Физика и техника полупроводников
Электронная почта:
semicond@mail.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика и техника полупроводников
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика и техника полупроводников
»
Год 1998, выпуск 8
<<<
>>>
Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, выпуск 8
Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Kolobov A.V., Tanaka K.
Nanoscale mechanism of photo-induced metastability and reversible photodarkening in chalcogenide vitreous semiconductors
899
Zhou J.-H., Baranovskii S.D., Yamasaki S., Ikuta K., Kondo M., Matsuda A., Tanaka K.
On the transport properties of microcrystalline silicon at low temperatures
905
Frumarova B., Nemec P., Fruman M., Oswald J.
Synthesis and properties of Ge--Sb--S: NdCl
3
glasses
910
Lyubin V.M., Klebanov M.L.
Laser-induced anisotropic absorbtion, reflection and scattering of ligth in chalcogenide glassy semiconductors
915
Коугия К.В., Теруков Е.И., Фус В.
Рекомбинация в аморфном гидрогенизированном кремнии
923
Иванов-Омский В.И., Сморгонская Э.А.
Модифицирование электронного спектра и колебательных свойств аморфного углерода примесью меди
931
Лебедев Э.А., Цэндин К.Д.
Фазовые переходы, происходящие в халькогенидных стеклообразных полупроводниках при воздействии на них импульсами электрического поля и лазерного излучения
939
Дембовский С.А., Зюбин А.С., Григорьев Ф.В.
Моделирование гипервалентных конфигураций, пар с переменной валентностью, деформированной структуры и свойств a-S и a-As
2
S
3
944
Fritzsche H.
Towards understanding the photo-induced changes in chalcogenide glasses
952
Nagels P.
Plasma-enhanced chemical vapour deposition and structural characterization of amorphous chalcogenide films
958
Tanaka Keiji
Photoinduced structural changes in amorphous semiconductors
964
Andriesh A.M.
Chalcogenide glasses in optoelectronics
970
Bolle N., Hertogen P., Adriaenssens G.J., Senemaud C., Gheorghiu-de La Rocque A.
Cu-induced changes in properties of the arsenic chalcogenides
976
Girlani S.A., Yan B., Taylor P.C.
Doping in metal chalcogenide glasses
982
Теруков Е.И., Коньков О.И., Кудоярова В.Х., Гусев О.Б., Вайзер Г.
Люминесценция эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии, полученном методом тлеющего разряда
987
Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н., Заварицкая Т.В., Лойко Н.Н., Караванский В.А., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю.
Ионная имплантация пористого фосфида галлия
990
Емельянова Е.В., Архипов В.И.
Модель фотоиндуцированной анизотропии в стеклообразных полупроводниках
995
Образцов А.Н., Караванский В.А., Окуши Х., Ватанабе Х.
Поглощение света и фотолюминесценция пористого кремния
1001
Шерегий Е.М., Цебульский Й., Полит Я., Иванов-Омский В.И., Гембицкий В.
Многомодовость и манитофононный резонанс четырехкомпонентных твердых растворов теллуридов цинка, кадмия и ртути
1006
Горячев Д.Н., Полисский Г., Сресели О.М.
Особенности взаимодействия пористого кремния с тяжелой водой
1016
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук