объемных кристаллов Hg₃In₂Te₆. Показано, что вольт-амперные характеристики в сильных электрических полях являются характеристиками S-типа с эффектом переключения в низкоомное состояние. Критическое напряжение перехода от закона Ома к экспоненциальной зависимости тока (I) от напряжения (U) и пороговое напряжение перехода в область отрицательного дифференциального сопротивления dU/dI<0 линейно зависят от толщины образца. Определены энергии активации проводимости в слабом и сильном электрических полях. Установлено, что сверхлинейный участок вольт-амперной характеристики с dU/dI>0 описывается зависимостью вида I=I₀exp(U/U₀) и обусловлен электронными переходами с локальных центров с энергетическим уровнем E_t=0.19 эВ.

P. Gorley, Z. Grushka, Ya. Radevych, O. Grushka, I. Zabolotsky. Proc. SPIE, 6796, 67961W (2007)
P.N. Gorley, O.G. Grushka, Z.M. Grushka, A.I. Malik. 8th Conf. Electronic Materials, IUMRS-ICEM (Xi'an, China, 2002) p. 27
О.Г. Грушка, П.Н. Горлей. Перспективные материалы, N 6, 33 (2003)
К.Д. Цэндин, Э.А. Лебедев, А.Б. Шмелькин. ФТТ, 47 (3), 427 (2005)
В.Б. Сандомирский, А.А. Суханов, А.Г. Ждан. ЖЭТФ, 58 (5), 1683 (1970)
Э.А. Лебедев, С.А. Козюхин, Н.Н. Константинова, Л.П. Казакова. ФТП, 43 (10), 1383 (2009)
М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель